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[发明专利]半导体结构-CN201910918738.9有效
发明人：王智纬;蔡家铭;刘格志;钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了形成具有两个或多个钛‑铝(TiAl)层的栅极堆叠件的方法，该两个或多个钛‑铝(TiAl)层具有不同Al浓度(例如，不同的Al/Ti比)的。例如，栅极结构可以包括具有第一Al/Ti比的第一TiAl层和具有第二Al/Ti比的第二TiAl层，第二TiAl层的第二Al/Ti比大于第一TiAl层的第一Al/Ti比。本申请的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210962381.6在审
发明人：钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;张景舜;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括提供具有衬底、位于衬底上方的半导体沟道层、位于半导体沟道层上方的界面氧化物层以及位于界面氧化物层上方的高k栅极介电层的结构，其中，半导体沟道层包括锗。该方法还包括在高k栅极介电层上方形成金属氮化物层并使用含金属气体对该结构执行第一处理。在执行第一处理之后，该方法还包括在金属氮化物层上方沉积硅层；然后对该结构执行退火，使得在高k栅极介电层上方形成金属混合层。金属混合层包括具有来自高k栅极介电层的金属物质和来自含金属气体的附加金属物质的金属氧化物。根据本申请的其他实施例，还提供了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于形成栅极堆叠件的方法、半导体器件及其形成方法-CN202210962819.0在审
发明人：钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;张景舜;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文公开了用于提供具有改善的轮廓(例如，最小至没有翘曲、弯曲、弓形和颈缩和/或基本上垂直的侧壁)的栅极堆叠件和/或栅极结构(例如，高k/金属栅极)的栅极制造技术，其可以在各种器件类型中实现。例如，本文公开的栅极制造技术提供具有应力处理胶层的栅极堆叠件，应力处理胶层具有小于约1.0吉帕斯卡(GPa)(例如，约‑2.5GPa至约0.8GPa)的残余应力。在一些实施例中，通过在功函层上方沉积胶层以及对胶层实施应力减小处理(诸如气体环境中的离子注入工艺和/或退火工艺)来提供应力处理胶层。在一些实施例中，通过在功函层上方形成至少一个胶子层/金属层对、实施毒化工艺以及在该对上方形成胶子层来提供应力处理胶层。本申请的实施例还涉及用于形成栅极堆叠件的方法、半导体器件及其形成方法。
用于形成栅极堆叠方法半导体器件及其

[发明专利]一种超韧耐热聚乳酸/橡胶合金及其制备方法-CN202111119472.5有效
发明人：刘慧丽;柏栋予;严雅楠;蔡家铭;郑宇杉 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明属于聚乳酸材料及其制备技术领域，具体涉及一种具有类网络结构的超韧耐热聚乳酸/橡胶合金及其制备方法。本发明提供一种超韧耐热聚乳酸/橡胶合金的制备方法，所述制备方法为：将左旋聚乳酸、右旋聚乳酸和橡胶粒子通过熔融共混法制得聚乳酸/橡胶合金；其中，左旋聚乳酸和右旋聚乳酸中至少一种为多臂星型聚乳酸，橡胶粒子为具有核壳结构的橡胶粒子。本发明指出，当所选左旋聚乳酸与右旋聚乳酸的一种选择多臂星型聚乳酸，其与橡胶粒子通过熔融共混能够大大提高聚乳酸的缺口冲击强度；即可制得超韧耐热聚乳酸/橡胶合金；并且，本发明方法工艺简单、易于工业化。
一种耐热乳酸橡胶合金及其制备方法

[发明专利]电压调整装置及其方法-CN201810794189.4有效
发明人：陈义皓;蔡家铭 -专利权人：纬颖科技服务股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H02J3/12 文献下载
摘要：一种电压调整装置，其电性连接至主机、电源板及电子装置，其中主机电性连接电子装置以控制此电子装置，电源板电性连接主机及电子装置以供应主机及电子装置运行所需的电力。所述的电压调整装置包括：电压检测器以及信号发射器。电压检测器透过一线路电性连接电子装置并取得此线路的电压检测值。信号发射器电性连接电压检测器并电性连接主机及电源板，信号发射器在电压检测值首次大于电压基线值时发送电力稳定信号至主机，且在电力稳定信号发送之后，根据电压检测值的大小发送电压调整信号至电源板以选择性地改变电源板供应电力的电压。
电压调整装置及其方法

[发明专利]一种病理指标的智能预测系统-CN202010930704.4有效
发明人：马旭;蔡家铭;赵琦乐 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G16H50/70 文献下载
摘要：本发明提供一种病理指标的智能预测系统，首先对各图像块中的图案所属的形状类别进行分类，然后输入不同形状类别对应的病理指标预测器，得到各病理指标预测器的归类结果，最后根据各病理指标类别与形状类别形成的不同组合下包含图像块数量与各病理指标预测器的权重计算某个病理切片图像属于各病理指标类别的评分，将评分最大值对应的病理指标类别作为该病理切片图像的最终的病理指标预测结果；因此，本发明通过对图像块进行更细致的分类，并对各种形状类别的图像块进行有效性分析，能够明显提高图像块级预测数据和预测器的有效性和患者级预测结果的准确性。
一种病理指标智能预测系统

[发明专利]半导体元件-CN202110108938.5在审
发明人：萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本揭露描述一种半导体元件，具有扩散阻障层的半导体元件的形成方法包含在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成功函数堆叠、降低在功函数堆叠中的碳浓度、在功函数堆叠上形成阻障层以及在阻障层上形成金属层。阻障层阻挡杂质扩散至功函数堆叠、栅极介电层以及鳍片结构中。
半导体元件

