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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610111749.9无效
发明人：曹荣志;陈科维;张世杰;林俞谷;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及一导电层本发明所述的半导体装置及其制造方法，提供一包含多重沉积与再溅镀步骤的制程以及极佳的再溅镀/沉积比例，使获得的金属阻障层的厚度极薄，而能有效降低内连线结构的阻值，例如能有效降低接触区与镶嵌导线间的阻值。此外，于沟槽角落的阻障层厚度亦可被控制，以避免再溅镀后产生的微沟槽现象，增加了元件的可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构-CN200710097734.6无效
发明人：许晋源 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管结构，包含一基板、形成于基板上的一第一电性半导体层、形成于第一电性半导体层上的一发光层、形成于发光层上的一第二电性半导体层、形成于第二电性半导体层上的一阻障层，以及，形成于阻障层上的一接触层其中，阻障层可用以避免接触层的金属扩散至第二电性半导体层。本发明的发光二极管结构，可利用形成于半导体叠层上的阻障层，避免接触层的金属原子因扩散进入半导体叠层中，也可通过阻障层的阻隔，防止接触层的金属与半导体叠层的表面发生反应或相变化，有效提升了发光二极管结构的可靠度
发光二极管结构

[发明专利]接面能障肖特基二极管及其制造方法-CN201310311338.4在审
发明人：黄宗义;廖文毅 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：JBS二极管包含：N型氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障层，形成于上表面上；P型氮化镓(gallium nitride,GaN)层，形成于氮化铝镓阻障层上；阳极导电层，形成于氮化铝镓阻障层上，且部分阳极导电层与氮化铝镓阻障层，形成肖特基接触；以及阴极导电层，形成于上表面上，并与N型氮化镓基板间，形成欧姆接触
接面能障肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法-CN201910654128.2在审
发明人：王润顺;朱猛剀;马卓娜;李华国 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：阻障层设置在所述基板上，覆盖所述存储区域及所述逻辑区域。图案化的内层介电层，仅在所述存储区域设置在所述阻障层上。第一通孔结构在所述存储区域形成于所述阻障层与所述图案化的内层介电层中。内连线结构在所述逻辑区域，设置在所述阻障层上。
存储器元件结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110096448.8在审
发明人：李承晋;李劭宽;黄心岩;陈海清;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，用于形成无阻障互连层的方法及结构，包含将设置于基底上方的金属层图案化，以形成图案化金属层，图案化金属层包含一个或多个沟槽。在一些实施例中，此方法还包含在一个或多个沟槽中选择性沉积阻障层于图案化金属层的金属表面上。在一些范例中，在选择性沉积阻障层之后，在一个或多个沟槽中沉积介电层。之后，可移除选择性沉积的阻障层，以在图案化金属层与介电层之间形成空气间隙。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202011384166.X在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极电极、第一电极、及介电层。半导体通道层被设置于基底之上，半导体阻障层被设置于半导体通道层之上。栅极电极被设置于半导体阻障层之上。第一电极被设置于栅极电极的一侧，其中第一电极包括主体部及垂直延伸部，主体部电连接于半导体阻障层，且垂直延伸部的底面低于半导体通道层的顶面。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202110804673.2在审
发明人：叶治东;廖文荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括III‑V族化合物半导体层、III‑V族化合物阻障层、栅极沟槽以及P型掺杂III‑V族化合物层。III‑V族化合物阻障层设置在III‑V族化合物半导体层上。栅极沟槽设置在III‑V族化合物阻障层中。P型掺杂III‑V族化合物层设置在栅极沟槽中，且P型掺杂III‑V族化合物层的上表面与III‑V族化合物阻障层的上表面大体上共平面。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201210306872.1有效
发明人：蒋汝平;谢荣源;黄智超 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：发明一实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供一基板，在该基板上依序形成一栅极介电层、一栅极材料层、一阻障氧化层、以及一硬罩幕层；依序刻蚀硬罩幕层、阻障氧化层、栅极材料层、栅极介电层及基板，以在基板中形成一沟槽；在沟槽中填入一氧化物层；凹蚀沟槽中的该氧化物层，以降低氧化物层的高度；移除硬罩幕层，且在移除步骤中以阻障氧化层保护其下之栅极材料层；以及移除阻障氧化层，而暴露出栅极材料层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200710141046.5有效
发明人：黄麒铨;林世安;徐振富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括一电容器及一相邻的高电压栅极，其具有一硼阻障层，此硼阻障层可作为电容器介电层及高电压栅极氧化层。硼阻障层较佳形成于一多晶硅氧化层之上，多晶硅氧化层依序沉积于基板上，而基板可掺杂杂质以形成相邻的阱区，电容器形成于n型阱之上，且HV栅极形成于p型阱上。此硼阻障层可降低或消除在沉积栅极氧化材料时由p型阱扩散出来的硼及其所造成的不良影响。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]二极管结构-CN202020914638.7有效
发明人：罗国丰;林仲汉;吴丞恩;朱煜;庄豪仁;许延有 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种二极管结构，包含基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上，其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第一阻障层设于第一半导体层与硅层之间，其中第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡第一半导体层的掺质进入硅层，可以减少第一半导体层的掺质浓度的损失。
二极管结构

[发明专利]具防止铜扩散阻障效果之介电质-CN03145283.3有效
发明人： R·塞滋;A·瓦尔特;A·马坦伯格;K·洛瓦克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： C07C235/70 文献下载
摘要：本发明系关于新颖的多－邻－羟基醯胺类，其可被环化为具对金属的良好扩散阻障效果之聚苯并恶唑类。这些多－邻－羟基醯胺类可由习知技术施用于半导体基材及藉由加热以简单方式转化为聚苯并恶唑。因为对金属扩散的良好阻障效果。在导体轨迹及介电体间的扩散阻障基本上可免除。
防止扩散阻障效果介电质

[发明专利]具有低电阻值的铜－阻障层镶嵌内连线结构及其制作方法-CN200510022961.3无效
发明人：黄俊杰;刘志建;许丰裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜－阻障层镶嵌内连线结构，包括一半导体衬底；一碳掺杂介电层，设于该半导体衬底之上；一镶嵌凹槽，形成在该碳掺杂介电层上；一阿尔法相钽金属(α－Ta)单层阻障层，溅镀沉积在该镶嵌凹槽的内壁以及底部上；以及一导电层，形成于该阿尔法相钽金属阻障层上，且该导电层填满该镶嵌凹槽。
具有阻值阻障镶嵌连线结构及其制作方法

[发明专利]用于记忆体元件的化合物自由层-CN201910894130.7在审
发明人：葛雷维·古帕塔亚;加拉格尔·威廉·J. -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种用于记忆体元件的化合物自由层，包括铁磁自由层、设置于铁磁自由层上的非磁性阻障层，以及设置于非磁性阻障层上的第一超顺磁性自由层。非磁性阻障层在与面内方向平行延伸的介面处与铁磁自由层相遇，第一超顺磁性自由层具有磁化分量，磁化分量在面内方向上为超顺磁性的。
用于记忆体元件化合物自由

[发明专利]半导体元件-CN201911099455.2在审
发明人：陈孟扬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。
半导体元件

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。阻障层设置于自由层上，固定层设置于阻障层上。自由层的膜面形状为圆角矩形。
平面磁化自旋轨道磁性组件

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