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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高臭氧催化活性金刚石电极及其制备方法和应用-CN202011434980.8有效
发明人：杨扬;李东;唐永炳 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C25B11/031 文献下载
摘要：本发明公开了一种高臭氧催化活性金刚石电极及其制备方法和应用，包括电极基底，所述电极基底表面设有第一硼掺杂金刚石层，或所述电极基底表面设有过渡层，所述过渡层表面设有第一硼掺杂金刚石层；所述第一硼掺杂金刚石层的表面设有第二硼掺杂金刚石层，所述第二硼掺杂金刚石层具有多孔多通道的结构。本发明高臭氧催化活性金刚石电极具有多孔多通道结构的第二硼掺杂金刚石层，由于电极的多孔多通道原因，可以发生毛细现象，在液面以上产生臭氧，解决了金刚石催化时臭氧产率低，消毒、灭菌效率低的问题。
臭氧催化活性金刚石电极及其制备方法应用

[发明专利]二氧化钛纳米管阵列掺杂方法-CN200910064805.1无效
发明人：刘国光;刘海津 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，目的是提供一种成本低、掺杂效率高的二氧化钛纳米管阵列掺杂方法。将待掺杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽内，直流电源的正极和负极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接，直流电源的电压不大于10V，上述电解液为含NH₄^{+低、操作方便和掺杂效率高等显著优点。本发明适用于纳米管掺杂。}
氧化纳米阵列掺杂方法

[发明专利]重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法-CN201110320451.X无效
发明人：王海红;史超;何瑞;徐雷军;梁博 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底；B.在重掺杂P型衬底上生长低阻N型外延层；C.在低阻N型外延层上生长重掺杂N型界面层，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长过程中产生的P型杂质，同时在赶气过程中通入N型掺杂气体；D.在重掺杂N型界面层上生长高阻N型外延层。
掺杂衬底生长外延方法

[实用新型]低电容低电压半导体过压保护器件-CN201620237509.2有效
发明人：赵海 -专利权人：昆山海芯电子科技有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1基区和P2基区为P型变掺杂基区。将基区扩散分为两次，实现变掺杂基区，P1基区为高浓度P型掺杂扩散，P2基区为低浓度P型掺杂扩散，从而使得PN结两侧高浓度区域面积大大缩小，保证低压以及过压保护功能的同时，大大减小了该PN结的寄生结电容，实现了低电容设计目标，工艺简单，成本低廉。
电容电压半导体保护器件

[发明专利]Mn2+-CN202310448461.4在审
发明人：曹永泽;王学凯;陈宝玖 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C03C3/16 文献下载
摘要：本发明公开了Mn2+掺杂低熔点K2O‑SnO‑P2O5荧光玻璃材料及其制备方法和应用，其中，一种Mn2+掺杂的低熔点磷酸盐荧光玻璃材料，以磷酸盐玻璃为基质玻璃，并掺杂锰离子，所述基质玻璃的阳离子以摩尔百分比计其制备方法为：将基质玻璃原料和掺杂原料混合均匀，在500oC温度下热处理直至完全去除气泡，得到玻璃熔体；将玻璃熔体转入模具冷却成型，得到低熔点发光玻璃。本发明公开的Mn2+掺杂低熔点K2O‑SnO‑P2O5<，在基质中掺杂Mn2+所制备的玻璃具有500℃的低熔点，高荧光强度，Sn2+向Mn2+
mn base sup

[发明专利]一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法-CN202310006831.9在审
发明人：杨骏捷;贾慧 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法，将硅衬底送入MBE腔中去除硅衬底表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层N型双掺杂锗种子层；在所述N型双掺杂锗种子层上进行低温无掺杂锗外延生长，形成低温无掺杂锗外延层；在所述低温无掺杂锗外延层上进行不同温度下的无掺杂锗外延生长，形成变温无掺杂锗外延层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在所述退火后的变温无掺杂锗外延层上进行高温锗盖层生长，得到低穿透位错密度薄锗缓冲层
一种基于掺杂穿透密度缓冲制备方法

[发明专利]一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法-CN200710008793.1无效
发明人：吴正云;朱会丽;陈厦平;张峰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n⁺型4H－SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n⁺型缓冲层、超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层、低掺杂n^－型层和高掺杂p⁺型层，超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层和低掺杂n^－型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于
一种掺杂 sic 雪崩紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种掺杂非晶硅的靶材及太阳能电池制备方法-CN201911346159.8在审
发明人：上官泉元;刘宁杰 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明通过制备一种预先混合好掺杂元素的硅靶，并利用PVD方法完成掺杂非晶硅镀膜，在PVD镀膜过程中可以直接在硅片表面形成原位掺杂非晶硅；而且，根据掺杂浓度的需要，通过在硅靶里掺入相应浓度的磷元素或硼元素用于TOPCon掺杂非晶硅层膜，一道PVD镀膜工序即可实现掺杂。相比于用气体硅烷通过LPCVD镀膜再用离子注入方法加入掺杂元素，本发明具有工艺简单、成本低且使用安全性高的优点。
一种掺杂非晶硅太阳能电池制备方法

