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[发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN200810135184.7有效
发明人：仓本大;仲山英次;大泉善嗣;藤本强 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III-V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III-V族化合物半导体层。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]接合结构体-CN201280015910.6无效
发明人：中村太一;北浦秀敏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种接合结构体，其具备：基板的电极；半导体元件的电极；和将基板的电极与半导体元件的电极之间接合的接合层，接合层从基板的电极朝向半导体元件的电极依次配置有：包含CuSn系的金属间化合物的第一金属间化合物层；Bi层；包含CuSn系的金属间化合物的第二金属间化合物层；Cu层；和包含CuSn系的金属间化合物的第三金属间化合物层。
接合结构

[发明专利]化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法-CN200710084402.4无效
发明人：西浦隆幸;冲田恭子;堀江裕介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：提供了一种化合物半导体衬底的表面处理方法，一种化合物半导体的制造方法，一种化合物半导体衬底以及一种半导体晶片，涉及通过减小在由化合物半导体所形成的衬底的表面处的杂质浓度，来减小形成在衬底上的层处的杂质浓度该化合物半导体衬底表面处理方法包括衬底制备步骤(S10)以及第一清洗步骤(S20)。衬底制备步骤(S10)包括制备由包含至少5质量％的铟的化合物半导体所形成的衬底的步骤。
化合物半导体衬底表面处理方法制造

[发明专利]原子层沉积方法以及形成的半导体器件-CN200710042463.4有效
发明人：季华;季明华;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向原子层沉积室；参考形成离散的化合物第一单层的工艺在半导体衬底上形成离散的第二化合物单层。所述方法在半导体衬底上形成离散的第一化合物单层和第二化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为包含采用原子沉积方法形成的离散的第一化合物单层和第二化合物单层的介电层。
原子沉积方法以及形成半导体器件

[发明专利]光电转换装置-CN201210080386.2有效
发明人：浅见良信;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：在一对电极之间层叠具有p型导电型的第一半导体层、具有p型导电型的第二半导体层以及具有n型导电型的第三半导体层，来形成具有pn结的光电转换装置。第一半导体层为化合物半导体层，第二半导体层使用有机化合物及无机化合物形成，作为该有机化合物使用空穴传输性高的材料，并且作为该无机化合物使用具有电子接受性的过渡金属氧化物。
光电转换装置

[发明专利]一种混合沟道化合物半导体器件-CN201810631911.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：夏令
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种混合沟道化合物半导体器件，其中器件的凹槽状栅电极通过控制垂直和横向两种电子沟道，实现常闭型化合物半导体器件。本器件避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功率电子中的高效率、耐高压的优势。
化合物半导体器件化合物半导体晶体管电子沟道功率电子功率模块混合沟道凹槽状常闭型常开型高效率耐高压栅电极短路垂直安全

[发明专利]一种混合沟道化合物半导体器件-CN202310371331.5在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：顶诺微电子（无锡）有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种混合沟道化合物半导体器件，其中器件的凹槽状栅电极通过控制垂直和横向两种电子沟道，实现常闭型化合物半导体器件。本器件避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功率电子中的高效率、耐高压的优势。
一种混合沟道化合物半导体器件

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310445627.3有效
发明人：美浓浦优一;渡边芳孝 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体分层结构；形成在化合物半导体分层结构之上的栅电极；覆盖化合物半导体分层结构的表面并且由氮化硅作为材料制成的第一保护绝缘膜；在第一保护绝缘膜上覆盖栅电极并且由氧化硅作为材料制成的第二保护绝缘膜
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210269621.0有效
发明人：冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201110452379.6有效
发明人：今田忠纮;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备-CN200410002996.6有效
发明人：中村淳一;佐佐木和明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III－V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III－V族化合物半导体层；在第一III－V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的
化合物半导体发光元件制造方法相生设备

[发明专利]用于HEMT器件的等离子体保护二极管-CN201310007113.X有效
发明人：黄敬源;许竣为;游承儒;姚福伟;余俊磊;杨富智;陈柏智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。
用于 hemt 器件等离子体保护二极管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910680538.4在审
发明人：陈志谚 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，包括一基板及一第一III‑V族化合物层，第一III‑V族化合物层设置于基板上。第一III‑V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一棱镜面。半导体装置更包括一第二III‑V族化合物层，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。半导体装置包括一源极电极、一漏极电极及一栅极电极，其设置于第二III‑V族化合物层上。源极电极与漏极电极在第一III‑V族化合物层界定一沟道区，沟道区中具有多个载流子沟道。棱镜面的法线方向定义一m轴，且每个载流子沟道平行于m轴。本发明的半导体装置能有效降低半导体装置的导通电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200810213770.9有效
发明人： T·巴尔维奇;D·K·萨达那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种包含单晶IV族半导体的半导体衬底。在半导体层的一部分上外延生长单晶晶格失配的IV族半导体合金层，同时掩蔽所述半导体层的另一部分。调整所述晶格失配的IV族半导体合金层的顶部部分的成分以基本上匹配所述单晶化合物半导体层的晶格常数，随后在所述单晶晶格失配的IV族半导体合金层上外延生长所述单晶化合物半导体层。这样，就在相同的半导体衬底上提供了具有所述IV族半导体层和所述单晶化合物半导体层的结构。IV族半导体器件例如硅器件以及化合物半导体器件例如具有激光发射能力的GaAs器件，都可以形成在所述半导体衬底的相同的光刻层上。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种化合物半导体材料多晶合成的装置-CN200320129499.3无效
发明人：赖占平;高瑞良;齐得格;周春锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2003-12-22 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： C30B28/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种工艺装置较为简单、适于工业化生产的化合物半导体材料多晶合成装置，利用该装置进行合成时无需液封层，可克服现有装置的不足，生产满足化合物半导体单晶材料生长要求的化合物半导体材料多晶。
一种化合物半导体材料多晶合成装置