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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]发光装置-CN201120292739.6有效
发明人：颜仕伦;丁健弘 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光装置，包括一基板、一发光组件、一阻障壁以及一荧光胶。基板具有一上表面，其中，一连续沟槽形成于该上表面之上，该连续沟槽于该上表面上定义一功能区。发光组件设于该功能区之上。阻障壁填设于该连续沟槽之中，并突出于该上表面。荧光胶填设于该阻障壁所围阻的该功能区。本实用新型可避免在热压制程中，阻障壁受到拉力而脱离连续沟槽。
发光装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200810095224.X有效
发明人：詹勋昌;林汉涂;曾贤楷;张柏翎;周可仲 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：多层式导电层包括下阻障层、中间层及上阻障层。前述显示装置的制造方法包括下列步骤：提供基板；依序形成下阻障层、中间层及上阻障层于基板上，以形成多层式导电层；形成有机光刻胶层于多层式导电层上；以及形成透明导电层于有机光刻胶层上，且透明导电层是与中间层及上阻障层接触
显示装置及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201911056904.5有效
发明人：林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本案的一些实施例提供一种磁阻随机存取记忆体单元，包括条型磁穿隧接面，其中反铁磁性层、自由层、阻障层及基准层具有实质上对准的侧壁。间隔物抵靠住反铁磁性层、自由层、阻障层及基准层中每一层的侧壁。条形磁穿隧接面的阻障层具有比柱形磁穿隧接面更大的面积，导致磁阻随机存取记忆体单元寿命延长，因为阻障层具有跨阻障层的较低穿隧电流密度。
集成电路及其制造方法

[发明专利]可挠式显示器的封装结构-CN201010148021.X无效
发明人：谢明哲;洪仕馨;胡至仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种可挠式显示器的封装结构，包括一可挠式光电显示面板、一第一阻障膜与一第二阻障膜。可挠式光电显示面板包括一背板、一可挠式前板与一显示介质层。第一阻障膜设置于可挠式前板的第一表面上，其中可挠式前板、显示介质层与第一阻障膜暴露出背板的焊接区。第二阻障膜设置于背板的第二表面上。
可挠式显示器封装结构

[发明专利]集成电路与其形成方法-CN201410500432.9有效
发明人：杨智伟;刘玉峰;柯建村;许家福;杨玉如;刘恩铨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。
集成电路与其形成方法

[发明专利]阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法-CN02105710.9有效
发明人：蔡明兴;林俊成;眭晓林;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-12 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：之后，沉积一阻障层沿着沟渠的表面以及抗反射层之上。定义一光阻图案于阻障层上表面，再使用光阻图案为蚀刻罩幕，将阻障层、抗反射层、第二低介电常数介电层进行蚀刻，直到抵达第二蚀刻停止层为止以形成一开口。之后以干蚀刻去除水平表面上的阻障层，一并去除沟渠底部的第一蚀刻停止层。一阻障层先行沉积于沟渠以及开口的表面，一导电层接着形成在阻障层上和回填于开口和沟渠内。
阻绝气体释放凸出结构产生镶嵌方法

[发明专利]碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202210161021.6有效
发明人：胡智威;蔡长祐;陈威佑;蔡清富 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度大于等于5E18/cm3且小于等于1E19/cm3上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm
碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]半导体结构-CN201711064027.7在审
发明人：杨士億;叶菁馥;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本揭露是关于一种半导体结构，更精确的是关于结合了石墨烯阻障层的半导体内连接结构。本揭露提供通过热退火位于金属催化剂表面的非晶碳层而形成石墨烯阻障层的方法。石墨烯阻障层的厚度可以通过改变非晶碳层的厚度而选择。
石墨烯阻障层半导体结构非晶碳层金属催化剂内连接结构热退火半导体

[发明专利]发光元件-CN202210690980.7在审
发明人：林义杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开种一发光元件，其包含︰基板；以及一位于基板上的活性结构，其包含一阱层以及一阻障层，其中阱层包含多个不同的VA族元素；其中阱层和阻障层各具有一残留压缩应力，且阱层的残留压缩应力大于阻障层的残留压缩应力
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201610075751.9有效
发明人：林义杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开种一发光元件，其包含︰基板；以及一位于基板上的活性结构，其包含一阱层以及一阻障层，其中阱层包含多个不同的VA族元素；其中阱层和阻障层各具有一残留压缩应力，且阱层的残留压缩应力大于阻障层的残留压缩应力
发光元件

[发明专利]发光元件-CN202010914056.3有效
发明人：林义杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开种一发光元件，其包含︰基板；以及一位于基板上的活性结构，其包含一阱层以及一阻障层，其中阱层包含多个不同的VA族元素；其中阱层和阻障层各具有一残留压缩应力，且阱层的残留压缩应力大于阻障层的残留压缩应力
发光元件

[发明专利]在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构-CN201811080470.8在审
发明人：连文华 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构，在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法包括在腔室内产生高密度电浆，以及利用高密度电浆将阻障材料沉积在接触孔或沟槽上方。阻障材料的沉积至少包括依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤。第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤是分别在第一偏功率、第二偏功率及第三偏功率下执行。本发明的方法能够形成具有较高阶梯覆盖的阻障层。
沉积接触孔阻障层高密度电浆材料沉积高阶梯室内覆盖

[发明专利]于阻障表面上的钴沉积-CN201610339081.7有效
发明人： J.陆;H-C.哈;P.马;S.甘古利;J.F.奥布充;S.H.于;M.纳拉辛汉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供了于阻障表面上的钴沉积。本发明的实施例提供一种在一阻障层上沉积一钴层并接着沉积一导电材料，如铜或一铜合金于其上的工艺。在一实施例中，提供一沉积材料于一基材表面的方法，其包括以下步骤:在一基材上形成一阻障层，于气相沉积工艺期间曝露此基材至二钴六羰基丁基乙炔(CCTBA)及氢(H2)以在该阻障层上形成一钴层，及沉积一导电材料于此钴层之上。在某些范例中，此阻障层及/或此钴层于如热工艺、原位等离子体工艺或远距等离子体工艺的处理工艺期间可曝露至一气体或一试剂。
阻障表面上沉积

[发明专利]导线架结构的制作方法-CN201510356927.3有效
发明人：石智仁 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种导线架结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供金属基板，对金属基板进行图案化工艺，以形成导线架，导线架具有电镀表面以及底面；接着，提供载板，形成高分子涂料层于载板上；将导线架设置于载板上，使高分子涂料层沾附于底面而形成阻障层，阻障层覆盖底面；接着，移除载板；以阻障层作为电镀罩幕对导线架进行电镀工艺，以形成金属镀层于电镀表面；最后，移除阻障层。本发明提供的导线架制作方法，阻障层的设置，可得到电镀层均匀且电镀层只形成在电镀表面的导线架结构，提高了工艺良率；另外，载板可以重复利用，降低了制作成本。
导线结构制作方法

[发明专利]线路板及其工艺-CN200710136819.0有效
发明人：陈宗源 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种线路板工艺，其包括下列步骤：首先，提供基板，基板具有一核心层及二第一复合金属层，核心层位于第一复合金属层间，其中每一个第一复合金属层具有第一金属层与第一蚀刻阻障层，第一金属层位于核心层与第一蚀刻阻障层之间接着，在导电孔的内壁及第一蚀刻阻障层上形成图案化导电层。接着，移除图案化导电层暴露的部分第一蚀刻阻障层，以形成图案化第一蚀刻阻障层。之后，移除图案化导电层暴露的部分第一金属层，以形成图案化第一金属层。
线路板及其工艺

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