[发明专利]一种高可靠性低漏电浪涌器件及其制备方法-CN202310338329.8在审
发明人：单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高可靠性低漏电浪涌器件及其制备方法，包括，衬底层，所述衬底层的上方或下方的至少一个方向上设有掺杂区；所述掺杂区包括，掺杂层，设于所述衬底层上；轻掺杂层，设于所述衬底层上且连接所述掺杂层的两侧；重掺杂层，设于所述轻掺杂层上且连接所述掺杂层的两侧；钝化层，设于所述衬底层和所述掺杂区的两侧；金属层，设于所述掺杂区上。本发明通过在PN结的边缘处增设轻掺杂层和重掺杂层，使PN结处可以有效降低表面漏电，优化高温漏电性能且提高高温反偏可靠性性能。
一种可靠性漏电浪涌器件及其制备方法

[发明专利]一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法-CN202210514739.9在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度高于n‑第二漂移层。本发明的具有分段掺杂外延结构的SiC基MOSFET器件，利用远离主结区的高掺杂漂移层降低器件的串联电阻，并利用主结区域的低掺杂层提高p型屏蔽层的保护作用，降低器件的米勒电荷，以提高SiC基MOSFET器件的开关转换能力
一种通电 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种泡沫镍自支撑氟掺杂硫化钴纳米阵列的制备方法及其应用-CN202310696209.5在审
发明人：孙旭;李晓丽;高令峰;刘成庆;胡顺达;于春雨;韩祥康;孙永睿;李庆婷 -专利权人：济南大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡沫镍自支撑氟掺杂硫化钴纳米阵列的制备方法及其应用，首先将含钴源的水溶液加热预反应液一定时间，收集得到前驱物，经氟化处理后得到氟掺杂前驱物，同硫化水溶液加热反应一定时间，自然冷却后，洗涤干燥得到泡沫镍自支撑氟掺杂硫化钴纳米阵列泡沫镍自支撑的氟掺杂硫化钴应用到电催化析氧氧化反应(OER)具有优异的催化性能，过电位低至0.119V，塔菲尔斜率低至70mV/dec。
一种泡沫支撑掺杂硫化纳米阵列制备方法及其应用

[发明专利]低衬底损耗电感-CN02154862.5有效
发明人：游永杰 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-12-03 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种低衬底损耗电感，其由半导体集成电路技术所制造。该低衬底损耗电感包含一衬底，多个p型掺杂区及多个n型掺杂区，以交替的方式形成于该衬底内，一绝缘层，形成于该衬底的上方，以及一金属线圈，形成于该绝缘层上。该绝缘层隔离该金属线圈及该多个p型、n型掺杂区，且该多个p型、n型掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。
衬底损耗电感

[发明专利]FinFET器件和方法-CN201410266062.7有效
发明人：胡嘉欣;张胜杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：掺杂衬底的一部分且形成高掺杂剂浓度的区域和低掺杂剂浓度的区域。形成栅极堆叠，去除鳍的部分且源极/漏极区域在高/低掺杂剂浓度的区域中外延生长。形成接触件以提供至源极/栅极/漏极区域的电连接。
finfet 器件方法

[发明专利]箝位电路的静电放电保护-CN200710152672.4无效
发明人：巴特·索尔格洛斯;巴特·柯宾斯;本杰明·范坎普 -专利权人：沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在发明的一种情况中，该SCR具有至少一个高掺杂的第一区其形成在第一低掺杂区里，一个高掺杂的第二区，其形成在第二低掺杂区里。
箝位电路静电放电保护

[发明专利]半导体器件-CN202111195843.8在审
发明人：唐晓琦;刘伟;王羽;高杰;孙梦;金明;王志勇 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层，具有相对的第一表面与第二表面，半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区，第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧，第一源区位于第一阱区中并暴露于第一表面，第一漏区位于第二阱区中并暴露于第二表面；呈柱状的栅极结构，沿第一表面至第二表面的方向依次贯穿第一阱区、第一掺杂区、第二阱区，栅极结构分别与第一源区、第一漏区邻接，第一阱区和第二阱区的掺杂类型为第一掺杂类型，第一掺杂区、第一源区、第一漏区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。该半导体器件在具有低电容和低栅沟道导通电阻的同时还能提高导通速度并降低开关损耗。
半导体器件

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