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[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210374281.1在审
发明人：陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]一硫化钛颗粒及其复合材料、其制备、用途与涂层材料-CN202210144120.3有效
发明人：张育新;易双;饶劲松;李凯霖;杨平安;丛大龙;刘晓英;宋凯强;李忠盛;白晶莹;舒文祥;刘国军;任世海 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于固体润滑材料技术领域，具体涉及一硫化钛颗粒、其复合材料及其制备、用途与涂层材料。所述一硫化钛颗粒是由二维纳米片堆叠而成的层状结构。本发明公开了一种新型TiS颗粒，实验结果证明，本发明的一硫化钛用作耐高温涂层具有以下预想不到的优异性能：摩擦系数随着温度的升高呈现下降趋势(这明显不同于传统材料，温度升高，摩擦系数降低的趋势)；且在1000摄氏度下实现最低0.08的摩擦系数。本发明还公开了一种ZrO2@TiS复合材料。相比纯一硫化钛，ZrO2@TiS复合材料涂层的润滑性能相对降低，但制备成本的降低为ZrO2@TiS纳米复合材料在不同领域的作用提供了保障。
硫化颗粒及其复合材料制备用途涂层材料

[发明专利]高压晶体管结构及其制作方法-CN202010650267.0有效
发明人：李志成;李凯霖;陈威任 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开一种高压晶体管结构及其制作方法，其中该高压晶体管结构包含一基底，一金属栅极设置于基底上，至少一绝缘材料结构穿透金属栅极，一金属化合物层设置于金属栅极和基底之间以及绝缘材料结构和基底之间，其中金属化合物层为连续结构，一栅极介电层设置于金属化合物层下方并且接触基底。
高压晶体管结构及其制作方法

[发明专利]一种采用碳量子点-层状镍钴双金属氢氧化物-硅藻土复合材料处理水的方法-CN202111592048.2在审
发明人：张育新;戴兴健;刘晓英;封丽;赵丽;韩煦;李凯霖;饶劲松;易双;姚克欣 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用碳量子点‑层状镍钴双金属氢氧化物‑硅藻土复合材料处理水的方法。本发明制得的碳量子点‑层状镍钴双金属氢氧化物‑硅藻土复合材料表现出良好的去除MO和MB以及吸附重金属的性能，对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌吸附、抑制也表现出良好的性能。本发明制备的碳量子点‑层状镍钴双金属氢氧化物‑硅藻土复合材料是从材料构造上创新，实现了一种材料多功能应用，更贴合实际需求，其制备方法简单，非常适合工业化生产。
一种采用量子层状双金属氢氧化物硅藻土复合材料处理方法

[发明专利]新型一硫化钛纳米材料及其复合材料的制备与吸波用途-CN202111116673.X有效
发明人：张育新;李凯霖;杨平安;刘晓英;任世海;易双;饶劲松;李南;董立超;丛大龙;白晶莹;舒文祥 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于吸波材料技术领域，具体涉及新型一硫化钛纳米材料及其复合材料的制备与吸波用途。所述一硫化钛为分散的微米颗粒形式，微米颗粒是由二维纳米片堆叠而成的块体。本发明公开了一种新型的TiS纳米材料，该TiS纳米材料是由二维纳米片堆叠而成的块体，因此其具有更利于吸波效果的片状结构。此外，实验结果证明，该TiS纳米材料在40wt％掺量下，具有最优异的吸波性能，其最小反射损耗可以达到‑47.4dB，有效吸收带宽为5.9GHz,吸收峰值频率为6.8GHz，结果优于目前的二维本体材料。该TiS纳米材料吸波性能优异的原因之一可能是其中的TiS的片层状的微观形貌，使得电磁波折射损耗。
新型硫化纳米材料及其复合材料制备用途

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111160515.4在审
发明人：李志成;谢宗翰;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极介电层于一基底上，然后形成一栅极材料层于该栅极介电层上，图案化该栅极材料层以及该栅极介电层以形成一栅极结构，去除部分该栅极介电层，形成一间隙壁于栅极结构旁并同时形成一气孔于该栅极介电层以及该间隙壁之间，之后再形成一源极/漏极区域于间隙壁两侧。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种同时提高镁合金耐蚀和耐磨性能的方法-CN202211242005.6在审
发明人：张育新;张欣芳;易双;饶劲松;尹长青;刘书佩;李凯霖;丛大龙;周欢;刘晓英;宋凯强 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C22/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时提高镁合金耐蚀和耐磨性能的方法，属于表面处理技术领域。所述方法包括以下步骤：以镁合金为原料，采用水热法，通过调控前驱体的摩尔比、pH、反应温度和时间，在其表面原位生长LDH薄膜；经在带相反电荷的Mo2CTx分散液中交替沉积，得到所述镁合金表面LDH@Mo2CTx复合膜。本发明公开了制备复合膜的具体步骤，并进一步公开了各步骤所用前驱体的摩尔比、pH、处理时间及温度。本发明提供的复合膜制备工艺简单、绿色环保、成本低廉，通过层层组装的方法，为LDH@Mo2CTx复合膜的防腐耐磨应用拓展了新的前景。
一种同时提高镁合金耐磨性能方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110493062.0在审
发明人：陈纪孝;李凯霖;陈威任 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底，一通道层设置在基底上，一主动层设置在通道层上，其中主动层包含一P型氮化铝镓层，一P型氮化镓栅极设置在主动层上以及一源极电极以及一漏极电极设置于主动层上。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110423761.8在审
发明人：陈纪孝;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，一缓冲层设置在该基底上，一通道层设置在该缓冲层上，一势垒层设置在该通道层上，一钝化层设置在该势垒层上，以及一元件隔离区，其贯穿该钝化层、该势垒层，以及至少部分该通道层，并且包围该半导体元件的一第一元件区。该元件隔离区具有沿着一深度方向变化的缺陷浓度，且在该通道层和该势垒层之间的一结附近具有最高的缺陷浓度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种锰尾矿渣基免烧砖及其制备方法和用途-CN202210220061.3有效
发明人：张育新;杨平安;董必钦;蔡睿;李凯霖;刘晓英;王大双;饶劲松;封丽;易双;张臣智;杜智岚;戴兴健;郑伟;包志豪;平托;白晶莹;丛大龙;刘召辉;姚克欣;孙庆 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C04B7/26 文献下载
摘要：本发明属于吸波材料技术领域，具体涉及一种锰尾矿渣基免烧砖及其制备方法和用途。所述免烧砖包含：锰矿渣、钙质物料、水泥、粉煤灰、砂子。本发明得益于低品位锰尾矿渣中具有优异吸波性能的Fe2O3和SiO2等成分，以及低品位锰矿渣与钙质物料混合煅烧产生的FeSiAl系合金粉、镁锰铁氧体等，能够有效利用多种损耗机制对电磁波进行衰减，获得优异的吸波效果。结果显示，低品位锰尾矿渣填充质量分数为60％的免烧砖，在频率为15.04GHz下，最小反射损耗为‑22.06dB，有效吸收带宽达到4.16GHz(13.84‑18GHz)，覆盖了大部分的Ku波段。
一种尾矿渣基免烧砖及其制备方法用途

