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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201910813498.6在审
发明人：林志昌;吴伟豪;余佳霓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，其包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物、第一虚置鳍状物与第二虚置鳍状物以及第三装置鳍状物与第四装置鳍状物。第一装置鳍状物与第二装置鳍状物其各自位于半导体装置的第一区中。第一虚置鳍状物位于第一区中。第一虚置鳍状物位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。第一虚置鳍状物具有第一高度。第三装置鳍状物与第四装置鳍状物，各自位于半导体装置的第二区中。第二虚置鳍状物位于第二区中。第二虚置鳍状物位于第三装置鳍状物与第四装置鳍状物之间。第二虚置鳍状物具有第二高度，且第二高度大于第一高度。
半导体装置

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910514750.3在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：此处公开的鳍状物图案化方法可达优先切割鳍状物技术与最后切割鳍状物技术的优点，并提供不同数目的鳍状物于不同集成电路区中。例示性的方法实施间隔物微影技术，其形成的鳍状图案包括第一鳍状线与第二鳍状线于基板中。第一鳍状线与第二鳍状线在对应单一鳍状物的鳍状场效晶体管的第一区中具有第一空间，并在对应多鳍状物的鳍状场效晶体管的第二区中具有第二空间。第一空间大于第二空间，以缓解最后切割鳍状物时的制程容许范围，其部分地移除第二区中的第二鳍状线的一部分，以形成虚置鳍尖于第二区中。第二区中的虚置鳍尖与第一鳍状物之间的空间大于第二空间。
鳍状物鳍状线第二空间鳍状场效晶体管切割第一空间集成电路区鳍状物图案方法实施微影技术第一区间隔物基板移除制程鳍状图案缓解

[发明专利]半导体结构-CN201811036916.7在审
发明人：游佳达;王圣祯;杨丰诚;陈燕铭;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍状场效晶体管装置的外延结构包括基板、具有两个鳍状物的鳍状结构、沿着鳍状物的侧壁形成的内侧鳍状物间隔物与外侧鳍状物间隔物、以及形成于鳍状物周围的隔离区。鳍状场效晶体管装置亦包含栅极结构形成于鳍状结构上，以及外延结构形成于源极/漏极区中的鳍状结构上。外延结构的形成方法为合并鳍状物与至少一外延半导体层，并包括气隙。气隙的体积取决于内侧鳍状物间隔物的高度与分隔距离。
鳍状物外延结构鳍状结构间隔物鳍状场效晶体管半导体结构气隙外延半导体层源极/漏极区分隔距离栅极结构隔离区侧壁基板合并

[发明专利]半导体鳍状结构截断工艺-CN202111390542.0在审
发明人：邱岩栈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体鳍状结构截断工艺。该工艺包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成多条鳍状结构，相邻两条所述鳍状结构之间形成间隙；沉积第一介质层，所述第一介质层填充满所述间隙，使得所有鳍状结构连为一体形成鳍状体；在所述鳍状体上形成多条图层条，相邻两条所述图层条之间间隔形成凹槽，所述凹槽位置处的鳍状体上表面外露；所述鳍状体中，最靠近各条所述图层条的鳍状结构为必要鳍状结构，剩余鳍状结构为不必要鳍状结构；使得各条所述图层条的侧面贴附有掩模条，所述掩模条覆盖住所述必要鳍状结构；基于所述掩模条的图案，刻蚀所述鳍状体，使得未被所述掩模条覆盖的不必要鳍状结构截断。
半导体结构截断工艺

