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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体装置-CN202221819599.8有效
发明人： 李益诚;梁品筑;马大钧;郑培仁;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体鳍、半导体衬垫以及浅沟槽隔离区域。半导体鳍自基板延伸，半导体鳍包括第一部分以及第二部分，第二部分位于第一部分下方。半导体衬垫位于半导体鳍的第二部分的多个侧壁上。浅沟槽隔离区域邻近于半导体鳍，其中浅沟槽隔离区域的最顶点所处的平面位于半导体衬垫的最顶表面所处的平面与半导体鳍的第一部分的最底表面所处的平面之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110334754.0在审
发明人：沈书文;林宥霆;郭俊铭;彭远清;李益诚;梁品筑;郑培仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，是鳍状堆叠结构的侧壁轮廓的矫正方法。范例方法包含在基底上形成第一鳍状结构和第二鳍状结构，第一鳍状结构和第二鳍状结构各包含交错的多个通道层和多个牺牲层；在第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积第一硅衬垫；在基底、第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积介电层；回蚀刻介电层，以在第一鳍状结构与第二鳍状结构之间形成隔离部件，以及移除了在第一鳍状结构和第二鳍状结构上的第一硅衬垫，以暴露出多个通道层和多个牺牲层的侧壁；以及在多个通道层和多个牺牲层暴露的侧壁上外延沉积第二硅衬垫。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110221093.0在审
发明人：邱雅文;詹易哲;谭伦光;潘正扬;赵晟博;梁品筑;陈弘耀;余德伟;李益诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911053915.8在审
发明人：马大钧;李益诚;梁品筑;赵晟博;颜政雄;陈俊仁;郑培仁;李启弘;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法。在一实施例中，一方法包含：从基底延伸形成第一鳍，基底包含硅，第一鳍包含硅锗；在第一鳍的周围形成隔离区，在形成隔离区期间在第一鳍上形成氧化层；以氢基蚀刻工艺从第一鳍移除氧化层，在氢基蚀刻工艺之后，第一鳍的表面处的硅以氢为尾基；脱附第一鳍的表面处的硅，以将硅去钝化；以及以第一鳍的次表面的锗交换第一鳍的表面处去钝化的硅。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于半导体制程的方法-CN201910005108.2在审
发明人：梁品筑;余德伟;李益诚;陈建豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：此处所述的实施例一般关于采用循环的沉积‑蚀刻制程，以形成栅极层于高深宽比的沟槽中。在一实施例中，提供用于半导体制程的方法。方法包括进行循环的沉积‑蚀刻制程，以形成顺应膜于基板上的结构的下表面上，且顺应膜沿着结构的侧壁表面。方法包括再流动顺应膜。方法包括形成盖层于再流动的顺应膜上。方法包括沉积结晶膜于盖层上。方法包括在沉积结晶膜之后，使再流动的顺应膜与盖层结晶。
沉积盖层蚀刻制程结晶膜流动半导体制程侧壁表面高深宽比下表面栅极层基板

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