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[发明专利]一种锗单晶片位错腐蚀检测方法-CN200910170163.3无效
发明人：佟丽英;赵权;史继祥;王聪;李亚光 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗单晶片位错腐蚀检测方法，包括以下步骤：将经过抛光的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合的位错腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀结束后，检测其位错密度。本发明对锗单晶片进行位错检测，可以直接对单晶的切割片、研磨片及抛光片进行检测，无需将单晶晶向切割成偏<100>晶向6°以内的晶片进行检测，减少了单晶的损失，缩短了工序流程。采用本方法对锗单晶片进行位错检测，可以对锗单晶片任何一个工序内的产品进行位错检测，避免了只能在单晶检验时采取特殊方式切割才能进行位错检测的情况，可以保证锗单晶片位错检测能够随时进行，有利于实施质量控制。
一种晶片腐蚀检测方法

[发明专利]镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法-CN201410140741.X有效
发明人：吴绍华;王侃;子光平;孙君亚;李盈昱;韩帅明;李林涛;陈骥;李茂忠;姜杰 -专利权人：云南北方驰宏光电有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法，属于单晶生长技术领域，主要技术方案是在负压条件下，生长锗单晶工艺包括抽真空、检漏，熔化、恒压，降温、稳定，引晶，缩颈，放肩，转肩，等径生长，收尾，退火，降温、利用该方法生长的镓重掺杂低位错锗单晶，位错密度小于1000/cm2，排除了锗熔体表面的氧化物浮渣，有效降低了锗单晶中的位错密度和生产成本，成功生长出大尺寸镓重掺杂低位错锗单晶，满足第三代锗衬底化合物半导体叠层电池[GaInP/Ga(In)As/Ge]和半导体微纳电子器件对超薄锗衬底片的电学性能和完整性要求。
掺杂低位错锗单晶生长方法

[发明专利]偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法-CN201510261309.0在审
发明人：曹可慰;赵有文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。
111 晶片显示腐蚀方法

[发明专利]一种零位错P型锗单晶制备方法-CN202111660623.8在审
发明人：李宝学;刘得伟;林作亮;李长林;李国芳;黄四江;沙智勇;陆贵兵;普世坤 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
一种零位型锗单晶制备方法

[发明专利]一种用于锗单晶片位错检测的腐蚀液及腐蚀方法-CN201610849163.6在审
发明人：席珍强;曹佳辉;王龙成;金达莱;王卿伟;陈仕天 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种用于锗单晶片位错检测的腐蚀液，包括浓度为30～50wt%的氢氟酸，浓度为2.9～10wt％的高锰酸钾水溶液和摩尔浓度为3～6mol/L的硫酸，并进一步公开了采用该腐蚀液进行位错检测的腐蚀方法采用本发明提供的腐蚀液和腐蚀方法可对<100>和<111>锗单晶片进行位错检测，无需将单晶进行抛光，摆脱了现有腐蚀液需要先抛光后腐蚀显示位错、反应不可控、产生污染气体的问题；（2）采用本方法对锗单晶进行位错检测，可以对常用的不同晶向的锗单晶进行检测，摆脱传统腐蚀剂的适用单一性。
一种用于晶片检测腐蚀方法

[发明专利]锗硅外延生长方法-CN201410138306.3在审
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅外延生长方法，所述锗硅外延生长方法包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。在本发明提供的锗硅外延生长方法中，通过对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀，便可去除自然生长的氧化层，从而避免了所形成的锗硅外延层中产生层错、位错、滑移线等晶格缺陷，进而可提高器件/产品质量。
外延生长方法

[发明专利]一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法-CN202210551272.5在审
发明人：王蓉;许彬杰;皮孝东;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。同时，为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH4)气体作为锗的掺杂源，在PVT单晶生长的同时，向生长腔内稳定、均匀地通GeH4气体以实现以上目的。
一种改善碳化硅衬底参数方法

[发明专利]一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法-CN201410740175.6在审
发明人：范德胜;柯尊斌;郑华荣;刘新军;刘绍良 -专利权人：南京中锗科技股份有限公司;中锗科技有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法，从无位错锗单晶按晶向切出厚度为1~2mm的晶片，将晶片的一面在金刚砂磨盘上粗磨磨平，然后在毛玻璃上抛光至晶片表面无明显划痕；配制COP腐蚀液并冷却至0℃；将经过抛光的无位错锗单晶片抛光面朝上放入0℃的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间5~8分钟；腐蚀完成后立即用清水冲洗干净擦干，在显微镜下数出单晶片表面COP缺陷数量。本发明采用的腐蚀液能够腐蚀表面一层锗，从而露出新鲜表面暴露出缺陷，能够保证COP缺陷显现效果，在显微镜下能很方便观察到COP形貌，能准确的检测出无位错锗单晶片中COP缺陷数量，方法简单有效。
一种无位错锗单晶片 cop 缺陷腐蚀检测方法

[发明专利]掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法-CN200910099991.2无效
发明人：余学功;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓或磷，还含有浓度为1×10¹⁸～5×10²⁰/cm³的锗。本发明还公开了其制备方法，包括：将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上，通过热场调节，使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化，无位错的单晶硅块部分融化，再通过热交换进行定向凝固，将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，诱导从下至上生长掺锗铸造单晶硅。
定向凝固铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]n型SiC单晶及其制造方法-CN201480047230.1有效
发明人：白井嵩幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供具有低电阻率且贯穿位错密度小的n型SiC单晶。该n型SiC单晶为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中锗与氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系。
sic 及其制造方法

[发明专利]降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置-CN200710099557.5有效
发明人：苏小平;冯德伸;杨海;李楠;尹士平 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了属于生长单晶技术领域的一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置。采用降埚直拉法生长低位错锗单晶，工艺流程为将高纯锗原料放到坩埚内，将籽晶安装在籽晶夹头上，在拉晶过程中逐渐降低埚位，晶体是自上而下生长，实现在较小温度梯度热场条件下，在较高埚位进行缩颈然后降低埚位进行拉晶的关键技术，有效解决了缩颈和位错增殖之间的矛盾，生长成功大尺寸(4英寸以上)低位错锗单晶，满足空间高效GaAs/Ge太阳电池衬底片要求。
降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺装置

[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法-CN202111267243.8在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请公开一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。本公开的方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。
高纯锗单晶 100 缺陷检测方法

[发明专利]探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法-CN202211597289.0在审
发明人：顾小英;赵青松;牛晓东;狄聚青 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法包括步骤：探测器级高纯锗单晶为p型锗单晶，在p型锗单晶的头部取霍尔样片和位错样片分别进行载流子浓度和位错密度检测、在p型锗单晶的剩余晶体的头部取DLTS样片；
探测器高纯锗单晶能级缺陷检测方法

[发明专利]一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺-CN202210408358.2在审
发明人：李志高 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请涉及单晶生长工艺的技术领域，具体公开了一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂锗单晶的生长工艺，包括以下步骤：采用水平梯度冷凝法合成锗多晶，并将多晶锗进行切割；对切割后的多晶锗、坩埚、石英管、石英帽进行清洗，然后进行干燥处理；将籽晶放入坩埚底部的籽晶腔中，再将多晶锗、单晶石墨烯装入坩埚中，然后将坩埚装入石英管，抽真空，然后密封石英管；把密封的石英管放入单晶炉生长锗单晶，控制轴向的温度梯度为3‑5℃/cm，径向温度梯度小于2℃。采用本申请的生长工艺生长得到的石墨烯掺杂锗单晶具有位错密度低、力学性能优良的优点。
一种石墨掺杂锗单晶及其生长工艺

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