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[发明专利]一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法-CN200810029426.4无效
发明人：郭志友;曾坤;赵华雄;高小奇;孙慧卿;范广涵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底和衬底上的缓冲层；包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层；包括在缓冲层之上的第二高掺杂n型层，第一高掺杂n型层与第二高掺杂n型层不相连；包括与第二高掺杂n型层欧姆接触的源电极、与p型层欧姆接触的漏电极；其特征在于缓冲层与第一高掺杂n型层、第二高掺杂n型层之间还包括低掺杂n型层，在衬底和缓冲层中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO
一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法

[实用新型]一种单向低压TVS器件-CN201620137605.X有效
发明人：张超;王成森;姜瑞;王志超 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单向低压TVS器件，包括N型硅片，N型硅片中设有P₁掺杂区和P₂掺杂区，P₁掺杂区中设有N₁⁺掺杂区，P₂掺杂区中设有N₂⁺掺杂区，位于P₂掺杂区远离P₁掺杂区一侧的N型硅片中设有N₃⁺掺杂区；N型硅片的正面设有氧化层，氧化层的上表面设有上金属化电极和互连金属层；N型硅片的背面依次设有N⁺掺杂区和下金属化电极本实用新型内置两个倒置的三极管，利用三极管集电极‑发射极击穿原理，通过设置合理的放大倍数达到击穿电压低、漏电低的目的，避免了传统TVS器件由于高浓度结在低击穿电压时齐纳击穿导致的高漏电问题，且制造方法简单易行
一种单向低压 tvs 器件

[实用新型]半导体器件-CN202122471099.1有效
发明人：唐晓琦;刘伟;王羽;高杰;孙梦;金明;王志勇 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层，具有相对的第一表面与第二表面，半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区，第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧，第一源区位于第一阱区中并暴露于第一表面，第一漏区位于第二阱区中并暴露于第二表面；呈柱状的栅极结构，沿第一表面至第二表面的方向依次贯穿第一阱区、第一掺杂区、第二阱区，栅极结构分别与第一源区、第一漏区邻接，第一阱区和第二阱区的掺杂类型为第一掺杂类型，第一掺杂区、第一源区、第一漏区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。该半导体器件在具有低电容和低栅沟道导通电阻的同时还能提高导通速度并降低开关损耗。
半导体器件

[发明专利]一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置-CN01136694.X有效
发明人：屠海令;秦福;周旗钢;张果虎;方锋;吴志强;戴小林 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及生产硅单晶棒的掺杂方法及设备，是一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂的方法及装置，用于直拉硅单晶的掺杂。将待掺杂的元素置于掺杂装置的内筒中，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降到多晶硅熔体的液面上，在石英坩埚的旋转下，使被掺杂的元素挥发完全，使石英坩埚继续旋转所需时间，安装上特定晶向的籽晶进行单晶硅棒的拉制应用本发明的气相掺杂法解决了已有技术中掺杂效率低的技术问题。提高了掺杂效率，减少了回熔次数；本发明的掺杂装置由钟罩、吊钩、内筒所组成，使得本发明的掺杂方法得以实现。
一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置

[发明专利]一种具有半超结结构的快恢复二极管-CN202211106567.8在审
发明人：周新田;吴岳峰;张蕾;贾云鹏;吴郁;胡冬青;刘峰;刘洋 -专利权人：北京工业大学;阜新嘉隆电子有限公司
申请日： 2022-09-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所述第三外延层采用低掺杂本发明所述的结构可以有效降低反向击穿电压对对P型注入区掺杂浓度的敏感性，从而扩大了P型注入区的工艺窗口，同时增大了器件的反向击穿电压。
一种具有半超结结构恢复二极管

[发明专利]一种高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料的制备方法-CN201310281968.1有效
发明人：付宏刚;孙立;田春贵;杨颖;阚侃;历美彤;尹婕;田国辉;陈亚杰 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料的制备方法，本发明涉及碳材料的制备方法。本发明要解决现有技术制备氮掺杂石墨化纳米碳材料存在比表面积小、含氮量低、产率低、石墨化程度差和成本高的问题。本发明制备的高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料与现有的氮掺杂石墨化纳米碳纳米材料相比，石墨化程度提高、氮含量增加、比表面积显著增大，且具有明显的孔径分布。本发明用于制备高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料。
一种表面积多孔掺杂石墨纳米材料制备方法

