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[发明专利]表面发射激光器、电子装置及表面发射激光器的制造方法-CN202280009903.9在审
发明人： 荒木田孝博;我妻新一;幸田伦太郎;比嘉康贵;前田修;德田耕太 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：提供了一种能够抑制发光效率降低的表面发射激光器。提供了一种表面发射激光器，包括：第一多层膜反射器和第二多层膜反射器；多个活性层，在第一多层膜反射器和第二多层膜反射器之间层压在一起；隧道结，设置在多个活性层之中的在层压方向上彼此相邻的两个活性层之间；以及氧化物限制层，设置在两个相邻活性层中的一个活性层与隧道结之间。该特征能够提供能够抑制发光效率的降低的表面发射激光器。
表面发射激光器电子装置制造方法

[发明专利]表面发射激光器-CN202280010074.6在审
发明人： 荒木田孝博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本技术提供了一种表面发射激光器，利用该表面发射激光器可以降低隧道结处的电压降。本技术提供了一种表面发射激光器，包括：互相层压的第一和第二多层反射镜(102，112)；多个活性层，互相层压在第一多层反射镜(102)与所述第二多层反射镜(112)之间；以及隧道结(107)，布置在多个活性层中在层压方向上彼此相邻的第一活性层和第二活性层(104，110)之间。隧道结(107)包括互相层压的n型半导体层(107b)和p型半导体层(107a)。p型半导体层(107a)包括互相层压的第一p型半导体区和第二p型半导体区(107a1、107a2)。
表面发射激光器

[发明专利]发光器件-CN202180010791.4在审
发明人： 荒木田孝博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：根据本公开的实施方式的发光器件，包括：基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一接触层，层叠在基板的第一表面上；缓冲层，层叠在第一接触层上，缓冲层中的载流子浓度、材料组成、以及组成比例中的至少一种与第一接触层不同；以及半导体堆叠体，隔着第一接触层及缓冲层堆叠在基板的第一表面上，半导体堆叠体具有能够发射激光束的发光区域。
发光器件

[发明专利]发光装置和制造发光装置的方法-CN202080086408.9在审
发明人： 荒木田孝博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的发光装置设置有：半绝缘基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；导电半导体层，堆叠在半绝缘基板的第一表面上；半导体堆叠体，堆叠在半绝缘基板的第一表面上，半导体层在半导体堆叠体与半绝缘基板的第一表面之间，半导体堆叠体具有能够发射激光光束的发光区域，并且具有在半绝缘基板侧上的脊部；掩埋层，设置在半导体堆叠体的脊部周围；以及非连续晶格面，设置在半绝缘基板与半导体堆叠体之间。
发光装置制造方法

[发明专利]发光器件和制造发光器件的方法-CN202080086479.9在审
发明人： 荒木田孝博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的发光器件设置有：半绝缘基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一半导体层，层叠在半绝缘基板的第一表面上并且具有与半绝缘基板非连续的晶格平面，第一半导体层具有第一导电类型；以及半导体层叠体，层叠在半绝缘基板的第一表面上，半导体层介于半绝缘基板与半导体层叠体之间，并且半导体层叠体具有能够发射激光的发光区域。
发光器件制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201580074569.5有效
发明人：青柳秀和;荒木田孝博;河崎孝彦;伊藤胜利;中岛真 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管，其包括：柱状层压结构，在所述柱状层压结构中，层压有第一化合物半导体层21、由化合物半导体形成的发光层23、和第二化合物半导体层的第一部分22A；以及第一电极31，所述第一电极31电连接至所述第一化合物半导体层21；以及第二电极32。在所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A上形成所述第二化合物半导体层的第二部分22B，所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B与所述第二化合物半导体层的所述第一部分22A的边缘部分22a3隔开，至少在所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的顶表面上形成第二电极32，以及至少从所述第二化合物半导体层的所述第二部分22B的所述顶表面22b1和侧表面22b2输出光。
发光二极管

