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[发明专利]半导体发光器件-CN200910224761.4有效
发明人：朴炯兆 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、第一电极、第二电极层和导电支撑构件。所述多个化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述第一电极形成于所述化合物半导体层下方。所述第二电极层形成于所述化合物半导体层上方。所述第二电极层具有不平坦结构。所述导电支撑构件形成于所述第二电极层上方。
半导体发光器件

[发明专利]一种化合物半导体的腐蚀方法-CN201610757979.6在审
发明人：法比奥·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智 -专利权人：北京代尔夫特电子科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种化合物半导体的腐蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III‑V族化合物半导体；(2)采用高密度等离子体源产生的高密度等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；(3)去除氧化层；(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。所述方法能够快速、精确控制二元和/或多元III‑V族化合物半导体的刻蚀速率和刻蚀深度，表面损伤较低，无残留，且刻蚀表面均一性高，可用于晶体管凹栅和欧姆接触等结构的形成。
一种化合物半导体腐蚀方法

[发明专利]无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法-CN201710148171.2在审
发明人：伊晓燕;刘志强;何志;段瑞飞;黄洋;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面；一N电极，其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上；其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒
衬底 gan led 晶粒及其制备方法

[发明专利]外延结构及其形成方法-CN201310535186.6有效
发明人：陈孟谷;林宏达;蔡邦彦;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的一个实施例是一种方法，该方法包括在衬底上的沟槽中外延生长第一III-V族化合物半导体，且在腔室中实施外延生长。第一III-V族化合物半导体具有包括小平面的第一表面。在外延生长之后，蚀刻第一III-V族化合物半导体的第一表面以形成第一III-V族化合物半导体的改性表面。在腔室中原位实施蚀刻第一表面。在第一III-V族化合物半导体的改性表面上外延生长第二III-V族化合物半导体。可以在MOCVD腔室中实施第一III-V族化合物半导体的外延生长，且可以使用HCl气体进行蚀刻。
外延结构及其形成方法

[发明专利]垂直结构发光二极管结构及其制作方法-CN201180001061.4有效
发明人：林立旻;邵向峰 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制作化合物半导体垂直结构LED的方法。提供第一生长衬底，其上能支持化合物半导体外延生长；在第一生长衬底上形成一层或多层化合物半导体材料外延层如GaN或InGaN；在化合物半导体材料内形成多个沟槽；在一个或多个沟槽内沉积一钝化材料；沉积一坚硬材料至少部分地在沟槽内并有选择性地沉积在化合物半导体上，所述坚硬材料的硬度大于所述化合物半导体材料的硬度；沉积一高导热金属材料在所述化合物半导体材料上，接着平坦化所述金属材料；粘接新的主衬底到所述金属层上，除去第一生长衬底。
垂直结构发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光元件-CN201480062289.8有效
发明人：田才邦彦;仲山英次;中山雄介;冨谷茂隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：提供了一种发光元件，所述发光元件包括层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ₂和第三角度θ₃并且满足以下关系：“θ
发光元件

[发明专利]化合物半导体集成电路制造方法及相关产品-CN202210278638.6在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种化合物半导体集成电路制造方法及相关产品，应用于电路制造系统，用于制造集成有功率放大器和滤波器的化合物半导体集成电路，功率放大器包括基于磷化铟异质结双极晶体管的功率放大器，滤波器包括无源滤波器；方法包括：获取初始晶圆，在初始晶圆上设置外延层、钝化层和金属层，得到第一形态化合物半导体集成电路，针对第一形态化合物半导体集成电路执行预设的正面制造工艺，得到第二形态化合物半导体集成电路，针对第二形态化合物半导体集成电路执行预设的背面制造工艺，得到化合物半导体集成电路；将包括功率放大器、滤波器、低噪放大器等射频前端电路集成到同一芯片上，有利于提高化合物半导体集成电路制造的高效性。
化合物半导体集成电路制造方法相关产品

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器-CN201310657098.3在审
发明人：牧山刚三 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器，该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体基板之上的多个化合物半导体层；第一绝缘膜，覆盖化合物半导体堆结构的表面；以及导电膜，设置在第一绝缘膜的表面上
半导体装置及其制造方法电源高频放大器

[发明专利]发光二极管-CN201580074569.5有效
发明人：青柳秀和;荒木田孝博;河崎孝彦;伊藤胜利;中岛真 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管，其包括：柱状层压结构，在所述柱状层压结构中，层压有第一化合物半导体层21、由化合物半导体形成的发光层23、和第二化合物半导体层的第一部分22A；以及第一电极31，所述第一电极31电连接至所述第一化合物半导体层在所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A上形成所述第二化合物半导体层的第二部分22B，所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B与所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A的边缘部分22a3隔开，至少在所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的顶表面上形成第二电极32，以及至少从所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的所述顶表面22b
发光二极管

[发明专利]用于光敏器件的半导体材料的导带和价带的能带边缘位置的优化方法-CN200680054322.8无效
发明人： M·杜尔;S·罗塞利;G·内尔斯;安田章夫 -专利权人：索尼德国有限责任公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及具有通式A_xB_1-xC_y的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件
用于光敏器件半导体材料价带能带边缘位置优化方法

[发明专利]具有减小电阻的化合物半导体器件-CN96105106.X无效
发明人：今西健治 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1996-04-18 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法包括用MOVPE工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层(14，25)的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层(15，16)的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间不出现第一化合物半导体层的明显生长以及在第一化合物半导体晶层的掺杂表面上用MOVPE工艺沉积第一导电类型的第二化合物半导体层(16，27)。
具有减小电阻化合物半导体器件

[实用新型]一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构-CN201620294355.0有效
发明人：唐冬林;李春江 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构，该化合物半导体结构，包括：衬底，衬底表面形成由研磨棒沿不同方向研磨形成的微凹凸图形结构；化合物半导体薄膜层，化合物半导体薄膜层横向生长在衬底表面的微凹凸图形结构上；GaN薄膜层，GaN薄膜层生长在化合物半导体薄膜层表面，进而使得横向生长在该微凹凸结构上的薄膜阻止底下缺陷向上传递，提高了半导体器件的性能和可靠性。
一种采用研磨制作化合物半导体外延结构

[发明专利]一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法-CN202211646651.9在审
发明人：孙晓娟;贲建伟;黎大兵;张山丽;蒋科;吕顺鹏 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明化合物半导体金属元素量子结构的制备方法，包括：在高热稳定性衬底上依次沉积低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料，高热稳定性化合物半导体薄膜材料；将欲在其上制备目标金属元素量子结构的薄膜覆盖于高热稳定性化合物半导体薄膜上方；在常压和保护性气体的保护下，加热使低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料分解并挥发形成目标金属元素量子结构。本发明的方法可在常压下、不含有该元素的材料上制备相应的金属量子结构，降低了金属元素量子结构制备条件，拓宽化合物半导体中金属元素应用。
一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法

[发明专利]一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用-CN201310397291.8有效
发明人：董桂芳;赵昊岩;邱勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中，将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定；控制所述腔室内的真空度使所述有机半导体化合物的溶液的有机溶剂挥发，则在所述基片上形成所述有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明提供的制备方法，可以均匀制备大面积的有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明的制备方法完全避免了空气中的水氧干扰。本发明的单晶薄膜几乎没有缺陷，从而提供了良好的载流子传输通道，在此基础上制备得到的有机半导体器件拥有良好的光电性能。
一种有机半导体化合物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件-CN201280007853.7无效
发明人：内海诚;加藤祯宏;岩见正之;古川拓也 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。
半导体器件

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