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[发明专利]一种磁存储器及其写状态检测方法-CN201811045302.5有效
发明人：戴瑾;叶力;夏文斌 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器及其写状态检测方法，该磁存储器包括：高阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于高阻态的参考信号；低阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于低阻态的参考信号；写入状态检测单元，用于接收高阻态写参考单元和低阻态写参考单元的输出信号以及各存储单元写入回路中的相应检测信号；当进行置为高阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与高阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于高阻态时，发出终止写信号；当进行置为低阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与低阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于低阻态时，发出终止写信号。
一种磁存储器及其状态检测方法

[发明专利]刷新电路、方法、芯片及数据传输系统-CN201910647827.4有效
发明人：伍荣翔;李立松;方向明 -专利权人：重庆线易电子科技有限责任公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请提供一种刷新电路、方法、芯片及数据传输系统，刷新电路包括：高阻态控制电路、上拉刷新电路、下拉刷新电路；高阻态控制电路的输入端用于接收目标输入信号；高阻态控制电路的输出端与上拉刷新电路连接；高阻态控制电路的输出端还与下拉刷新电路连接；高阻态控制电路的输出端还经过一隔离器件与外部接收器连接；其中，在目标输入信号的逻辑状态在预设时长内维持不变，且高阻态控制电路的输出为高阻态时，上拉刷新电路根据目标输入信号对高阻态控制电路的输出信号进行上拉，或，下拉刷新电路根据目标输入信号对高阻态控制电路的输出信号进行下拉，以得到刷新信号。
刷新电路方法芯片数据传输系统

[发明专利]用以感测一存储单元阻态的电路及其方法-CN200710000116.5有效
发明人：廖忠志;邓端理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，一存储单元具有高阻态及低阻态。一高参考单元位于高阻态，及一低参考单元位于低阻态。该高参考单元的高阻态电阻值，与该存储单元位于高阻态时的电阻值之间，具有一第一差异幅度。该低参考单元的低阻态电阻值，与该存储单元位于低阻态时的电阻值之间，具有一第二差异幅度。差动放大器耦接该存储单元、该高参考单元及该低参考单元，提供一数字输出以表示该存储单元的阻态。本发明所述的用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，能可靠地感测MRAM装置中存储单元的阻态，及改进读取MRAM数据的速度。
用以感测一存储单元电路及其方法

[发明专利]无肓区电接点水位计-CN200810051573.1无效
发明人：周淑芳 -专利权人：周淑芳
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01F23/24 文献下载
摘要：由于本发明的无肓区电接点水位计的电极具有高阻态、中阻态和低阻态的三态性。当中阻环(12)未接触到水位时为高阻态；当中阻环(12)接触到水位时为中阻态；当低阻环(11)接触到水位时为低阻态。本发明的无肓区电接点水位计的稳定状态为中阻态，当水位上升出现低阻态，就会通过控制器(21)传动系统及随动系统使电极向上运动，使电极低阻环(11)离水面恢复到中阻态；反之，也是一样，从而实现了水位的跟踪测量
无肓区电接点水位计

[实用新型]无盲区电接点水位计-CN200820072891.1无效
发明人：周淑芳 -专利权人：周淑芳
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G01F23/24 文献下载
摘要：由于本实用新型的无盲区电接点水位计的电极具有高阻态、中阻态和低阻态的三态性。当中阻环(12)未接触到水位时为高阻态；当中阻环(12)接触到水位时为中阻态；当低阻环(11)接触到水位时为低阻态。本实用新型的无盲区电接点水位计的稳定状态为中阻态，当水位上升出现低阻态，就会通过控制器(21)传动系统及随动系统使电极向上运动，使电极低阻环(11)离水面恢复到中阻态；反之，也是一样，从而实现了水位的跟踪测量
盲区接点水位计

[发明专利]液晶驱动电路、液晶驱动方法及液晶显示面板-CN202010452464.1有效
发明人：肖波 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种液晶驱动电路，包括时序控制芯片，产生液晶驱动信号；源极驱动芯片，其输入端连接所述时序控制芯片，根据接收的所述时序控制芯片产生的液晶驱动信号产生驱动电压；高阻态通道启动模块，其输入端连接所述时序控制芯片和所述源极驱动芯片，其输出端连接至通道，所述高阻态通道启动模块包括gamma电压，且所述高阻态通道启动模块预设定有固定的通道逻辑值，所述高阻态通道启动模块根据识别接收的所述时序控制芯片产生的液晶驱动信号，判断所述通道是否属于高阻态，当所述通道属于高阻态，则使所述通道连接至所述gamma电压；当所述通道不属于高阻态，则使所述通道连接至所述驱动电压。
液晶驱动电路方法液晶显示面板

