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[发明专利]用于制备高镍正极材料的方法以及可由该方法得到的高镍正极材料-CN201710729962.4有效
发明人：吴奇;何金华 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：所述方法包括(i)用含硼化合物掺杂基体，从而得到经硼掺杂的基体；以及(ii)对所述经硼掺杂的基体如下进行包覆：用含硼化合物的水溶液在大于10℃的温度下洗涤包覆所述掺杂有硼的基体，接着进行热处理，从而形成所述高镍正极材料所得到的高镍正极材料具有非常低的表面残锂量、低pH以及优异的稳定性，并且可以改善锂离子电池的容量、循环、安全和储存性能。
用于制备正极材料方法以及得到

[发明专利]P型硅单晶以及其制造方法-CN201210391297.X有效
发明人：中居克彦 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：解决方法：制造p型硅单晶1的方法，包括以下步骤：制备硅熔体7，所述硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比第一副掺杂物低的第二副掺杂物。
型硅单晶及其制造方法

[发明专利]高电压静电放电防护装置及其制作方法-CN200610101383.7有效
发明人：余定政;郑道;邱兆志 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2006-07-18 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该PNP型晶体管为相邻的重掺杂的P型半导体区(P+)、轻掺杂的N型半导体区(N－)与P型基板(P－sub)结构；该二极管为低掺杂浓度的N型半导体区与低掺杂浓度的P型半导体区相邻的结构。
电压静电放电防护装置及其制作方法

[发明专利]一种氟和氮掺杂空心碳气凝胶载硫复合材料作为锂硫电池正极的制备方法-CN202210302593.1在审
发明人：唐爱东;张士林;董雄波;杨华明 -专利权人：中南大学;中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种氟和氮掺杂空心碳气凝胶载硫复合材料作为锂硫电池正极的制备方法，包括如下步骤：先将黏土、碳源及氮源按比例进行氮掺杂碳层的包覆；利用氟源进行低温氟掺杂与去模板得到氟和氮掺杂空心碳气凝胶；将氟和氮掺杂空心碳气凝胶进行载硫，得到氟和氮掺杂空心碳气凝胶载硫复合材料；本发明的氟和氮掺杂空心碳气凝胶的内部管腔连通，降低了锂离子在空心单元间的扩散势垒，缩短了扩散距离，氟和氮掺杂尤其是引入的碳氟离子键显著抑制了穿梭效应，这些特点提升了硫的转化动力学以及利用率；可满足目前锂硫电池的商业化发展要求的高载硫密度和低电解液使用量，且原料来源于廉价的天然黏土矿物，成本低，工艺简便，利于锂硫电池的产业化。
一种掺杂空心凝胶复合材料作为电池正极制备方法

[发明专利]一种太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺-CN201510073842.4有效
发明人：周励贵;袁秀娟;周治贵 -专利权人：苏州徕士达新材料科技有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺，包括以下步骤一、将硼掺杂剂或磷掺杂剂涂膜至太阳能硅片表面，烤干并放入石英舟上；二、将石英舟放入设置温度在400‑800℃扩散炉的推进浆中间，并以0.5‑1.5米/交叉低硼掺杂或无磷交叉掺杂，可共扩散一步形成复杂设计结构，工艺减化，在同样条件下取得相同掺杂性能，并能取得更好的掺杂表面均一性和调整掺杂深度，提高效率，无需阻挡层进行边缘隔离和边缘切割步骤，降低环境污染
一种太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412278.X有效
发明人：胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;肖柯 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412276.0有效
发明人：胡海帆;秦秀波;刘鹏浩;赵宏鸣;李志垚;马喆;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种绝缘栅半导体器件及其制备方法-CN202110649855.7在审
发明人：杨绍明;严学田;方建强 -专利权人：上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种绝缘栅半导体器件，自下到上依次包括集电极层、衬底层、N+型缓冲层、N‑型第一漂移层、N型磊晶层、P型掺杂层、位于P型掺杂层两侧的P+型掺杂层、位于P+型掺杂层内部的N+型掺杂层、贯穿N+型掺杂层、掺杂层并伸入第二漂移层的沟槽、位于沟槽侧壁以及底部的第一绝缘隔离层、位于沟槽之上的第二绝缘隔离层、位于第二绝缘隔离层两侧的发射极层，所述发射极层的高度小于第二绝缘隔离层的高度，所述P型掺杂层的侧向掺杂浓度呈梯度性变化。本技术方案中发明人通过优化沟槽型半导体的结构，可以降低发射极与集电极之间电容，的导通电压，使半导体模块具有低导通电压、低功率损耗和高耐击穿电压的优异性能。
一种绝缘半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种铝合金表面耐腐蚀自组装掺杂膜层及其制备方法-CN201510085937.8在审
发明人：温玉清;郭荣;蒙术定;尚伟;王旭峰 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2015-02-22 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金表面耐腐蚀自组装掺杂膜层及其制备方法。该耐腐蚀自组装掺杂膜层由自组装膜和微粒构成。首先，对铝合金基体进行打磨、水洗、除油等预处理，然后，配置自组装掺杂溶液，对预处理后的铝合金进行自组装成膜，取出烘干固化后即制得铝合金表面耐腐蚀自组装掺杂膜层。本发明成本低，制备工艺简单，成膜时间短，所制备的自组装掺杂膜具有高阻抗、低腐蚀电流密度，膜层表面均匀平整，在铝合金基体上结合力好，能很好的提高铝合金表面防腐蚀能力，且对环境和设备不造成污染。
一种铝合金表面腐蚀组装掺杂及其制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[发明专利]一种低变形率石英坩埚及其制备方法-CN201911089440.8有效
发明人：徐晓军;周泽;徐强;谷守伟;高润飞;王林;王永青;何文兵 -专利权人：江阴龙源石英制品有限公司;内蒙古中环光伏材料有限公司;内蒙古欧晶科技股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低变形率石英坩埚，所述石英坩埚采用的高纯石英砂是含有以下掺杂元素的二氧化硅材料，单位ppm；Al 13，B＜0.10，Ca 0.5，Co＜0.01，Cr＜0.01，Cu 0.03，Fe0.2，K 0.4，Li 0.6，Mg 0.02，Na 0.7，Ni＜0.01，Ti 1.3，Mn 0.02；所述高纯石英砂在上述组成的基础上进行铝元素、钡元素或铂元素的进一步掺杂；所述铝元素的掺杂量为5‑20ppm；所述钡元素的掺杂量为10‑50ppm；所述铂元素的掺杂量为5‑60ppm。本发明石英砂锅变形率低，具有良好的耐温度冲击和较好的抗析晶特性。
一种变形石英坩埚及其制备方法

