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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件-CN201911373209.1在审
发明人：陈孟扬;李荣仁 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含多种元素，且各多种元素中原子半径最大者的原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体化合物具有第二晶格常数，且第一添加物具有第二原子半径。第二晶格常数大于第一晶格常数，且第二原子半径大于第一原子半径。
半导体元件

[发明专利]制造具有镓基化合物半导体层的半导体器件的方法-CN202210121575.3在审
发明人：山田哲也 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：在镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)中形成对准标记(30)；并且在所述对准标记(30)的形成之后，在所述镓基化合物半导体层(10)的元件区域(10B)中形成元件结构所述对准标记(30)的形成还包括：将金属离子注入到所述镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)的表面层部分的一部分中；和对所述镓基化合物半导体层(10)进行退火。
制造具有化合物半导体半导体器件方法

[发明专利]氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法-CN200680046658.X有效
发明人：篠原裕直;大泽弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。
氮化化合物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法-CN200680046768.6有效
发明人：福永修大;篠原裕直;大泽弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
氮化化合物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]铁磁性Ⅳ族系半导体、铁磁性Ⅲ －Ⅴ族系化合物半导体或铁磁性Ⅱ －Ⅵ族系化合物半导体 ,及此等半导体的铁磁性的调整方法-CN03813072.6无效
发明人：吉田博;荒木和也;佐藤和则 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01F10/193 文献下载
摘要：采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属
铁磁性半导体化合物调整方法

[发明专利]III-V族化合物半导体纳米线、场效应晶体管以及开关元件-CN201480059610.7有效
发明人：福井孝志;富冈克广 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及能够在III‑V族化合物半导体MOSFET(FET)中使用的III‑V族化合物半导体纳米线，该III‑V族化合物半导体MOSFET(FET)能够以较小的亚阈值(小于等于100mV/dec)动作III‑V族化合物半导体纳米线的侧面是由微小的(111)面构成的(‑110)面。例如，III‑V族化合物半导体纳米线具有第一层以及第二层，所述第一层的侧面为(111)A面，所述第二层的侧面为(111)B面。所述第一层以及所述第二层沿轴方向交替层叠。
iii 化合物半导体纳米场效应晶体管以及开关元件

[发明专利]常关闭型化合物半导体隧道晶体管-CN201310063593.1有效
发明人： G.库拉托拉;O.赫贝伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及常关闭型化合物半导体隧道晶体管。本文公开了常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管的实施例，常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管在室温下具有高于100mA每mm栅极长度的驱动电流和低于60mV每十倍的亚阈值斜率，并且公开了制造此类常关闭型化合物半导体隧道晶体管的方法化合物半导体隧道场效应晶体管是快速切换的且能够用于高电压应用，例如30V直至600V以及更高。
关闭化合物半导体隧道晶体管

[发明专利]常关闭型化合物半导体隧道晶体管-CN201510787836.5有效
发明人： G.库拉托拉;O.赫贝伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及常关闭型化合物半导体隧道晶体管。本文公开了常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管的实施例，常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管在室温下具有高于100mA每mm栅极长度的驱动电流和低于60 mV每十倍的亚阈值斜率，并且公开了制造此类常关闭型化合物半导体隧道晶体管的方法化合物半导体隧道场效应晶体管是快速切换的且能够用于高电压应用，例如30V直至600V以及更高。
关闭化合物半导体隧道晶体管

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210316979.4有效
发明人：今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区域具有与第一区域相比更低浓度的载流子
化合物半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种化合物半导体器件的金属结构-CN201720772654.5有效
发明人：吕前宏;茆同海 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化合物半导体器件的金属结构，所述金属结构设于化合物半导体基底之上，包括下金属层、阻挡层以及上金属层，其中所述下金属层与所述化合物半导体基底接触，所述阻挡层覆盖所述下金属层的顶面和侧面并延伸至覆盖所述下金属层周边的所述化合物半导体基底表面本实用新型的金属结构有效避免了上金属层从边缘扩散进入化合物半导体基底而导致的漏电问题，提高了器件的可靠度。
一种化合物半导体器件金属结构

[发明专利]发光装置以及发光装置的制造方法-CN201080026000.9无效
发明人：秦雅彦;佐泽洋幸;山中贞则 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。
发光装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器-CN201310698719.2有效
发明人：牧山刚三 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域
半导体装置及其制造方法电源高频放大器

[发明专利]半导体发光器件-CN200910261151.1有效
发明人：沈相均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层、以及具有包括蓝宝石材料的粗糙结构的多个化合物半导体层的层。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光器件-CN200910226111.3有效
发明人：裴贞赫 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述化合物半导体层上的点式导电层；和所述点式导电层上的电极层。
半导体发光器件

[发明专利]光电转换元件、具有蓄放电功能的光电转换元件以及二次电池-CN201480020450.5在审
发明人：汤村真一郎 -专利权人： SELMO日本娱乐公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L31/053 文献下载
摘要：转换效率高的光电转换元件以及具有蓄放电功能的光电转换元件以及可适用该元件的二次电池；本发明的具有蓄放电能力的光电转换元件具备以下构成：具有与输出电极的负极连接的由导电性金属构成的基板层，与该基板层的一面接合形成的集电极，与该集电极连接形成的由含有富勒烯类的电介质组合物构成的n型化合物半导体层，与该n型化合物半导体层接触形成的p型化合物半导体层，形成于该n型化合物半导体层以及p型化合物半导体层之间、与该n型化合物半导体层以及p型化合物半导体层间歇地接触的pn体层，并且在该基板层的另一面上配置有二次电池
光电转换元件具有放电功能以及二次电池

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