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[发明专利]一种在提拉法生长晶体过程中修正晶体界面电动势基线的方法-CN202310814677.8在审
发明人：王彪;郑玮涛;朱允中 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种在提拉法生长晶体过程中修正晶体界面电动势基线的方法，包括如下：在晶体生长的过程中，在当前一段时间内通过对籽晶杆造成可调的周期性温度波动，记录当前一段时间内晶体生长过程中籽晶的周期性波动的温度T和周期性波动的界面电动势U；通过设定阈值条件，过滤温度T、界面电动势U中干扰数据；根据保留下的温度T、界面电动势U计算当前一段时间内的固相塞贝克系数；获得下一段时间内的固相塞贝克系数，以及获取下一段时间内温度中值点，计算得到下一段时间内温度中值点对应的界面电动势；将上一段时间内温度中值点对应的界面电动势与下一段时间内温度中值点对应的界面电动势连接，得到晶体生长过程中的界面电动势基线。
一种提拉法生长晶体过程修正界面电动势基线方法

[发明专利]一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法-CN202310745490.7有效
发明人：闫洪嘉;李安君 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法，装置包括供给多晶硅原料的送料装置、加热约束线圈、引晶和拉晶装置，形状约束线圈，其设置在所述加热约束线圈的下方，并围绕在结晶生长界面附近的熔硅池和硅单晶锭的外周围，所述形状约束线圈的下开口的横截面形状与所拉制硅单晶锭的横截面形状相对应，用于通过所述形状约束线圈产生的交变磁场和感生电流，约束硅单晶锭结晶生长界面附近熔硅的横截面形状呈非圆柱状，在籽晶的引导下，冷却生长出非圆柱状的硅单晶锭。本发明提供的装置和方法能实现以区熔法生长非圆柱形硅单晶锭，可以扩大单晶锭的横截面积和单根硅的单重，提高生产效率和硅片切片利用率。
一种生长圆柱状硅单晶锭装置方法

[实用新型]一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构-CN202320219592.0有效
发明人：任永生;王正省;马文会;雷云;魏奎先;吕国强;伍继君;李绍元;曾毅;祖钰博 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型设计公开了一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构，包括：水冷屏、高纯硅环，所述的水冷屏的下方安装有高纯硅环，高纯硅环与水冷屏下端通过钨丝绳连接；以减小液面晃动，同时起到隔离自由熔体表面杂质移向成晶界面的作用。本实用新型的功能是该结构目的在于利用拉单晶时较低的液面温度，在将具有一定纯度和结构的硅环置于液面上时，不会被熔化，在不进行提拉时，硅环也不会生长单晶，与硅熔体保持平衡状态；且高纯硅环可有效减小液面波动，阻隔连续加料时颗粒硅移向生长界面，与石英挡板相比，较大程度减小氧原子的输入，减小对硅熔体的污染。
一种高纯减小直拉单晶炉液面波动结构

[发明专利]锭生长设备及锭生长方法-CN202310252905.7在审
发明人：朴玹雨 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种锭生长设备及锭生长方法，锭由颈部部分、肩部部分、主体部分以及尾部部分构成。锭生长设备包括存储器和处理器，存储器被配置成存储人工神经网络。处理器学习人工神经网络以获得与训练数据对应的初级肩部形状模型，基于在第一锭的肩部部分生长期间获得的肩部信息来更新获得的初级肩部形状模型以获得二级肩部形状模型，基于二级肩部形状模型来设置用于第一锭的尾部部分生长的目标尾部温度，并且根据设置的目标尾部温度来控制第一锭的尾部部分的生长。
生长设备方法

[发明专利]一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶-CN202210876415.X有效
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，提高硅熔体的受热温度，并保持10~20分钟；将晶体回浸至硅熔体中，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；回浸后，立即提高硅熔体的受热温度，使晶体与液面自然分离，分离后，保持静止；然后继续提拉晶体，待晶体冷却后，得到晶棒。该方法通过将晶体回浸，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；继续快速提拉晶体，使晶体与液面自然分离，不会产生滑移线，可不用收尾。该方法具有高效、节省能源和原料、操作简单等优点。
一种回浸式不收尾直拉单晶方法硅单晶

