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[发明专利]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件-CN201911095673.9在审
发明人：汪洋;曹佩;董鹏;金湘亮;李幸 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指
注入区叉指衬底静电防护器件导通均匀性鲁棒性

[实用新型]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件-CN201921941191.6有效
发明人：汪洋;曹佩;董鹏;金湘亮;李幸 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本实用新型在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。
一种多叉指 ldmos scr 静电防护器件

[发明专利]一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法-CN201810174388.5有效
发明人：毛焜;姚尧 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。
深N阱衬底多段掺杂多晶硅栅双通道埋层源极比导通电阻击穿电压交界区域绝缘隔离漏极制造

[实用新型]一种双通道变掺杂LDMOS器件-CN201820293374.0有效
发明人：毛焜;姚尧 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。
深N阱衬底多段本实用新型掺杂多晶硅栅双通道埋层源极比导通电阻击穿电压交界区域绝缘隔离漏极

[发明专利]多阱型器具-CN201780010957.6在审
发明人：岛崎猛夫;北野裕美子;山田秀树 -专利权人：株式会社银岭实验室;伸晃化学株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明提供可拓展现有的微量滴定板的使用方法的多阱型器具。多阱型器具(1)具备多个阱(3)、分别在多个阱的每一个和邻接的阱之间设置的边界部(4)、设置于边界部(4)中至少一个边界部的过滤器(6)。
边界部过滤器微量滴定板邻接拓展

[发明专利]一种量子阱雪崩光电二极管-CN202110526233.5有效
发明人：王登魁;魏志鹏;方铉;房丹;唐吉龙;林逢源;李科学;王新伟;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。
一种量子雪崩光电二极管

[发明专利]多指条形GGNMOS、静电保护电路-CN201010221840.2有效
发明人：单毅;陈晓杰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种多指条形GGNMOS、静电保护电路，所述多指条形GGNMOS包括：P型半导体衬底，包括器件区；形成于器件区内的至少两个NMOS晶体管；位于相邻NMOS晶体管的漏极之间的半导体衬底内的N型连接阱，且所述N型连接阱与其两侧的漏极连接；所述N型连接阱的表面区域内形成有N型连接区。本发明提供的多指条形GGNMOS具有良好的导通均匀性。
条形 ggnmos 静电保护电路

[发明专利]一种具有多指漏极的光电探测器件及其制作方法-CN201910577217.1在审
发明人：金湘亮;曹胜果 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多指漏极的光电探测器件，包括P型衬底，P型衬底上嵌有高压深N阱，高压深N阱上嵌有P阱，P型衬底与高压深N阱、高压深N阱与P阱形成两个二极管结构；P阱上设有多个同心的环形N+漏极，P阱上设有环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构。本发明采用多指的N+注入区作为漏极并与P阱形成具有紫外/蓝紫光响应的光电二极管的结构进行感光，同时利用P阱与高压深N阱以及高压深N阱与P型衬底所形成的两个二极管结构，通过电极引出端形成短路结构，有效降低了器件对可见
高压深N阱漏极衬底光电探测器件二极管结构蓝紫光嵌有源极波长选择性电极引出端光电二极管短路结构感光结构环形栅极近红外光同心的注入区响应感光制作

[发明专利]GaIn比例渐变的W型锑基半导体激光器-CN201510111618.X有效
发明人：唐吉龙;魏志鹏;方铉;房丹;高娴;牛守柱;王菲;马晓辉;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb
ga in 比例渐变型锑基半导体激光器

[发明专利]多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法-CN202210859060.3在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法。多互补式金属氧化物半导体元件整合结构，包括：半导体层、多个绝缘区、第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、第一低压P型阱区与第二低压P型阱区、第一低压N型阱区与第二低压N型阱区、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极、第五栅极、第六栅极、第七栅极以及第八栅极。
互补金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法

[发明专利]一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED-CN200910046837.9有效
发明人：潘尧波;郝茂盛;张国义;周健华;颜建锋 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层、在所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层、及在所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层上生长的多量子阱In_{z多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。}
一种 in 组分 ingan gan 量子结构 led

[发明专利]一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构-CN202111582516.8在审
发明人：任占强;王琛琛;李青民;李波;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李会利;杜美本;杨欢 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。
一种用于波长发射半导体激光器外延结构

[发明专利]一种高压NLDMOS静电保护结构-CN201210152866.5有效
发明人：苏庆;苗彬彬;王邦磷;邓樟鹏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压NLDMOS静电保护结构，在硅衬底上排列成多指状，包括：硅衬底上部形成有交替排列的高压N阱和高压P阱，器件左右最外侧的高压N阱中形成有相间排布的N型注入区和P型注入区，器件中间的高压N阱中形成有N型注入区，高压P阱中形成有相间排布N型注入区和P型注入区，多晶硅栅形成于高压N阱和高压P阱相接处的上方；所有高压P阱中的N型注入区和P型注入区相连接地，左右最外侧的高压N阱中的P型注入区与该高压N阱中一N型注入区相连接静电输入端，所有器件中间高压N阱中的N型注入区接静电输入端，所有多晶硅栅接信号端。
一种高压 nldmos 静电保护结构

[发明专利]一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构-CN202111645019.8在审
发明人：朱敏;朱文昭;杨博翰;吴有余 -专利权人：无锡沐创集成电路设计有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。
一种多熵源硬件随机数发生器电路版图结构

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法-CN201710021559.6有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层，多量子阱层由多层量子阱层和多层量子垒层交替层叠而成，量子阱层为掺有Al的InGaN层，量子垒层为GaN层；多层量子阱层沿多层量子阱层的层叠方向依次属于前阱、中阱、后阱，属于前阱的量子阱层、属于中阱的量子阱层、属于后阱的量子阱层的厚度依次减小，In组分含量依次增大，Al掺杂浓度依次减小。本发明将尽量多的电子限制在最靠近P型AlGaN层的几层量子阱层中，同时方便空穴注入多量子阱层，提高发光二极管的发光效率。
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

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