[发明专利]低电阻率重掺砷硅单晶生产方法-CN202110882455.0有效
发明人：周文辉;王忠保;闫龙 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。方法包括化料、高温处理、一次安定、一次籽晶试温、降温、砷掺杂、二次安定、二次籽晶试温、引晶、放肩、等径、收尾步骤，其中，降温过程中，使硅熔液液面温度相比引晶温度降低20℃～50℃，砷掺杂过程中，设定单晶炉炉压为实践表明，采用该方法能够有效降低得到的低电阻率重掺砷硅单晶晶棒的电阻率，砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约7.4%，降低重掺砷硅单晶晶棒发生晶变的概率。
电阻率重掺砷硅单晶生产方法

[发明专利]水热法制备氮掺杂石墨烯材料的方法-CN201110033478.0无效
发明人：付宏刚;孙立;王蕾;田春贵;穆光;田国辉 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：水热法制备氮掺杂石墨烯材料的方法，本发明涉及一种氮掺杂石墨烯材料的制备方法。本发明要解决现有氮掺杂石墨烯材料制备方法存在的氮含量较低、氮含量不易控制、生产成本高、反应所需设备复杂、反应条件苛刻、产量低、难以工业化生产等技术问题。本发明的方法如下：一、将氧化石墨溶于某种溶剂中，加入表面活性剂混合均匀；二、加入含氮化合物，混合均匀；三、水热反应后，再经过洗涤、烘干；即得到氮掺杂石墨烯材料。本发明制备的氮掺杂石墨烯材料的氮含量较高、氮含量可控、生产成本低、所需设备简单，产量高、易于实现工业化生产。
法制掺杂石墨材料方法

[发明专利]光电子半导体芯片以及基于AlGaN的中间层的应用-CN201080060178.5有效
发明人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;尼古劳斯·格迈因维泽;泷哲也;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体层序列(1)包含p掺杂的层序列(2)，n掺杂的层序列(4)，和位于p掺杂的层序列(2)与n掺杂的层序列(4)之间的有源区(3)。中间层(5)与n掺杂的层序列(4)位于有源区(3)同一侧，并且对于粘度低的流体具有比半导体层序列(1)的与中间层(5)邻接的区域的化学品比透过率低的化学品比透过率。
光电子半导体芯片以及基于 algan 中间层应用

[发明专利]电压开关电路-CN201110329202.7有效
发明人：柏正豪;沈俊吉 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种电压开关电路，该电压开关电路中利用低掺杂(Lightly Doped)PMOS晶体管来承受高电压应力，使得NMOS晶体管不会承受高电压应力，由于而低掺杂PMOS晶体管兼容于逻辑电路制程，因此电压开关电路可在逻辑电路制程下来完成
电压开关电路