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[发明专利]对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法-CN201410458727.4无效
发明人：李丹阳 -专利权人：贵州万方铝化科技开发有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及脱硅领域，具体涉及对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法包括如下步骤：将含硅矿物中金属氧化物与含卤素物质反应完全制成该金属的卤化物；将得到的所述金属卤化物与含硅矿物在高温下反应得到高温态的卤化硅气体和脱硅后的矿物；将生成的高温态卤化硅气体收集并水解完全生成二氧化硅和含卤素物质；将得到的所述含卤素物质经加工处理再与步骤(1)中的含硅矿物中金属氧化物反应生成该金属的卤化物，参与脱硅循环反应。由于二氧化硅是将收集到的卤化硅气体水解生成，得到的二氧化硅纯度高并且该工艺脱硅彻底，卤化物被循环利用基本没有消耗，并且过程简单没有副产物和损耗成本低应用前景广阔。
矿物气相脱硅循环利用卤素物质方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810130433.3有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过在对所述栅极绝缘膜的表面使氢等离子体起作用时引入氢化硅气体或卤化硅气体，在所述栅极绝缘膜上生成结晶核，并且通过增加使所述氢化硅气体或所述卤化硅气体的流量，而形成所述微晶半导体膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]使用微波等离子体形成氮化硅膜的方法-CN201910126663.0在审
发明人：汉宏·陈;凯尔文·陈;菲利普·艾伦·克劳斯;蔡泰正 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：实施方式包括用于在沉积腔室中的基板上形成氮化硅膜的方法。在实施方式中，将基板顺序地暴露于一序列的处理气体，包括：卤化硅前驱物，所述卤化硅前驱物吸附到所述基板的表面上以形成吸附的卤化硅层；第一反应气体，所述第一反应气体包括N₂以及Ar和He中的一种或两种；和第二反应气体，所述第二反应气体包括含氢气体以及Ar、He和N₂中的一种或多种。在实施方式中，所述含氢气体包括H₂(分子氢)、NH₃(氨)、N₂H₂(二氮烯)、N₂H化硅膜。
反应气体氮化硅膜卤化硅含氢气体前驱物基板吸附微波等离子体基板顺序地沉积腔室处理气体方法实施叠氮化分子氢暴露期望重复

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN202111318553.8在审
发明人：渡边幸夫;高藤哲也;内田博章;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。
氮化方法装置

[发明专利]半导体装置及显示装置的制造方法-CN200810108724.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：通过以氢化硅或卤化硅为原料气体且使用1GHz以上的频率的微波等离子体CVD装置来形成微晶半导体膜，而通过使用该微晶半导体膜形成薄膜晶体管及连接到该薄膜晶体管的显示元件。使用1GHz以上的频率的微波的等离子体的电子密度高，因此可以容易分解原料气体的氢化硅或卤化硅。由此，可以提高显示装置的批量生产性。
半导体装置显示装置制造方法

[发明专利]选择性半球形硅晶粒制作工艺-CN00122773.4无效
发明人：吴德源 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-08-14 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：此制作工艺的步骤如下首先,以一卤化物为反应气体,对此基底进行一等离子反应,使得多晶硅电容器下电极上的原生氧化层反应生成卤化硅,并于低压之下将此卤化硅除去。
选择性半球形晶粒制作工艺

[发明专利]含氮硅烷化合物粉末及其制造方法-CN201080015350.5有效
发明人：西尾正幸;新居田贞夫;岛川敏弘 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种无需有机溶剂回收工序或小型化，同时表观密度高的含氮硅烷化合物，不经过加压成型等追加的工序，提高氮化硅制造工序的生产效率。使卤化硅烷化合物与液体氨进行反应，用液体氨洗涤、干燥得到的主要含硅二酰亚胺的含氮硅烷化合物粉末，干燥后的表观密度为0.10～0.30g/cm3，优选含有的卤成分浓度以重量基准为100ppm以下的含氮硅烷化合物粉末使卤化硅烷化合物与液体氨进行混合反应时，卤化硅烷化合物作为无溶剂或卤化硅烷化合物浓度为50体积％以上的惰性有机溶剂的溶液，从液体氨中设置的供给口喷出、供给的含氮硅烷化合物粉末的制造方法。通过惰性气体导入反应器内，该反应器内压力比该反应器内含有的反应混合物的温度时的液体氨的蒸气压保持高0.5MPa以上是优选的。
硅烷化合物粉末及其制造方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010789975.2在审
发明人：羽根秀臣;大槻志门;小山峻史;向山廉;小川淳;吹上纪明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
方法装置

