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[发明专利]化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架-CN200980143008.0有效
发明人：樱井哲朗 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。
化合物半导体制造装置方法以及用型架

[发明专利]化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件-CN200880009299.X有效
发明人：柴田佳彦;宫原真敏 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。
化合物半导体层叠及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯-CN200780014544.1有效
发明人：福永修大;大泽弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2007-04-23 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供驱动电压(Vf)低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件(1)的p型半导体层(14)上层叠含有掺杂物的透光性导电氧化膜(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，具备层叠透光性导电氧化膜
氮化化合物半导体发光元件制造方法

[发明专利]具有化合物半导体与元素半导体的单片式异质集成的结构-CN201280047838.5有效
发明人： J·R·拉罗什;T·E·卡齐奥;W·E·霍克 -专利权人：雷声公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：一种半导体结构，具有化合物半导体（CS）器件，形成于结构的化合物半导体中；和元素半导体器件，形成于结构的元素半导体层中。所述结构包括具有元素半导体器件的层，布置在掩埋氧化物（BOX）层上。选择性蚀刻层布置在BOX层与用于化合物半导体器件的层之间。选择性蚀刻层实现了BOX层的选择性蚀刻，从而实现了对生长在蚀刻窗口中的化合物半导体器件的纵向和横向窗口蚀刻过程的最大程度的控制。
具有化合物半导体元素单片式异质集成结构

[发明专利]有机太阳能电池活性层用墨液、有机太阳能电池以及有机太阳能电池的制造方法-CN201180054894.7无效
发明人：早川明伸;伊藤和志;佐佐木拓 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：第一本发明为一种有机太阳能电池活性层用墨液，其含有有机半导体化合物、无机半导体化合物、有机溶剂以及分散剂，上述分散剂是包含具有芳香环和/或杂环的骨架、和在该骨架的非对称的位置键合的极性基团的化合物，上述分散剂满足以下的(1)LUMO能级低于上述有机半导体化合物的LUMO能级。(2)在上述有机溶剂中的溶解性与上述有机半导体化合物在上述有机溶剂中的溶解性相同或在其以上。(3)HOMO能级高于上述无机半导体化合物的HOMO能级。第二本发明为一种有机太阳能电池，其是具有在有机半导体化合物中存在无机半导体化合物的活性层的太阳能电池，其中，在上述活性层的厚度方向的切割面中，从阴极侧表面至厚度为膜厚的20％的区域内的上述无机半导体化合物的面积比率为
有机太阳能电池活性用墨以及制造方法

[发明专利]一种化合物半导体晶圆的加工工艺-CN202110284168.X在审
发明人：严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种化合物半导体晶圆的加工工艺，包括以下步骤：S1、完成小尺寸化合物半导体基板前段晶体工艺；S2、化合物半导体基板与硅基板永久性键合；S3、制作背面元件工艺；S4、完成背面制程后，将整个化合物半导体基板背面键合至玻璃载板；S5、翻转至正面，利用研磨及蚀刻的工艺将硅基板完全移除，然后制作正面工艺；S6、完成正面工艺后，进行切割工艺；S7、然后解键合将移除玻璃载板去除键合的胶膜或复合膜，完成化合物半导体晶圆的加工。本发明工艺可利用现有的硅基板加工设备进行小尺寸的化合物半导体基板加工，提升生产效率，且小尺寸的化合物半导体可以制作较薄，提升化合物材料晶柱的利用率，大幅降低材料的成本。
一种化合物半导体加工工艺

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法-CN98118311.5无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 1999-04-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。
氮化化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种化合物半导体元件及其制备方法-CN201310366032.9有效
发明人：敦俊儒;林诣超;江振福;郭政煌 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成掺杂区，使半导体在基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件
一种化合物半导体元件及其制备方法

[发明专利]CZTS系化合物半导体和光电转换元件-CN201280063360.5无效
发明人：酒井武信;粟野宏基;前川谅介;上田太郎;高桥诚治 -专利权人：丰田自动车株式会社;一般财团法人日本精细陶瓷中心
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明的主要目的在于提供带隙与现有的CZTS系化合物半导体不同的CZTS系化合物半导体和使用该半导体的光电转换元件。本发明涉及Cu的摩尔数的比例大于在构成Cu₂ZnSnS₄的Cu、Zn和Sn的合计摩尔数中Cu的摩尔数所占的比例的CZTS系化合物半导体，还涉及使用该CZTS系化合物半导体的光电转换元件
czts 化合物半导体光电转换元件

