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[发明专利]一种基于MXene的太赫兹波宽带超强吸收泡沫-CN202010778633.0有效
发明人：文岐业;税文超;肖旭;李建民;邢杨;杨青慧;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：一种基于MXene的太赫兹波宽带超强吸收泡沫，属于电磁功能材料技术领域。包括聚合物多孔泡沫，以及附着于聚合物多孔泡沫之上的MXene纳米片，其中，MXene纳米片以包覆形态、成膜形态和悬挂形态附着于多孔聚合物泡沫上，多孔聚合物泡沫的平均孔径≥500μm，多孔聚合物泡沫的厚度≤10mm，MXene纳米片填充质量小于吸收泡沫质量的50％。本发明利用MXene二维纳米片的超高导电性和在水溶液中的高分散性，通过与表面功能化的聚合物多孔泡沫复合，形成了兼顾大孔径和大吸收面积的三维网络结构，实现了0.3～1.65THz范围内高达99.99％以上的超高吸收率和低至0.00003％的极低反射率。
一种基于 mxene 赫兹宽带超强吸收泡沫

[发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法-CN202210792212.2有效
发明人： 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，属于光通讯器件技术领域。包括：在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层；将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中，采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层，抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力，平衡晶片在生长过程中产生的翘曲；在基片和应力层之间设置黏附金属层，提高应力层的黏附性；在应力层上设置隔绝金属层，用于隔离应力层和高温熔体，防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。
一种改善磁性石榴石外延生长过程晶片碎裂方法

[发明专利]一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法-CN202111481399.6有效
发明人：文岐业;薛强;杨青慧;张元婧;李宜磊;张怀武 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及新材料技术领域，具体是一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法，光与物质的相互作用受到介质磁性状态和材料的电子结构的影响，电磁辐射和磁极化材料之间的这种相互作用导致了“磁光”效应，磁光效应在电磁学的早期历史中发挥了重要作用，为光的电磁理论，以及电子自旋运动和自旋轨道耦合等物质的经典和量子理论提供了实验支持，本发明以钇铁石榴石作为典型的磁性材料，在微波段具有良好的透过性，但是磁光效应并不明显，使用掺杂的手段对钇铁石榴石晶体进行改性。
一种石榴石掺杂非线性光学材料制备方法

[发明专利]一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器-CN202211326169.7有效
发明人：罗敏;文岐业;税文超;杨青慧;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器，以满足多孔吸收器需要保持干燥及自清洁能力的应用需求。本发明采用疏水处理的技术路线，首先创新的设计一种正十二面体为基本单元、周期性互连排列形成类富勒烯的笼状结构三维泡沫，其孔径形状规则、孔径尺寸均匀，使得Ti3C2Tx纳米片在包覆三维泡沫的骨架的同时、于骨架之间快速自组装为Ti3C2Tx微米薄片；然后将Ti3C2Tx微米薄片作为疏水纳米颗粒的承载平台，在三维泡沫的骨架与Ti3C2Tx微米薄片表面形成疏水涂层；最终，使得太赫兹吸波器具有超疏水表面，不仅具有极高的吸收性能，而且还具有高效的拒液、自清洁性能。
一种基于 mxene 结构三维泡沫疏水赫兹吸波器

[发明专利]一种超宽带可调带通滤波器-CN202310196464.3有效
发明人：杜姗姗;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种超宽带可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有一个或多个谐振腔，每个谐振腔内设置有YIG薄膜结构，相邻的YIG薄膜结构通过带线传递信号，通过使用YIG薄膜作为可调带通滤波器的谐振器，不需要进行谐振器晶向调节，同时YIG薄膜的制备相对于YIG小球的制备更加容易，降低了对工艺的要求，提升了滤波器的调试效率，利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，实现了5‑50GHz超宽带可调谐滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高，更容易实现滤波器的批量化生产。
一种宽带可调带通滤波器