[发明专利]氮氧化物栅介质及其制作方法-CN99127448.2有效
发明人：道格拉斯·A·布查南;马修·W·克博;帕特里克·R·瓦卡浦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1999-12-30 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在硅表面上制作氮氧化物层，用含有氧和至少一种卤化物的气体混合物再氧化，获得具有可控氮分布的氮氧化物层和下方的基本上是二氧化硅的层。可以借助于使硅表面与至少一种含有氮和氧的气体或气体混合物在不低于500℃的温度下相接触，或借助于化学汽相淀积技术，来制作氮氧化物膜层。可以借助于在含有氧和卤化物的氧化的卤化气氛中的热处理工艺，来执行再氧化工序。
氧化物介质及其制作方法

[发明专利]使用基于卤化物的前体沉积无金属ALD氮化硅膜的方法-CN201780062174.2在审
发明人：詹姆斯·S·思姆斯;乔恩·亨利;拉梅什·钱德拉塞卡拉;安德鲁·约翰·麦克罗;萨沙撒耶·瓦拉达拉简;凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。
陶瓷表面半导体衬底沉积喷头氮化硅膜含卤化物底涂层反应室氧化物等离子体增强原子层沉积沉积氮化硅膜氟等离子体原子层沉积衬底转移工艺气体气体出口氮化硅反应区卤化物预涂层前体支撑金属清洁引入

[发明专利]蚀刻方法和等离子体蚀刻材料-CN201880041923.8在审
发明人：浦边敬一郎;沈鹏;徐志宇;南森·斯塔福德 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻方法和一种等离子体蚀刻材料，该蚀刻方法对含氧化硅的膜具有快速蚀刻速率并且可以选择性地蚀刻含氧化硅的膜。该蚀刻方法包括通过将含卤化烃的气体和含C4F6O3的气体引入等离子体反应室中并且通过等离子体在该等离子体反应室中形成活性物质来蚀刻含Si材料。
蚀刻方法等离子体材料

[发明专利]卤化硅烷齐聚物的提纯方法-CN201580056048.7有效
发明人： C·鲍赫;S·霍尔;M·霍伊尔 -专利权人： C·鲍赫
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法，其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物，也可以是一系列化合物的混合物，这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si，这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素，或者卤素和氢原子，在具有不同原子组成成分的取代基中，硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2，在提纯的过程中，至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。根据现有技术，诸如HSiCl3等卤化甲硅烷可以使用有机化合物(尤其是含有氨基的基团的聚合物)进行处理，对经过上述处理的混合物进行分离，即得到提纯的卤化甲硅烷。
卤化硅烷齐聚提纯方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201510645212.X有效
发明人：木原嘉英;久松亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在一实施方式的方法中，执行在第一掩模和防反射膜上形成氧化硅膜的步骤。在该步骤中，交替地生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体和包含氧气的第二气体的等离子体。接着，以仅残留形成于第一掩模的侧面上的区域的方式除去氧化硅膜的其他区域。接着，除去第一掩模。然后，对防反射膜和有机膜进行蚀刻。
掩模等离子体被处理体防反射膜氧化硅膜蚀刻卤化硅气体多重图案控制性有机膜氧气残留侧面

[发明专利]化学气相沉积的排气处理回收的方法及装置-CN01123256.0无效
发明人：石原良夫;大见忠弘 -专利权人：日本酸素株式会社;大见忠弘
申请日： 2001-07-23 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： B01D53/68 文献下载
摘要：一种化学气相沉积(CVD)排气的处理回收方法及装置，是将化学气相沉积排气中所含有的原料气体或中间产物转化反应成高挥发性的卤化物，以防止排气系统管路的附着、堆积、可将具有再利用价值的资源进行分离回收、以及减少保养维护将化学气相沉积排气中所含有的原料气体与中间产物进行分解处理或转化反应处理，待一部分分解后，即进行氢卤化硅气体与氯化氢的分离回收。又，原料气体及中间产物也可完全分解成氯化氢再进行回收。
化学沉积排气处理回收方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010788135.4在审
发明人：羽根秀臣;小山峻史;大槻志门;向山廉;吹上纪明;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
方法装置

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