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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]互连结构和制造嵌入结构的方法-CN200780046332.1有效
发明人：耶兹迪·多尔迪;约翰·M·博伊德;弗里茨·C·雷德克;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;衡石·亚历山大·尹 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。
互连结构制造嵌入方法

[发明专利]用于阻障层表面钝化的方法和系统-CN201010609964.8有效
发明人：耶兹迪·多尔迪;约翰·博伊德;弗里茨·雷德克;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;衡石·亚历山大·尹 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-08 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。
用于阻障表面钝化方法系统

[发明专利]用于阻障层表面钝化的方法和系统-CN200780046899.9有效
发明人：耶兹迪·多尔迪;约翰·博伊德;弗里茨·雷德克;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;衡石·亚历山大·尹 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-08 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。
用于阻障表面钝化方法系统

[发明专利]环境敏感电子元件封装体-CN201310559674.0有效
发明人：施秉彝 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种环境敏感电子元件封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间，其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。侧壁阻障结构沿着路径延伸，且侧壁阻障结构的高度沿着路径变化。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆环境敏感电子元件以及侧壁阻障结构。
环境敏感电子元件封装

[发明专利]在覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法-CN201080023017.9有效
发明人： A·卡曼斯;M·科奇士;K·麦卡锡;G·曼亭·王 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了位于覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法。该半导体组件包含一金属基板、一位于该金属基板上的扩散阻障层、一位于该扩散阻障层上的绝缘层以及一位于该绝缘层上的半导体层。该方法包含在该金属基板上形成一扩散阻障层、在该扩散阻障层上形成一绝缘层以及在该绝缘层上形成一半导体层。这类覆有扩散阻障层的金属基板可避免其金属原子扩散进入形成于其上的半导体组件中。
扩散阻障基板上半导体组件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710048777.9有效
发明人：张翼;刘世谦;黄崇愷;吴佳勳;韩秉承;林岳钦;谢廷恩 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置包含：基材、通道层、阻障层、凹槽、电荷陷阱层、铁电材料、栅极、源极和漏极。通道层配置于基材上；阻障层配置于通道层上，阻障层具有凹槽，且凹槽下方的阻障层具有一厚度；漏极和源极配置于阻障层上；电荷陷阱层覆盖凹槽的底面；铁电材料配置于电荷陷阱层上；以及栅极配置于铁电材料上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]纳米粒子封装阻障叠层-CN200680056015.3有效
发明人：森蒂尔·库马尔·拉马达斯;蔡树仁 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于封装湿气和/或氧气敏感电子器件的阻障叠层。该阻障叠层包括多层膜，该多层膜设有湿气和/或氧气渗透率低的至少一个阻障层以及设置为与至少一个所述阻障层的表面接触的至少一个密封层，其中，所述密封层包括能够与湿气和/或氧气相互作用的反应性纳米粒子，从而阻碍湿气和/或氧气通过阻障层中存在的缺陷进行的渗透。
纳米粒子封装阻障

[发明专利]抗反射结构及显示装置-CN201410635666.4在审
发明人：杨一新;周政旭 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：抗反射结构设置于显示单元的一侧，抗反射结构包括一第一阻障层、一相位差膜、一第二阻障层、一偏光膜及一保护层。第一阻障层位于显示单元上。相位差膜位于第一阻障层上。第二阻障层位于相位差膜上。偏光膜位于第二阻障层上。保护层位于偏光膜上。本发明能够阻挡水氧直接从显示单元的显示面渗入内部，并且能够改善强光下屏幕黑化的情形。
反射结构显示装置

[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法-CN201310052848.4有效
发明人：蔡奇哲;林柏青;吴威谚;许惠珍 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光二极管显示装置包括一第一软性(flexible)基板、一第二软性基板、一第一阻障(barrier)层、一第二阻障层、一有机发光二极管元件以及一金属围墙(metal enclosing wall)第一阻障层设置于第一软性基板上，第二阻障层设置于第二软性基板上。有机发光二极管元件设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板，金属围墙围绕有机发光二极管元件。
有机发光二极管显示装置及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管装置及其制造方法-CN201310346611.7有效
发明人：綦振瀛;林惠铃;李庚谚;陈世鹏 -专利权人：中央大学;台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该场效应晶体管装置包括：衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层；配置于该第一阻障层之上的二维电子气控制层，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度；配置于该二维电子气控制层之上的第二阻障层，其中该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔；以及,填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气控制层相隔。
场效应晶体管装置及其制造方法

[发明专利]环境敏感电子元件封装体及其制作方法-CN201310625683.5有效
发明人：颜精一;叶树棠;陈盛炜;陈光荣 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种环境敏感电子元件封装体及其制作方法，环境敏感电子元件封装体包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、侧壁阻障结构、第一胶材以及第二胶材。环境敏感电子元件配置于第一基板上。第一胶材配置于第一基板上。侧壁阻障结构配置于第一胶材上，其中侧壁阻障结构藉由第一胶材粘着于第一基板上。第二胶材配置于侧壁阻障结构上。侧壁阻障结构通过第二胶材粘着于第二基板上，其中侧壁阻障结构、第一胶材以及第二胶材位于第一基板与第二基板之间。
环境敏感电子元件封装及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法-CN200380102827.3无效
发明人： G·科斯特里尼;J·P·赫梅尔;M·克里斯南;刘嘉成 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：所述方法包含了在导体上沉积第一与第二阻障层，其中该第一阻障层的抛光速率与该第二阻障层的抛光速率不同；接着利用化学机械抛光(CMP)方式本质上移除该第二阻障层，而留下非常平滑且均匀的第一阻障层。当接着在经抛光的第一阻障层上形成磁性堆栈时，界面粗糙度便不会转移至该隧道接合层，因此不会产生磁化改变。
磁阻随机存取存储器技术改善堆栈表面粗糙双层化学机械抛光方法

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202210049806.4在审
发明人：周良宾 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：该半导体元件包括一目标层；一孔洞，从该目标层的一上表面朝内设置，并具有一下表面以及邻接该下表面的两端的二侧壁；一第一阻障层，共形地设置在该孔洞的该下表面上以及在该孔洞的该二侧壁上；一第二阻障层，共形地设置在该第一阻障层上；以及一上导电层，设置在该第二阻障层上。该第一阻障层设置在该孔洞的该下表面上的一厚度，大于该第一阻障层设置在该孔洞的该二侧壁上的一厚度。该第二阻障层具有一大致均匀厚度。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]半导体元件-CN201810384733.8有效
发明人：杨亚谕;刘家呈;杜尚儒 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一半导体元件，其具有一通道层、一上阻障层、一缓冲层、以及一背向阻障层。前述通道层形成于一基底上。前述上阻障层形成于前述通道层上。前述通道层与前述上阻障层之间形成有一第一异质接面，使前述通道层中产生了一第一二维电子气。前述缓冲层形成于前述基底与前述通道层之间。前述背向阻障层形成于前述缓冲层与前述通道层之间。前述缓冲层与前述背向阻障层之间形成有一第二异质接面，使前述缓冲层中产生了一第二二维电子气。一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极，分别形成于前述上阻障层上。
半导体元件

[发明专利]具有变化的铜金属化成分的阻障层的制造方法-CN200780040881.8有效
发明人：衡石·亚历山大·尹;弗里茨·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统，该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性，且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境，(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。
具有变化金属化成分阻障制造方法

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