[发明专利]一种宽带宽可调带通滤波器-CN202310201122.6有效
发明人：杜姗姗;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有一个或多个谐振腔，且谐振腔内设置有YIG薄膜层，YIG薄膜层上方设置有耦合带线组，YIG薄膜层包括多个YIG薄膜结构，且用于接收输入信号的YIG薄膜结构与用于输出信号的YIG薄膜结构间设置有隔板，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，利用U型谐振腔结构，在不改变滤波器失谐隔离的前提下，提高了滤波器的3dB带宽。3dB带宽为130MHz左右，带外抑制大于80dBc,随着磁场逐渐增大，滤波器的中心频率逐渐向高频移动，但可以基本保持滤波器的3dB带宽和带外抑制不变。
一种宽带可调带通滤波器

[发明专利]一种基于开口谐振环的YIG限幅器-CN202310434147.0有效
发明人：刘畅;樊鑫安;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及微波器件以及磁学技术领域，具体涉及是一种基于开口谐振环的YIG限幅器，包括YIG薄膜，其一面接地，其中还包括开口谐振环结构和激励带线组；开口谐振环结构和激励带线组蚀刻于YIG薄膜另一面，开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间，通过将YIG薄膜一面接地，另一面蚀刻出激励带线组的方式以YIG薄膜为介质形成微带线结构，能够将电磁场集中于YIG薄膜中能有效的实现自旋波的激励，使电磁波能量在薄膜内能够有效的进行传递，从而减小通带内插损，同时开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间可以实现YIG限幅器带内杂波的抑制同时能够有效的抑制带内谐振点，使得通带内的插损更平坦而且更有利于扩展频带。
一种基于开口谐振 yig 限幅器

[发明专利]一种互补开口谐振环YIG限幅器-CN202310437063.2有效
发明人：樊鑫安;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01P1/218 文献下载
摘要：本发明涉及微波器件以及磁学技术领域，具体涉及是一种互补开口谐振环YIG限幅器，包括YIG薄膜，YIG薄膜一面接地，其中还包括中心金属平面和激励带线组；激励带线组蚀刻于YIG薄膜另一面；中心金属平面设于YIG薄膜另一面上方，中心金属平面上设置有开口谐振环镂空图案，通过在YIG薄膜上设置中心金属平面，中心金属平面改变整个YIG薄膜静磁波边界条件实现额外的带外抑制效果，通过将YIG薄膜一面接地，另一面蚀刻出激励带线组的方式以YIG薄膜为介质形成微带线结构，能够将电磁场集中于YIG薄膜中能有效的实现自旋波的激励，使电磁波能量在薄膜内能够有效的进行传递，从而减小通带内插损。
一种互补开口谐振 yig 限幅器

[发明专利]一种双面耦合YIG薄膜谐振器-CN202310223614.5有效
发明人：樊鑫安;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：一种双面耦合YIG薄膜谐振器，其中上YIG薄膜设置在GGG基体顶部，上基板设置在上YIG薄膜的顶面；上开口谐振环设置在上基板的底面，并围绕上YIG薄膜一周；上开口谐振环激励单元设置在上基板的顶面；下YIG薄膜设置在GGG基体底部，下基板设置在下YIG薄膜的底面；下开口谐振环设置在下基板的顶面，并围绕下YIG薄膜一周；下开口谐振环激励单元设置在下基板的底面。该双面耦合YIG薄膜谐振器能够提高YIG谐振器的有载品质因子和增强谐振点处的反射值。
一种双面耦合 yig 薄膜谐振器

[发明专利]一种上下耦合可调带通滤波器-CN202310227385.4有效
发明人：杜姗姗;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，且谐振腔通过耦合带线传递微波信号，每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制，同时输入端和输出端被隔板进行分开在很大程度上能够保障输入谐振和输出谐振间的隔离度。
一种上下耦合可调带通滤波器

[实用新型]一种YIG薄膜谐振器-CN202320311356.1有效
发明人：樊鑫安;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种YIG薄膜谐振器，它包括基板和设置在基板顶面上的YIG薄膜和开口谐振环；所述开口谐振环位于YIG薄膜外侧，并围绕YIG薄膜一周。该谐振器利用YIG薄膜来代替现有的YIG小球，进而无需调节晶向，简化电路装配过程，减少了装配时间，同时YIG薄膜更方便安装在平面电路板上。
一种 yig 薄膜谐振器

