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[发明专利]一种复合型pAlGaN电极接触层、深紫外LED外延片及其制备方法-CN202011607928.8有效
发明人：崔志强;贾晓龙;孟锡俊;蒋国文;徐广源;王晓东 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合型pAlGaN电极接触层、深紫外LED外延片及其制备方法，属于半导体外延材料结构技术领域，能够改善pGaN对于紫外光吸收比较严重，出光效率低的问题。本发明的复合型pAlGaN电极接触层，包括m+2个子层，至少一个子层由pAlxGa1‑xN/pAlyGa1‑yN交替生长k个循环而成，复合型pAlGaN生长过程中，Mg与Ⅲ族元素摩尔浓度比值为a，其中，m≥1，k≥1，x、y分别为AlxGa1‑xN、pAlyGa1‑yN的Al组分，每个循环中0＜y＜x＜1；x值、y值随子层数的增加而降低，a值随子层数的增加而升高。本发明的复合型pAlGaN电极接触层，使用组分渐变式超晶格结构，能够减少AlGaN晶格失配，减少AlGaN生长位错密度，提高结晶质量，解决pAlGaN的空穴浓度随Al组份增加而降低的问题。
一种复合型 palgan 电极接触深紫 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种多波长半导体激光器芯片及其制作方法-CN202210771525.X在审
发明人：李青民;王琛琛;任占强;李喜荣;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李波 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种多波长半导体激光器芯片及其制作方法，用以解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的技术问题。本发明的制作方法包括选取设置有至少两个量子阱单元的N型衬底；在N型衬底上部刻蚀形成相应的脊波导；淀积绝缘薄膜；在脊波导上分别刻蚀开孔；沉积P型金属层，形成相应数量的P电极；对N型衬底的底部进行减薄抛光；沉积N型金属层，形成N电极，多波长半导体激光器芯片制作完成。本发明提供的一种多波长半导体激光器芯片包括生长了至少两个量子阱单元的N型衬底；N型衬底底部沉积有N电极；N型衬底上部刻蚀形成有与量子阱单元数量相同的多个脊波导；每个脊波导上部沉积有相应的P电极。
一种波长半导体激光器芯片及其制作方法

[发明专利]一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构-CN202111582516.8在审
发明人：任占强;王琛琛;李青民;李波;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李会利;杜美本;杨欢 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。
一种用于波长发射半导体激光器外延结构

[实用新型]一种MOCVD装置-CN202023270263.4有效
发明人：蒋国文;贾晓龙;崔志强;孟锡俊;徐广源;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD装置，包括气流分布调节机构，气流分布调节机构包括：第一板，第一板包括由半径划分的多个第一区域和第二区域；第一区域内设置至少一个第一通风孔，第二区域内设置至少一个第二通风孔；由第一板中心径向向外，第一区域的通风面积逐渐增大，第二区域的通风面积逐渐减小；第二板，第二板包括第三通风孔和挡片，第二板相对于第一板在第一位置、第二位置之间转动；在第一位置，第三通风孔与第一通风孔连通，挡片挡住第二通风孔；在第二位置，第三通风孔与第二通风孔连通，挡片挡住第一通风孔。本发明的结构简单，能够快速调节托盘径向气流分布，保证生长材料的厚度均匀性。
一种 mocvd 装置

[实用新型]一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片-CN202022398654.8有效
发明人： 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片，该InAlGaN超晶格结构为多周期循环结构，每一个周期都包括InGaN阱层、位于所述InGaN阱层上的InAlGaN盖层、位于所述InAlGaN盖层上的GaN盖层和位于所述GaN盖层上的n型InAlGaN垒层。该结构的InAlGaN超晶格结构为低温InAlGaN超晶格结构，其能有效地缓解晶体中的应力，抑制线性位错的延伸，从而降低核心区域量子阱垒层的缺陷密度，提高量子阱质量，进而提高紫外GaN基发光二极管的光效和可靠性。
一种 inalgan 晶格结构具有发光二极管芯片