[发明专利]表面发射激光器-CN201980016135.8在审
发明人： 荒木田孝博;木村贵之;吉田雄太 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：根据本公开的实施方式的表面发射激光器包括：活性层；第一DBR层和第二DBR层，将所述活性层夹在中间；以及介电层和反射金属层，当从活性层观察时，其对应于第二DBR层一侧的反射镜的端部。
表面发射激光器

[发明专利]半导体发光装置-CN201110073287.7无效
发明人：前田修;汐先政贵;佐藤进;荒木田孝博;内田史朗 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括允许精确地估算元件温度的温度检测部分。该半导体发光装置包括：在半导体基板上的一个或多个面发射半导体发光部分和一个或多个半导体温度检测部分，该面发射半导体发光部分在半导体基板的法线方向上发光，该半导体温度检测部分不向外发光。该半导体发光部分和该半导体温度检测部分具有在半导体基板的法线方向上的PN结或者PIN结。
半导体发光装置

[发明专利]激光二极管-CN201110082192.1无效
发明人：增井勇志;荒木田孝博;菊地加代子;成瀬晃和;近藤幸一;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小，而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括：柱形台，依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜，包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层，并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状；以及多个金属电极，形成在台的顶面的没有面对未氧化区域的区域中。
激光二极管

[发明专利]校正电路、驱动电路、发光器件和电流脉冲波形的校正方法-CN201110071814.0有效
发明人：前田修;汤胁武志;大尾桂久;兴边孝一;仲埜博文;荒木田孝博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：在此描述了一种驱动电路和驱动电流校正方法。该驱动电路包括输出驱动电流的电流源，以及输出校正电流的校正电路。该校正电路包括第一RC时间常数电路。该电流源的输出端子连接到该校正电路的输出端子。
校正电路驱动发光器件电流脉冲波形方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110069915.4有效
发明人：增井勇志;荒木田孝博;山内义则;菊地加代子;幸田伦太郎;山口典彦;大木智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]面发射半导体激光器及其制造方法-CN201110021124.4无效
发明人：汐先政贵;前田修;荒木田孝博;佐藤进 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：面发射半导体激光器及其制造方法。面发射半导体激光器的制造方法包括如下步骤：形成堆叠结构，该堆叠结构在基板上依次具有包括至少一层下可氧化层的下多层膜反射器、具有发光区域的有源层、包括上可氧化层的上多层膜反射器以及上层；在该上层中提供第一凹槽；以及在该堆叠结构中提供第二凹槽，该第二凹槽包括平面形状与第一凹槽重叠的部分以及与第一凹槽不重叠的部分。
发射半导体激光器及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201010519048.5无效
发明人： 荒木田孝博;内田史朗;汐先政贵;前田修 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。
半导体发光器件

[发明专利]校正电路、驱动电路、发光设备和校正电流脉冲波形的方法-CN201010287682.0无效
发明人：前田修;大尾桂久;兴边孝一;谷口健博;荒木田孝博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：提供了校正电路、驱动电路、发光设备和校正电流脉冲波形的方法。该校正电路可以降低由于波长失谐引起的光输出波形的钝度。该校正电路包括RC时间常数电路。该RC时间常数电路用于校正从电流源输出的电流脉冲的波形，使得表面发射半导体激光器的光输出的脉冲波形近似为矩形，其中所述电流源以脉冲方式驱动所述半导体激光器。
校正电路驱动发光设备电流脉冲波形方法

[发明专利]激光器二极管-CN201010275095.X有效
发明人：增井勇志;幸田伦太郎;大木智之;荒木田孝博;城岸直辉;山内义则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供能够防止电流窄化层剥离的激光器二极管。该激光器二极管包括台部，该台部依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器，并且该台部具有使注入到有源层的电流变窄的电流窄化层和与电流窄化层相邻的缓冲层。电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成。缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成，第二被氧化层的材料和厚度选择为使得其氧化速率大于第一多层膜反射器和第二多层膜反射器的氧化速率，而小于第一被氧化层的氧化速率。缓冲层的厚度为10nm以上。
激光器二极管

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