[发明专利]一硫化钛纳米材料及其制备方法-CN202210665967.6在审
发明人：张育新;李凯霖;杨平安;刘晓英;任世海;易双;饶劲松;丛大龙;白晶莹;舒文祥 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一硫化钛纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：步骤(1)、采用选区激光熔化技术制备杂相一硫化钛纳米材料：以摩尔比为1：1：0.1：0.2的Ti粉、S粉、Si粉、Al粉组成的混合粉为原料，在激光线能量密度为0.8～1.0J/mm和选用栅格扫描方式的条件下，采用选区激光熔化技术在坩埚装置中对所述原料进行处理，制备出杂相一硫化钛纳米材料；所述混合粉中：Ti粉和S粉的摩尔相同，均为0.2摩尔；Si粉为0.02摩尔；Al粉为0.04摩尔。本发明首次通过采用选区激光熔化方法合成出杂相一硫化钛粉体。通过球磨方式，可以去除含铝杂相和含硅杂相。此外，对材料进一步除硫，可成功获得纳米级的纯相一硫化钛粉体材料。
硫化纳米材料及其制备方法

[发明专利]高压半导体装置-CN202110191369.5在审
发明人：周玲君;严得绮;张宇宏;李坤宪;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体装置，其包括半导体基底、第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区。第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区设置于半导体基底中。第二深阱区位于第一深阱区之上，第一阱区位于第一深阱区之上，且第二阱区位于第二深阱区之上。第二深阱区的导电型态与第一深阱区的导电型态互补，第二阱区的导电型态与第一阱区以及第二深阱区的导电型态互补。第二深阱区的长度大于或等于第二阱区的长度且小于第一深阱区的长度，且第一阱区与第一深阱区相连。
高压半导体装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610209522.1有效
发明人： 李凯霖;李志成;黄昱豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明较佳实施例公开一种制作半导体元件及其制作方法。该制作方法包括：首先提供一基底，然后形成一鳍状结构于基底上，形成一栅极结构于鳍状结构上，形成一凹槽于栅极结构两侧，最后再形成一外延层于凹槽内，其中依据一俯视角该外延层包含一V型轮廓。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种复合液态硅肥的制备方法和用途-CN202210293125.2在审
发明人：丁杰航;李凯霖;吴雨峻;袁飞;鄢文磊;饶劲松;张育新;代楠;戴兴健;唐露;蒋洁;徐素宇;付白斗;李博 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明属于农业肥料技术领域，具体涉及一种复合液态硅肥的制备方法和用途。所述复合液态硅肥包含：硅藻土处理液40wt％、硅藻菌液30wt％、有机液肥30wt％。本发明设计出的复合液态硅肥发挥了单纯用硅藻土制造硅肥所达不到的效果。采用活性硅藻复合，不仅改善硅藻土的硅藻蛋白石表面原有的羟基等活性位点以及独特的生物微孔性能随沉积年限逐渐下降的问题，还能与水稻等作物形成共生的小型生态体系，促进生态可持续发展。
一种复合液态制备方法用途

[发明专利]一种采用层状镍钴双金属氢氧化物/硅藻土复合材料吸收电磁波的方法-CN202111427387.5在审
发明人：张育新;张益帆;李凯霖;滕昊;吴宇桐;王大双;丛大龙;宋凯强;李南;郑伟;董立超;白晶莹;平托;兰天 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用层状镍钴双金属氢氧化物/硅藻土复合材料吸收电磁波的方法，其中所述吸波复合材料的制备方法包括以下步骤：将硅藻土与硝酸镍、硝酸钴、尿素、氟化铵按照70mg:261.7mg:87.3mg:432mg:370mg的比例在70mL去离子水中混合均匀后移入聚四氟乙烯反应釜中，在110‑130℃和自生压力下进行水热反应8‑14h后制得。本发明制得的层状镍钴双金属氢氧化物/硅藻土复合材料通过发挥层状镍钴双金属氢氧化物和硅藻土的协同作用，提升了复合材料的吸波性能，在电磁波吸收领域的应用和推广具有较大的前景。
一种采用层状双金属氢氧化物硅藻土复合材料吸收电磁波方法

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