[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管-CN202210104845.X在审
发明人： J·科瓦尔斯基;R·博贾尼;V·杜德克 -专利权人： 3-5电力电子有限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种包括或由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管，其具有高n掺杂的阴极层、高p掺杂的阳极层和布置在阴极层和阳极层之间的漂移区，所述漂移区具有最高为8·1015cm‑3的掺杂剂浓度，漂移区具有低n掺杂的漂移层以及布置在n掺杂的漂移层和阳极层之间的低p掺杂的漂移层，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚，阴极层具有带有至少为1·1017cm‑3的掺杂剂浓度的第一区段以及布置在所述第一区段和所述漂移区之间的第二区段，所述第二区段具有至少1μm的层厚和在所述第一区段的方向上直至掺杂剂浓度最大值为止地增加的掺杂剂浓度变化过程，并且所述掺杂剂浓度最大值小于或等于所述第一区段的掺杂剂浓度。
堆叠 iii 半导体二极管

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310303200.X无效
发明人：周明杰;黄辉;冯小明;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由依次层叠的酞菁类金属化合物层、三元掺杂层和低功函数金属掺杂层组成本发明的有机电致发光器件，其阴极复合层包括较易结晶的酞菁类金属化合物层、由钠盐、铼氧化物以及钝化材料组成的三元掺杂层以及由金属硫化物与低功函数金属组成的低功函数金属掺杂层，可提高有机电致发光器件的出光效率
有机电致发光器件及其制备方法

[其他]气载掺杂剂掺杂非晶硅方法-CN85100512无效
发明人：吴宗炎;沈月华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-08-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于非晶硅的掺杂方法，现有的用于非晶硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷、砷烷三种，不仅种类少而且毒性极大，纯化困难，制备出的材料缺陷态高，本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅方法，是用周期表中Ⅲ-Ⅴ族元素的单质或化合物为掺杂剂，以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过经加热汽化掺杂剂与SiH4混合，在反应室内反应而生成掺杂非晶硅，具有毒性小，掺杂材料缺陷态密度低，光电导增加等优点。
掺杂非晶硅方法

[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法-CN201310214672.8有效
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长铝酸锶钽镧衬底掺杂 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]气载掺杂剂掺杂非晶硅方法-CN85100512.8无效
发明人：吴宗炎;沈月华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1990-04-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于非晶硅的掺杂方法，现有的用于非晶硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷、砷烷三种，不仅种类少而且毒性极大，纯化困难，制备出的材料缺陷态高，本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅方法，是用周期表中III-V族元素的单质或化合物为掺杂剂，以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过经加热汽化掺杂剂与SiH4混合，在反应室内反应而生成掺杂非晶硅，具有毒性小，掺杂材料缺陷态密度低，光电导增加等优点。
掺杂非晶硅方法

[发明专利]一种MOS晶圆结构及其制备方法-CN202211509122.4在审
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种MOS晶圆结构及其制备方法，包括Substrate、Insulating、Gate、Source、Drain、硅掺杂结构、低掺杂结构、第一侧墙以及第二侧墙，所述Insulating所述第一侧墙由叠层一与叠层二组成，环绕设置于所述Gate的外表面；所述第二侧墙由叠层三与叠层四组成，环绕设置于所述第一侧墙的外表面；所述Source和Drain，分别设置于所述源区以及所述漏区中；所述硅掺杂结构设置于所述源区以及漏区中；所述低掺杂结构设置于所述源区以及所述漏区中，所述硅掺杂结构位于所述低掺杂结构中。
一种 mos 结构及其制备方法

[发明专利]MOS晶体管的制作方法-CN200910054094.X有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管的制作方法，包括：对第一介质层和多晶硅层进行第一刻蚀，形成辅助硬掩膜层；对辅助硬掩膜层中的多晶硅层进行氧化，形成第一氧化层；进行第一注入，形成重掺杂源/漏极；去除第一氧化层；刻蚀辅助硬掩膜层，形成多晶硅栅电极和栅介质层；对多晶硅栅电极进行第二氧化，形成第二氧化层；在半导体衬底上、多晶硅栅电极两侧形成第一侧墙；进行第二注入，形成低掺杂源/漏极；形成第二介质层；进行退火。本发明通过调整MOS晶体管的工艺，先形成重掺杂源/漏极，再形成低掺杂源/漏极，且重掺杂源/漏极和低掺杂源/漏极仅经历一次退火，不会由于经过过长时间的退火引起扩散面积过大，有利于形成超浅结。
mos 晶体管制作方法

[发明专利]一种改善体二极管特性的超结器件-CN202210370739.6有效
发明人：杨国江;于世珩 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种改善体二极管特性的超结器件，由下至上具有：金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体缓冲层及低掺杂第一导电类型半导体缓冲层，第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结结构，第二导电类型半导体柱向下延伸至低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中且被高掺杂第一导电类型半导体阻挡层所包围，高掺杂第一导电类型半导体阻挡层也位于低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中。
一种改善二极管特性器件

[发明专利]多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法-CN201510071527.8有效
发明人：王明华;王伟;樊晓华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。
多层隧穿结三维场效应晶体管制备方法