[发明专利]单晶硅等径拉速设定、调控方法及装置-CN202310425517.4在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;潘辉;岳亚文 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出一种单晶硅等径拉速设定、调控方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：基于单晶硅对应的热量传递参量以及晶体生长程度参量对单晶硅的拉晶历史状态数据进行拉速划分，以根据拉速划分得到的多个拉速数据集，挖掘单晶硅等径拉速过程对应的等径拉速目标曲线，并根据与单晶硅等径拉速相关的特征监测变量和单晶硅等径拉速的对应关系，构建等径拉速预测模型，根据任一目标时刻等径拉速目标曲线的拉速设定值与等径拉速预测模型预测的拉速预测值之间的偏差，对目标时刻单晶硅等径时的拉速进行调控，由此，基于拉速设定值与拉速预测值之间的偏差，实现单晶硅等径拉速的精准控制以及单晶硅等径拉速为代表的时变参量预先、自适应调节。
单晶硅径拉速设定调控方法装置

[发明专利]单晶硅的氧浓度推定方法、单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置-CN202180082624.0在审
发明人：下崎一平;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止单晶硅的氧浓度的两极化来制造相同品质的单晶硅的单晶硅的氧浓度推定方法、单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置。根据本发明的单晶硅的氧浓度推定方法，在对石英坩埚内的硅熔体施加横磁场的同时提拉单晶硅时，测量熔液面高度即间隙(S21)，并根据熔液面高度即间隙的微小变动推定单晶硅的氧浓度(S22～S26)。
单晶硅浓度推定方法制造装置

[发明专利]用于确定拉晶器中硅熔体与反射器之间的距离的非接触式系统及方法-CN202180085611.9在审
发明人： B·M·迈耶;W·L·卢特尔;J·柳 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种测量系统包含界定中心通道及开口的反射器、测量组合件以及控制器。所述测量组合件包含具有通过所述开口可见的头部的运行销、通过所述反射器中的所述开口捕获图像的相机及通过所述开口将相干光传输到所述运行销的所述头部以在硅熔体的表面上产生所述运行销的反射的激光器。所述控制器经编程以控制所述激光器以将来自所述激光器的相干光引导到所述运行销，在将所述相干光引导在所述运行销处的同时通过所述开口控制所述相机捕获图像，及基于所述经捕获图像中的所述运行销的所述反射的位置确定所述硅熔体的所述表面与所述反射器的底面之间的距离。
用于确定拉晶器中硅熔体反射之间距离接触系统方法

[发明专利]单晶炉转肩拉速的控制方法、装置、设备及存储介质-CN202310392351.0在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;李岁寒;童佳妮 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶炉转肩拉速的控制方法、装置、设备及存储介质。其中，该方法包括：获取最优转肩设定直径拟合曲线；其中，最优转肩设定直径拟合曲线表征最优转肩设定直径与转肩设定直径变化率之间的函数关系；基于预先训练的晶体直径预测模型，获取未来时刻的晶体直径预测值和晶体直径变化率预测值；基于最优转肩设定直径拟合曲线、晶体直径预测值和晶体直径变化率预测值，获取未来时刻的最优转肩拉速；响应于确定单晶炉满足转肩工步切换条件，根据最优转肩拉速对单晶炉进行控制。通过本申请的技术方案，可以实现转肩拉速的自适应控制，提高单晶硅转肩的成功率，从而提高生产效率并降低生产成本。
单晶炉转肩拉速控制方法装置设备存储介质

