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[发明专利]具有导电部件以控制电气特性的化合物半导体器件-CN202180080932.X在审
发明人： J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉;J·A·佩罗泽克 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：集成电路可以包括具有控制化合物半导体器件的电特性的导电部件的化合物半导体器件。在一个或多个示例中，一个或多个导电部件可定位以相对于源极电接触或漏极电接触增加电子浓度。化合物半导体器件可以包括多个化合物半导体层，这些化合物半导体层包括具有至少一种13族元素和至少一种15族元素的一种或多种材料。
具有导电部件控制电气特性化合物半导体器件

[发明专利]通过层转移在反向极化衬底上的高电子迁移率晶体管制造工艺-CN201480078732.0有效
发明人： K·俊;S·达斯古普塔;A·X·利万德;P·莫罗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种方法包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，阻挡层布置在极性化合物半导体层与载体衬底之间；将牺牲衬底从复合结构分离以暴露出极性化合物半导体层一种装置包括：在衬底上的阻挡层；在阻挡层上的晶体管器件；以及布置在阻挡层与晶体管器件之间的极性化合物半导体层，极性化合物半导体层包括其中的二维电子气。
通过转移反向极化衬底电子迁移率晶体管制造工艺

[发明专利]化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法-CN201910703731.5有效
发明人：代京京;王智勇;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。
化合物半导体薄膜转移方法 gaas oi 复合制备

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN200710305145.2无效
发明人：渡部义昭;日野智公;冈野展贤;仓持尚叔;菊地雄一郎;大桥达男 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。
发光装置及其制造方法

[发明专利]层叠体、层叠体的制造方法及半导体基板的制造方法-CN202180023315.6在审
发明人：久保慧辅 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的、能够通过具备良好的成膜性的方法制造且能够使杂质扩散成分良好地扩散的层叠体、该层叠体的制造方法及使用了该层叠体的半导体基板的制造方法。该层叠体是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体，包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，且胺化合物层与被扩散半导体基板的一个主面相接，杂质扩散成分层与胺化合物层的不与被扩散半导体基板相接的主面相接，胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，该胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的氮原子中的至少1个构成氨基，该胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与主面键合
层叠制造方法半导体

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201110342603.6有效
发明人：尾崎史朗;中村哲一;多木俊裕;金村雅仁 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200480002108.9无效
发明人：长谷川义晃;横川俊哉;山田笃志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法-CN200980138926.4无效
发明人：秦雅彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-10-01 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供依序具有半导底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板。其是在Si结晶层上设有阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层，而阻挡层具有贯通到Si结晶层为止的开口，在开口内部具有种晶，而化合物半导体是与种晶晶格匹配或准晶格匹配的半导体基板。本发明还提供电子器件，具有基体、设置在基体上的绝缘层、设置在绝缘层上的Si结晶层、设置在Si结晶层上的阻挡层，用于阻挡化合物半导体的结晶生长；且具有贯通Si结晶层为止的开口的阻挡层、设置在开口内部的种晶、晶格匹配或准晶格匹配于种晶的化合物半导体以及化合物半导体形成的半导体器件。
半导体电子器件以及制造方法

[发明专利]半导体激光器-CN202080060221.1在审
发明人：中村考宏;黑田隆之助;秋山英文;金昌秀;伊藤隆;中前秀一 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对光谐振器注入激励能量，其中，发光层具有5个周期以上的多量子阱结构，半导体激光器以比光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。
半导体激光器

[发明专利]发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器-CN200710186807.9无效
发明人：大前晓;冨谷茂隆;前田勇树;盐见治典;网隆明;宫嶋孝夫;簗嶋克典;丹下贵志;安田淳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-05-16 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
发光二极管及其制造方法集成以及显示器

[发明专利]发光二极管、集成发光二极管、其制法、生长方法、光源单元装置、背光装置、显示器和电子器件-CN200610099847.5无效
发明人：大前晓;富谷茂隆;前田勇树;盐见治典;网隆明;宫嶋孝夫;簗嶋克典;丹下贵志;安田淳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-05-16 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
发光二极管集成制法生长方法光源单元装置背光显示器电子器件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201410379682.1有效
发明人：滨口达史;仓本大;前田勇树;风田川统之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极
发光元件及其制造方法

[发明专利]保护半导体鳍不受侵蚀的结构及其制造方法-CN201310545981.3有效
发明人： A.卡基菲鲁兹;T.N.亚当;程慷果;S.庞诺思;A.雷兹尼塞克;R.斯里尼瓦桑;蔡秀雨;谢瑞龙 -专利权人：国际商业机器公司;格罗方德股份有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
保护半导体不受侵蚀结构及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201780066313.9有效
发明人：佐藤进;滨口达史;泉将一郎;风田川统之;伊藤仁道;御友重吾;中岛博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
发光元件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体单晶基板及其制造方法-CN201280007003.7无效
发明人：藤原新也;藤永利裕;杉本胜俊 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种可低成本地由使用水平舟法形成的晶锭获得足够薄的化合物半导体基板的化合物半导体单晶基板的制造方法及该化合物半导体单晶基板。化合物半导体单晶基板的制造方法具有以下步骤：准备由化合物半导体构成的单晶晶锭(1)的步骤，该化合物半导体使用水平舟法在(111)方向上形成；由夹具固定该晶锭(1)的步骤；以及对由夹具固定的晶锭(1)，使用线锯以
化合物半导体单晶基板及其制造方法