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910814986.9在审
发明人：郭紫微;杨宗熺;游政卫;周立维;游明华;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一半导体鳍状物，自基板延伸；第一介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第一侧相邻；第二介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第二侧相邻；第一栅极堆叠部，沿着第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物的侧壁，并位于第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物上；第一外延的源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物中，并自第一介电鳍状物延伸至第二介电鳍状物；以及气隙，位于第一外延的源极/漏极区与基板之间，且该气隙延伸于第一介电鳍状物与第二介电鳍状物之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710557756.X有效
发明人：黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的形成方法，包含形成多个鳍状物于基板上，以及形成虚置栅极结构于鳍状物上。间隔物层形成于虚置栅极结构与鳍状物上。使间隔物层凹陷化，以沿着每一鳍状物的侧壁形成不对称的凹陷的间隔物，并露出每一鳍状物的部份。源极/漏极外延成长于鳍状物露出的部份上，且位于第一鳍状物上的第一源极/漏极外延与位于第二鳍状物上的第二源极/漏极外延不对称。还提供一种装置，包含第一鳍状物与第二鳍状物于基板上，而栅极结构形成于第一鳍状物与第二鳍状物上。外延形成于第一鳍状物与第二鳍状物上，且第一鳍状物与第二鳍状物位于栅极结构的相同侧上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201710202281.2有效
发明人：李承翰;马志宇;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201910187678.8在审
发明人：李志成;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，其中该半导体结构包含至少一堆叠的鳍状结构、一栅极以及一源/漏极。至少一此堆叠的鳍状结构位于一基底上，其中堆叠的鳍状结构包含一第一鳍状层以及一第二鳍状层，且一鳍状介电层夹置于第一鳍状层以及第二鳍状层之间。栅极跨设堆叠的鳍状结构。源/漏极直接设置于基底上以及全部的堆叠的鳍状结构侧壁上。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]一种液动水陆两栖软体仿生执行机构-CN201911145320.5在审
发明人：赵文川;张禹;王宁 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及机器人驱动技术领域，提供一种液动水陆两栖软体仿生执行机构，包括：鳍状肢结构和主驱动结构；所述鳍状肢结构包括鳍状肢底板以及设置在鳍状肢底板上的鳍状肢主体；所述鳍状肢主体与鳍状肢底板之间密封连接；所述鳍状肢主体的顶面为弧形面，所述鳍状肢主体的后端设置鳍状肢通液孔，所述鳍状肢主体设置多个等间距且内部连通的鳍状肢囊腔，所述鳍状肢囊腔内部与鳍状肢通液孔连通；所述主驱动结构设置在鳍状肢主体后端的中间区域
鳍状底板主驱动驱动结构水陆两栖运动形式通液孔囊腔结构设置密封连接内部连通驱动效率位姿变换中间区域弧形面顶面软体正旋种液连通机器人驱动

[实用新型]一种液动水陆两栖软体仿生执行机构-CN201922017964.8有效
发明人：赵文川;张禹;王宁 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及机器人驱动技术领域，提供一种液动水陆两栖软体仿生执行机构，包括：鳍状肢结构和主驱动结构；所述鳍状肢结构包括鳍状肢底板以及设置在鳍状肢底板上的鳍状肢主体；所述鳍状肢主体与鳍状肢底板之间密封连接；所述鳍状肢主体的顶面为弧形面，所述鳍状肢主体的后端设置鳍状肢通液孔，所述鳍状肢主体设置多个等间距且内部连通的鳍状肢囊腔，所述鳍状肢囊腔内部与鳍状肢通液孔连通；所述主驱动结构设置在鳍状肢主体后端的中间区域
一种水陆两栖软体仿生执行机构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110334754.0在审
发明人：沈书文;林宥霆;郭俊铭;彭远清;李益诚;梁品筑;郑培仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，是鳍状堆叠结构的侧壁轮廓的矫正方法。范例方法包含在基底上形成第一鳍状结构和第二鳍状结构，第一鳍状结构和第二鳍状结构各包含交错的多个通道层和多个牺牲层；在第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积第一硅衬垫；在基底、第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积介电层；回蚀刻介电层，以在第一鳍状结构与第二鳍状结构之间形成隔离部件，以及移除了在第一鳍状结构和第二鳍状结构上的第一硅衬垫，以暴露出多个通道层和多个牺牲层的侧壁；以及在多个通道层和多个牺牲层暴露的侧壁上外延沉积第二硅衬垫
半导体装置制造方法

[发明专利]形成鳍状场效应晶体管器件中的结构的方法-CN200480008752.7有效
发明人：林明仁;汪海宏;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一鳍状结构(810)、第二鳍状结构(810)及第三鳍状结构(210)。该第一及第二鳍状结构(810)包括单晶硅材料。该第三鳍状结构(210)位于该第一及第二鳍状结构(810)之间，其包括介电材料。该第三鳍状结构(210)产生应力，该应力导引至该第一及第二鳍状结构(810)中的单晶硅材料。
形成场效应晶体管器件中的结构方法

[发明专利]半导体装置-CN201911008242.4在审
发明人：江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物。第一源极/漏极构件外延成长于第一装置鳍状物上。第二源极/漏极构件外延成长于第二装置鳍状物上。第一虚置鳍状结构位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。栅极结构部分包覆第一装置鳍状物、第二装置鳍状物、与第一虚置鳍状结构。第一虚置鳍状结构的第一部分位于第一源极/漏极构件与第二源极/漏极构件之间并位于栅极结构之外。第一虚置鳍状结构的第二部分位于栅极结构之下。第一虚置鳍状结构的第一部分与第二部分具有不同的物理特性。
半导体装置

[发明专利]具有子鳍状物层的晶体管-CN201580079932.2有效
发明人： W·拉赫马迪;M·V·(M)·梅茨;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;A·阿格拉瓦尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：将子鳍状物层沉积在衬底上的绝缘层中的沟槽中。将鳍状物沉积在子鳍状物层上。鳍状物具有顶部部分和相对侧壁。鳍状物包括第一半导体材料。子鳍状物层包括III‑V族半导体材料。
具有子鳍状物层晶体管

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