[发明专利]直拉单晶的制备方法以及单晶炉-CN202211103909.0在审
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种直拉单晶的制备方法以及单晶炉，所述直拉单晶的制备方法包括：在熔体和生长中的单晶之间的界面处形成光环，检测装置用于检测所述光环宽度，并根据所述光环宽度确定所述熔体的温度，其中，所述熔体为填充在坩埚中的原料熔融形成的溶液，所述单晶的生长过程包括引晶阶段、放肩阶段、等径阶段、收尾阶段。由此，可更加准确的确定光环宽度，以准确控制熔体温度使其达到单晶生长的预设温度，提高单晶的制备效率，提高工艺的可重复性。
直拉单晶制备方法以及单晶炉

[发明专利]转肩启动方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111621099.3在审
发明人：张伟建;赵阳;王莎莎;郭力;李广砥 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种转肩启动方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中，获取放肩阶段中的特征数据，其中，特征数据包括与转肩阶段完成时的晶体直径相关的运行数据，将特征数据输入直径预测模型，根据特征数据，由直径预测模型生成转肩阶段完成时的预测直径，根据预测直径和目标直径之间的差值，控制转肩阶段启动，以使转肩阶段完成时的晶体直径与目标直径之间的差值小于预设差值，使得转肩阶段完成时的晶体直径能够提前被预测，对转肩阶段的启动进行控制，避免转肩阶段过早或过晚启动，缩短了放肩阶段和转肩阶段的无效时间，从而降低了晶体头部的含氧量，而且避免晶体直径过粗或过细，从而降低了等径的头部阶段的断线率。
启动方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN202180068454.0在审
发明人：川上泰史;酒谷和幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用单晶硅培育装置，通过切克劳斯基法培育单晶硅，该单晶硅培育装置具备：腔室；坩埚；加热部，对容纳于坩埚中的硅熔液进行加热；及提拉部，使籽晶与硅熔液接触之后将其提拉，加热部具备对坩埚的上部进行加热的上加热部和对坩埚的下部进行加热的下加热部，单晶硅的培育具有：掺杂剂添加工序(S4)，向硅熔液中添加挥发性掺杂剂；及提拉工序(S5)，在掺杂剂添加工序(S4)之后提拉单晶硅，在掺杂剂添加工序(S4)中，不在硅熔液的液面上形成固化层，而以下加热部的发热量(Qd)和上加热部的发热量(Qu)成为QdQu的方式对坩埚进行加热。
单晶硅培育方法

[发明专利]直拉晶体生长方法及其设备-CN202310315825.1在审
发明人：冯睿超;赵言 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉晶体生长方法及其设备，所述直拉晶体生长方法包括采用直拉法生长晶体至等径生长的后期，并获取晶体的等径长度、测量直径及工艺信息；提供历史数据库，从历史数据库中获得与晶体相应的模拟直径；比较测量直径与模拟直径的差异是否小于或等于预设差值；若是，以测量直径作为当前直径执行工艺控制；若否，以模拟直径作为当前直径执行工艺控制。本发明中，通过模拟直径结合预设差值使当前直径始终锚定在模拟直径的允许波动范围内并使该当前直径紧跟测量直径波动而变化，因此将该当前直径用于控制晶体等径生长的直径时，可使得晶体直径稳定在模拟直径的波动范围内，防止晶体直径大幅振荡。
晶体生长方法及其设备

[发明专利]线圈、单晶的制造装置用磁铁、单晶的制造装置和单晶的制造方法-CN202211577155.2在审
发明人：山田惇弘;末若良太 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及线圈、单晶的制造装置用磁铁、单晶的制造装置和单晶的制造方法。提出一种单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈，其能够抑制晶体的提拉速度的变动，并能够抑制从所制造的单晶得到的晶片的外周部的氧浓度的降低。本发明的线圈（1）是在通过切克劳斯基法对收容在坩埚中的单晶的原料的熔液施加水平磁场并提拉单晶的单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈。在此，其特征在于，在上部具有凹部（1a）并且为环状。
线圈制造装置磁铁方法

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