“李忠儒”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果73个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210003421.4在审
发明人：吴杰翰;朱慧捷;余安棣;魏慈慧;蔡政勋;李忠儒;杨士亿;请求不公布姓名 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体结构的方法，包括于介电结构中形成沟槽；在由所述沟槽所暴露的所述介电结构的侧表面上形成间隔层；在形成所述间隔层之后，在所述沟槽中形成第一导电特征件；移除所述介电结构的至少部分以形成凹槽；在所述凹槽中及所述第一导电特征件之上形成蚀刻停止层；以及在形成所述蚀刻停止层后，于所述凹槽中且于所述第一导电特征件之上沉积介电层。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210223239.X在审
发明人：朱慧捷;吴杰翰;蔡政勋;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：第一金属化构件；第一电介质结构，其在所述第一金属化构件上方；第二金属化构件，其嵌入于所述第一电介质结构中；通路结构，其在所述第一金属化构件与所述第二金属化构件之间；及第一绝缘层，其在所述第一电介质结构与所述第一金属化构件之间且在所述第一电介质结构与所述通路结构之间。所述第一金属化构件沿着第一方向延伸，且所述第二金属化构件沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸。所述第一绝缘层沿着所述第二方向覆盖所述通路结构的第一侧壁。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法-CN201910768482.8有效
发明人：张钰声;李忠儒;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
具有矩形轮廓间隔及其制造方法

[发明专利]集成芯片-CN202210670212.5在审
发明人：戴羽腾;田希文;廖韦豪;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开是关于一种集成芯片，包括一第一内连接介电层，排置于一基底上；一第二内连接介电层，排置于第一内连接介电层上；以及一内连接导电结构，排置于第二内连接介电层内。内连接导电结构包括一外部，其包括第一导电材料。再者，内连接导电结构包括一中心部，具有多个最外层侧壁由内连接导电结构的外部所环绕。此中心部包括不同于第一导电材料的一第二导电材料。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210670050.5在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括设置在基板上方的第一互连介电层。互连线延伸穿过第一互连介电层，且阻障结构直接设置在互连线上方。集成芯片还包括设置在阻障结构上方且围绕阻障结构的外侧壁的蚀刻停止层。第二互连介电层设置在蚀刻停止层上方，且互连导孔延伸穿过第二互连介电层、蚀刻停止层及阻障结构以接触互连线。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210604092.9在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾;黄心岩;吴佳典 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成芯片，包括：基板。第一导线，在基板上方。第二导线，在基板上方并相邻第一导线。第一介电盖，横向地在第一导线与第二导线之间。第一介电盖将第一导线与第二导线横向地分开。第一介电盖包括第一介电材料。第一空腔，在第一介电盖正下方以及横向地在第一导线与第二导线之间。第一空腔通过第一介电盖的一个或多个表面定义。
集成芯片

[发明专利]集成芯片-CN202210554065.5在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括基板。第一导线在位于基板上方的第一介电层内。第一蚀刻停止层在第一介电层上方。第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层上方。导电导孔在位于第二蚀刻停止层上方的第二介电层内。导电导孔延伸穿过第二蚀刻停止层并沿着第一蚀刻停止层至第一导线。第二蚀刻停止层的第一下表面在第一蚀刻停止层的上表面上。第二蚀刻停止层的第二下表面在第一导线的上表面上。
集成芯片

[发明专利]半导体结构-CN202210579597.4在审
发明人：廖韦豪;田希文;吕志伟;戴羽腾;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一导电线，设置于一基底上。一介电衬层沿第一导电线的侧壁及上表面排列，且由一第一介电层所横向环绕。介电衬层及第一介电层为不同的材料。一导电介层连接窗(via)设置于第一导电线上方的一第二介电层内。导电介层连接窗具有一第一下表面位于第一介电层上及一第二下表面位于第一下表面下方及第一导电线上方。
半导体结构

[发明专利]互连结构-CN202210492116.6在审
发明人：廖韦豪;田希文;戴羽腾;吕志伟;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提出一种互连结构。互连结构包含导电层的第一部分、邻近导电层的第一部分设置的导电层的第二部分以及在导电层的第一和第二部分之间设置的介电泡沫。介电泡沫包含用二氧化碳气体填充的流体间隙。
互连结构