[发明专利]III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板-CN202011621874.0在审
发明人：藤原新也;三好知顕 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：本发明涉及III‑V族化合物半导体基板和带有外延层的III‑V族化合物半导体基板。所述III‑V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子。所述带有外延层的III‑V族化合物半导体基板包含上述III‑V族化合物半导体基板和设置在所述III‑V族化合物半导体基板的主表面上的外延层，并且在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在所述主表面上以10所述III‑V族化合物半导体基板能够减少生长在其主表面上的外延层的缺陷。
iii 化合物半导体带有外延

[发明专利]摄像装置及其制造方法-CN201680041490.7有效
发明人：内田史朗;本庄亮子;渡边知雅;阿部秀司 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，其中：多个受光元件(10)以二维矩阵形状排列；各个受光元件(10)包括第一电极(31)、光电转换层(20)和第二电极(32)；光电转换层(20)具有其中具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)和具有第二导电类型的第二化合物半导体层(22)从第一电极侧层叠的层叠结构，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型；在受光元件(10)与受光元件(10)之间的区域(11)中的第二化合物半导体层被去除；第一电极(31)和第一化合物半导体层(21)由受光元件共享；第一电极附近的第一化合物半导体层(21A)的杂质浓度低于第二化合物半导体层附近的第一化合物半导体层(21B)的杂质浓度。
摄像装置及其制造方法

[发明专利]一种化合物基半导体超薄衬底制作方法-CN201511031287.5在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物基半导体超薄衬底制作方法，1)在化合物基外延材料层中制作完成器件；2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成所需封装器件的隔离台面，刻蚀到3‑10微米深；3)在化合物半导体衬底片正面涂光刻胶；4)在临时衬底片上生长保护介质二氧化硅20纳米；5)将化合物半导体衬底与临时衬底片进行粘附；6)对化合物基半导体衬底片进行快速减薄、慢速减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到20‑30微米；7)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到台面外的外延层全部刻蚀掉；8)采用有机溶剂浸泡的方式去掉粘附剂和光刻胶，得到衬底厚度为3‑10微米的化合物基半导体器件。
一种化合物半导体超薄衬底制作方法

[发明专利]半导体装置-CN200410048976.2无效
发明人：杉原浩平;太田和伸;尾田秀一;林岳 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：在依次层叠硅层1、化合物半导体层2、半导体层3的半导体衬底100上设置元件分离结构10a。元件分离结构10a由沟4、半导体膜5、绝缘膜6、7构成。沟4贯通半导体层3并延伸到化合物半导体层2的内部。半导体膜5设于沟4的表面，绝缘膜6设在半导体膜5上。绝缘膜7设于绝缘膜6上，将沟4充填。由于因沟4而露出的化合物半导体层2和绝缘膜6之间隔着半导体膜5，即使在将半导体膜5热氧化而形成绝缘膜6时，化合物半导体层2也不被直接热氧化。从而，提供了可提高半导体装置的元件分离特性的技术。
半导体装置

[发明专利]半导体发光器件-CN201310314297.4有效
发明人：郑畴溶 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层、导电支撑构件和第一缓冲构件。所述化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述电极层设置在所述多个化合物半导体层下方。所述导电支撑构件设置在所述电极层下方。所述第一缓冲构件嵌入所述导电支撑构件中以间隔开。
半导体发光器件

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510443640.4在审
发明人：林静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成III-V族化合物半导体层；在所述III-V族化合物半导体层上形成介电层；在含氮环境中执行退火工艺，以在所述III-V族化合物半导体层和所述介电层之间形成氮化物钝化层。本发明提出半导体器件的制作方法，可以克服III-V族化合物半导体器件存在悬空键(dangling bond)和界面缺陷陷阱(interface defect trap)较多的问题。进一步地，可形成厚度适当的氮化物钝化层，既可解决服III-V族化合物半导体器件存在悬空键(dangling bond)和界面缺陷陷阱(interface defect trap)较多的问题，又可避免因氮化物钝化层过后造成的其他问题
一种半导体器件及其制作方法电子装置

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