[发明专利]一种基于太赫兹波的Risley棱镜波束扫描天线-CN202310209025.1在审
发明人：文岐业;冯鑫;黄浩铭;李茜;张鲁明;李辰;杨青慧 -专利权人：电子科技大学;太赫兹科技应用(广东)有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹动态波束调控技术领域，具体提供一种基于太赫兹波的Risley棱镜波束扫描天线。本发明采用相位矫正面与相位梯度面构成的Risley棱镜结构，相位矫正面与相位梯度面分别由若干个超表面频率选择单元拼接构成，超表面频率选择单元由四个谐振单元构成；所述频率选择表面具有宽频带工作特性，在太赫兹波段可以实现低损耗传输，有良好的选频特性，并适用于各种线极化波，且该超表面单元具备15％的相对带宽；所述Risley棱镜波束扫描天线能够实现对太赫兹波段的波束调控，该天线峰值增益峰值增益在偏转25°时可以达到21.99dBi，且能达到X‑Y平面360°、傍Z轴±35°的波束扫描范围；并且，天线设计简单，结构紧凑，有效降低加工成本。
一种基于赫兹 risley 棱镜波束扫描天线

[发明专利]一种高隔离度可调带通滤波器-CN202310196469.6有效
发明人：杜姗姗;刘畅;王明;杨青慧 -专利权人：成都威频科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种高隔离度可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有多个谐振腔，每个谐振腔内设置有YIG薄膜结构，相邻的YIG薄膜结构通过带线传递信号，且用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间，通过设置相互隔离的谐振腔，同时整个滤波器工作部内设置的谐振腔，且呈类蛇形排布，提高了输入输出端之间的隔离度，进而提高了滤波器的带外抑制，利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高。
一种隔离可调带通滤波器

[发明专利]一种基于Ti3-CN202310215763.7在审
发明人：文岐业;黄浩铭;冯鑫;侯胜凯;杨青慧 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明属于电磁功能材料技术领域，提供一种基于Ti3C2Tx的多层波浪型太赫兹波超强吸收材料，用以解决现有技术存在的阻抗匹配与衰减匹配的矛盾，以及制作成本高昂、制备过程繁复、应用稳定性不可靠等问题。本发明由多层织物结构与其外包裹的水性聚氨酯构成，多层织物结构由多层柔性织物层叠构成，每层柔性织物上吸附填充有对应负载量的Ti3C2Tx，按照从下往上的顺序负载量逐层递减直至零，多层结构呈现起伏的波浪状外形。本发明利用Ti3C2Tx的超高导电性以及织物的纤维结构形成的导电网络实现优异的吸收强度，且具有机械性能强、应用稳定性可靠和轻薄等优异性能，同时，该吸收材料制备成本低、工艺便捷，具有十分优异的实际应用价值。
一种基于 ti base sub

[发明专利]一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉-CN202310394142.X在审
发明人： 杨青慧;王峰;张鼎;张元婧;李涵;杨舒婷;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明属于铁氧体单晶薄膜制备技术领域，具体提供一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉，用以解决常规单温区液相外延炉进行多批次RIG单晶连续生长过程中重复的熔融、搅拌(均匀化)、降温过程使得制备时间明显延长、生产效率大幅降低、能耗显著增高以及液相原料污染、铂金坩埚寿命缩短等问题。本发明采用双温区炉体设计，在连续生长过程中，坩埚及其内液相原料一直处于高温区，而生长完成后的晶体冷却过程则在低温区完成，从而避免重复进行原料熔融、均匀化以及降温，显著缩短晶体的制备周期、提升制备效率、降低能源消耗，同时降低铂金坩埚的损耗率，实现石榴石晶体的高效、低成本制备。
一种用于连续生长石榴石晶体高精度外延

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