[发明专利]一种通用输入输出接口模块-CN201811515490.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：珠海亿智电子科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：和防静电模块ESD，通用输出模块GPO的输出端通过防静电模块ESD与管脚处理模块IO pad连接，通用输出模块与防静电模块ESD的连接节点为节点A，通用输入模块GPI的输入端与节点A连接，还包括连接在一起的高阻态驱动模块和高阻态检测模块，高阻态驱动模块的输出端和高阻态检测模块的输入端分别与节点A连接。本发明通过内置的高阻态驱动模块和高阻态检测模块分别对界面的状态进行驱动和检测，藉此得到界面是否处于高阻状态的信息，本发明可以辨识GPIO模块的3种不同的状态：逻辑1，逻辑0和高阻态，从而大大降低系统方案的开发难度
一种通用输入输出接口模块

[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法-CN201210564552.6无效
发明人：黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态
一种多值阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法-CN201510349432.8有效
发明人：赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;陈博昊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。
一种激活互补存储器及其制备方法

[发明专利]一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法-CN202010378172.8在审
发明人：李岚;杨鹏城;徐建萍;石少波;刘丁;许江华 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法，该方法包括如下步骤：(1)在高阻态下对器件施加置位电压Vset，使器件由高阻态转变为低阻态；(2)之后再对器件施加与置位电压Vset方向相反的扫描电压，当扫描电压达到复位电压Vreset，使器件由低阻态回到高阻态；(3)之后继续施加与置位电压在电压大于复位电压Vreset后，器件转变为中间电阻；(4)继续施加与置位电压Vset方向相反的电压，使器件回到第一低阻态；或者继续施加与置位电压Vset方向相同的电压，使器件回到高阻态。本发所述电压调控方法可以实现多阻变存储器，在电压调控下表现出多级阻态行为。
一种氧化物薄膜存储器多级电压调控方法

[发明专利]一种测量阻变存储器激活能的方法-CN201410144275.2有效
发明人：卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄;王明;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法，包括：测量阻变存储器的I-V曲线，并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值；计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流；计算阻变存储器高阻态下导电细丝的外加电场；计算高低阻态下载流子跃迁的激活能。利用本发明，通过简单的方法可以测量出阻变存储器的激活能，大大减少了测量误差，并能够区分出电子运动、离子扩散等载流子运动时各自的激活能，为研究阻变存储器的微观物理机制提供理论指导。
一种测量存储器激活方法

[发明专利]一种阻变器件多级稳定阻态实现方法及电子设备-CN201810688986.4在审
发明人：刘力锋;丁向向;朱懂斌;冯玉林;黄鹏;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变器件多级稳定阻态实现方法及电子设备，所述方法包括：对于待处理的阻变器件，通过调节所述阻变器件set过程与reset过程的激励信号条件，获取多个set与reset激励信号条件匹配对，所述多个set与reset激励信号条件匹配对分别对应多个稳定且相互能够区分的阻态；所述多个稳定且相互能够区分的阻态是指多个阻态中每个阻态的相对标准差小于预设标准差阈值，且多个阻态中每两个相邻的阻态之间的高低电阻比值大于预设电阻比阈值；set过程是指所述阻变器件由高阻状态HRS到低阻状态LRS的过程；reset过程是指所述阻变器由低阻状态LRS到高阻状态HRS的过程。本发明提供的阻变器件多级稳定阻态实现方法，能够得到多个稳定且相互能够区分的阻态。
阻态阻变器件激励信号条件低阻状态电子设备高阻状态匹配对高低电阻预设标准标准差电阻比变器预设

[发明专利]多层阻变存储器的温度分布测试方法-CN201811342284.7有效
发明人：雷登云;黄云;王力纬;侯波;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层阻变存储器的温度分布测试方法，包括：选定目标层；选定目标层上的多个目标单元；将选定的多个目标单元构成目标集合；对目标集合中的各目标单元进行N次读写，得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合；根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数；根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数，获得各目标单元的温度数据集合本发明能够有效地分析阻变存储器内部的温度，提高了温度分布分析的可靠性。
多层存储器温度分布测试方法

[发明专利]不同触发器组合的高阻型数字鉴相器-CN201910709199.8在审
发明人：张伟林 -专利权人：张伟林
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明案即《不同触发器组合的高阻型数字鉴相器》中的四个鉴相器状态迁移图即说明书附图2、图4‑6所表述的鉴相器工作状态迁移实态，都符合以下基本的工作状态关系：a.初态(复位后)初态时WrWc=00时，QrQc=00，PDo=高阻态。b.处在初态下的一个输入信号上升边沿到达WrWc=↑0时，QrQc=10，PDo=“1”态；WrWc=0↑时，QrQc=01，PDo=“0”态。c.处在非初态下的另一个输入信号上升边沿到达WrWc=‑↑/↑‑时，QrQc=11，PDo=高阻态。d.处在任意态下输入信号的上升边沿同时到达WrWc=↑↑时，QrQc=11，PDo=高阻态；如果WrWc=↑↑→11则直接启动前置式复位。e.Wr=↑↑时，Qr=1→0，PDo=高阻态。
不同触发器组合高阻型数字鉴相器

[发明专利]利用阻变器件进行除法计算的方法-CN201110079815.X无效
发明人：康晋锋;陈冰;高滨;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G06F7/535 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。
利用器件进行除法计算方法

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