[发明专利]内连线结构-CN202210430100.2在审
发明人：廖韦豪;田希文;戴羽腾;吕志伟;姚欣洁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种内连线结构，包括介电层、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件和电介质填充物。第一导电部件，设置于介电层中。第二导电部件，设置于第一导电部件上方。第二导电部件包括设置于第一导电部件上方的第一导电层、设置于第一导电层上的第二导电层以及设置于第二导电层上的第三导电层。第一导电层、第二导电层和第三导电层具有实质上相同的寛度。第三导电部件，设置于介电层上方，第三导电部件包括设置于介电层上方的第四导电层、设置于第四导电层上的第五导电层，以及设置于第五导电层的第六导电层，第四导电层、第五导电层和第六导电层具有实质上相同的寛度。电介质填充物，设置于介电层上方，且介于第二导电部件和第三导电部件之间。
连线结构

[发明专利]集成芯片-CN202210292224.9在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开是关于包括在基板上的第一互连介电层的集成芯片。互连导线延伸穿过第一互连介电层，且导线结构上介电质直接设置于互连导线上。导线结构上介电质的外壁被第一互连介电层围绕。集成芯片更包括第二互连介电层，设置于第一互连介电层上，以及互连导孔，延伸穿过第二互连介电层及导线结构上介电质，以接触互连导线。
集成芯片

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210087925.9在审
发明人：田希文;廖韦豪;戴羽腾;姚欣洁;吕志伟;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法，形成互连结构的方法使用直接金属蚀刻方式，以形成且填充金属间隙。所述方法可包括直接蚀刻第一金属层以形成多个金属图案。金属图案彼此可被多个凹槽间隔开。可形成介电间隔物，沿着每个凹槽的侧壁延伸。可以导电材料填充所述凹槽，以形成多个第二金属图案。通过直接蚀刻金属膜，此技术允许降低线宽粗糙度。所公开的结构可以具有增加的可靠度、较佳的电阻电容(RC)性能及降低的寄生电容的优点。
半导体装置形成方法

[发明专利]互连结构-CN202210172290.2在审
发明人：朱慧捷;吴杰翰;姚欣洁;蔡政勋;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种互连结构。示例性的互连结构包括第一导电部件，具有第一厚度；第一介电材料，与第一导电部件相邻设置，其中第一介电材料具有大于第一厚度的第二厚度；第二导电部件，与第一介电材料相邻设置；第一蚀刻停止层，设置在第一导电部件上；第二蚀刻停止层，设置在第一介电材料上；以及第二介电材料，设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上，其中第二介电材料与第一介电材料接触。在一些实施例中，第一蚀刻停止层包括第一材料，且第二蚀刻停止层包括不同于第一材料的第二材料。
互连结构

[发明专利]边缘缺陷检查方法-CN201910141617.8有效
发明人：杨丰瑞;张哲恺;李忠儒;林振斌;林尚德;刘宗祐 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘缺陷检查方法，包括以下步骤：获取一目标元件的外观以取得一外观图像；依据外观图像决定出多个参考点；依据参考点形成一识别图案；以及依据识别图案及外观图像产生一检查结果。
边缘缺陷检查方法

[发明专利]形成半导体器件的方法及图案化半导体器件的方法-CN201911157833.8有效
发明人：蔡政勋;吴永旭;黄琮闵;李忠儒;包天一;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例为形成半导体器件的方法和图案化半导体器件的方法。一个实施例为形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件层上方形成第一硬掩模层，第一硬掩模层包括含金属材料，在第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，以及在第二硬掩模层上方形成第一组含金属间隔件。该方法进一步包括使用第一组含金属间隔件作为掩模来图案化第二硬掩模层，在图案化后的第二硬掩模层的侧壁上形成第二组含金属间隔件，以及采用第二组含金属间隔件作为掩模来图案化第一硬掩模层。本发明还提供自对齐双间隔件图案化工艺。
形成半导体器件方法图案

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 73 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top