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202110127162.1在审
发明人：萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯;蔡家铭;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开描述一种制造半导体装置的方法，即形成具有控制掺杂的栅极介电层的半导体装置及形成具有不同阈值电压的多个装置的方法。方法包括在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成缓冲层，及在缓冲层上形成包括掺杂剂的掺杂剂来源层。栅极介电层在鳍片结构上包括界面层和在界面层上的高介电常数介电层。方法进一步包括利用掺杂剂掺杂高介电常数介电层邻近界面层的部分、去除掺杂剂来源层及缓冲层、在栅极介电层上形成掺杂剂牵引层，及通过掺杂剂牵引层调整栅极介电层中的掺杂剂。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110034133.0在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括：栅极结构，设置在沟道区域和源极/漏极区域上方。栅极结构包括：栅极介电层，位于沟道区域上方；一个或多个功函调整材料层，位于栅极介电层上方；以及金属栅电极层，位于一个或多个功函调整材料层上方。一个或多个功函调整层包括含铝层，并且扩散阻挡层设置在含铝层的底部和顶部中的至少一个处。扩散阻挡层是富钛层、钛掺杂层、富钽层、钽掺杂层和硅掺杂层中的一个或多个。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
制造半导体器件方法

[发明专利]数据储存系统的控制方法、数据储存模块、电脑程序产品-CN201811083028.0有效
发明人：谢正光;陈楷升;蔡家铭;陈义皓 -专利权人：纬颖科技服务股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种数据储存系统的控制方法、数据储存模块、电脑程序产品，所述数据储存系统的控制方法，包括藉由一控制装置取得多个储存装置的相关系数；以及藉由所述控制装置调整所述多个储存装置的一个存储装置的连接速度。本发明可以调整部分储存装置的连接速度，进而增进数据储存系统的整体效能。
数据储存系统控制方法模块电脑程序产品

[发明专利]半导体结构、半导体装置、和制造半导体装置的方法-CN202110202805.4在审
发明人：萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯;蔡家铭;范彧达;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本揭示内容描述了一种半导体结构、半导体装置、和制造半导体装置的方法，半导体装置其具有金属边界沟槽隔离件，金属边界沟槽隔离件带有作为金属扩散阻障的导电的中间结构。半导体结构包括在基板上的第一鳍片结构和第二鳍片结构、介于第一鳍片结构和第二鳍片结构之间的绝缘层、在绝缘层与第一和第二鳍片结构上的栅极介电层，以及在栅极介电层上的第一功函数堆叠和第二功函数堆叠。第一功函数堆叠在第一鳍片结构和绝缘层的第一部分上方，并且第二功函数堆叠在第二鳍片结构和绝缘层的邻近于第一部分的第二部分上方。半导体结构还包括在栅极介电层上和介于第一和第二功函数堆叠的导电的中间结构。
半导体结构装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110171171.0在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中，在由半导体材料制成的沟道区上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一功函调整材料层，在第一功函调整材料层上方形成粘合增强层，在粘合增强层上形成包括抗反射有机材料层的掩模层，并且通过使用掩模层作为蚀刻掩模来对粘合增强层和第一功函调整材料层进行图案化。该粘合增强层对抗反射有机材料层的粘合强度高于对第一功函调整材料层的粘合强度。本申请的实施例还涉及半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN202110112157.3在审
发明人：萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯;蔡家铭;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供一种具有不同栅极结构组态的半导体元件及其制造方法。半导体元件包括设置在基材上的鳍结构及鳍结构上的第一及第二栅极结构。第一及第二栅极结构分别包括第一及第二界面氧化物层、分别设置在第一及第二界面氧化物层上的第一及第二高k栅极介电层、及分别设置在第一及第二高k栅极介电层上的第一及第二掺杂物控制层。第二掺杂物控制层具有大于第一掺杂物控制层的硅与金属原子浓度比率。半导体还包括分别设置在第一及第二掺杂物控制层上的第一、第二功函数金属层、及分别设置在第一、第二功函数金属层上的第一、第二栅极金属填充层。
制造半导体元件方法

[发明专利]电源分配板、模块化机箱系统及其运作方法-CN201810515906.5有效
发明人：谢正光;蔡家铭;许家豪 -专利权人：纬颖科技服务股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06F1/30 文献下载
摘要：本发明公开一种电源分配板、模块化机箱系统及其运作方法，该电源分配板适用于模块化机箱系统。此模块化机箱系统用以供装设多个电子装置，所述的电源分配板包括：多个侦测接脚、微控制器及多个保护电路。多个侦测接脚分别电连接至多个电子装置，每个侦测接脚用以侦测对应的每个电子装置的模块类型。微控制器电连接至所有的侦测接脚，并根据每个侦测接脚所侦测得的模块类型选择性地设定多种组态其中之一。每个保护电路电连接至微控制器且分别对应于一电子装置，每个保护电路根据微控制器所选择的组态设定额定电力值。
电源分配模块化机箱系统及其运作方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011118370.7在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·P.·萨万特;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种器件包括：半导体区；界面层，位于半导体区上方，该界面层包括半导体氧化物；高k介电层，位于界面层上方；混合层，位于高k介电层上方。混合层包括氧、高k介电层中的金属、以及另外的金属。功函层位于混合层上方。填充金属区位于功函层上方。本申请的实施例还提供半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其形成方法

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