[发明专利]一种纳米图形化衬底及其制作方法-CN202011474285.4在审
发明人：徐广源;崔志强;贾晓龙;孟锡俊;蒋国文 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本专利公开了一种纳米图形化衬底的制作方法，所述方法包括：步骤一、在衬底上施加具有多个孔洞的模板，所述孔洞的直径范围为100nm‑800nm；步骤二、透过所述模板的孔洞向所述衬底与所述孔洞对应的表面施加氮化铝层；步骤三、将施加有氮化铝层的衬底进行退火。本专利还公开了使用上述方法制作的纳米图形化衬底。通过上述方案使得衬底具有纳米图形化衬底以及磁控溅射形成氮化铝衬底的优点。同时无需复杂的步骤制作图形化衬底也无需在衬底上另外形成缓冲层而直接在衬底上生长高质量的半导体外延材料。因此简化了生产工艺并提高了衬底的质量。
一种纳米图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种MOCVD装置-CN202011605274.5在审
发明人：蒋国文;贾晓龙;崔志强;孟锡俊;徐广源;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD装置，包括气流分布调节机构，气流分布调节机构包括：第一板，第一板包括由半径划分的多个第一区域和第二区域；第一区域内设置至少一个第一通风孔，第二区域内设置至少一个第二通风孔；由第一板中心径向向外，第一区域的通风面积逐渐增大，第二区域的通风面积逐渐减小；第二板，第二板包括第三通风孔和挡片，第二板相对于第一板在第一位置、第二位置之间转动；在第一位置，第三通风孔与第一通风孔连通，挡片挡住第二通风孔；在第二位置，第三通风孔与第二通风孔连通，挡片挡住第一通风孔。本发明的结构简单，能够快速调节托盘径向气流分布，保证生长材料的厚度均匀性。
一种 mocvd 装置

[发明专利]InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片-CN202011153771.6在审
发明人： 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片，生长方法包括以下步骤：(1)、生长InGaN阱层，所述InGaN阱层的生长温度为600℃～700℃；(2)、在所述InGaN阱层上生长InAlGaN Cap层，述InAlGaN Cap层的生长温度为600℃～700℃；(3)、在所述InAlGaN Cap层上生长GaN Cap层，所述所述GaN cap层的生长温度为600℃～700℃；(4)、在所述GaN Cap层上生长n型InAlGaN垒层，所述n型InAlGaN垒层的生长温度为600℃～700℃；(5)、重复上述步骤(1)～(4)多次，形成多周期循环结构的InAlGaN超晶格结构。其能够有效改善核心层量子阱层的质量，降低阱垒层的缺陷，从而提高紫外GaN基LED的光效和可靠性。
inalgan 晶格结构生长方法外延芯片

[发明专利]复合电流扩展层及其制作方法-CN201710676698.2有效
发明人： 孟锡俊;张翼;陈勘 -专利权人：西安中为光电科技有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合电流扩展层及其制作方法，属一种电流扩展层的制作方法，所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层；通过多层复合而成的电流扩展层，异质结高迁移率二维电子或空穴气电流扩展层，利用该高迁移率的二维电子或空穴气层，可将电流更加有效的扩展开，消除电流拥堵严重的问题，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效应；同时本发明所提供的一种复合电流扩展层结构简单，适于在各类芯片上生长使用，应用范围广阔。
复合电流扩展及其制作方法

[发明专利]n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法-CN201811328759.7有效
发明人：周小伟;王燕丽;吴金星;张心禹;李培咸;许晟瑞;孟锡俊;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有紫外发光二极管电流拥堵的问题。其自下而上包括：磁控溅射AlN的c面蓝宝石衬底层(1)、u型AlxGa1‑xN层(2)、n型AlxGa1‑xN层(3)、InyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型AlxGa1‑xN层(3)采用由AlxGa1‑xN层和GaN层按照10‑60的周期交替生长的n‑AlxGa1‑xN层和u‑GaN层组成的调制掺杂结构。本发明提高了器件的电导率，缓解了电流拥堵效应，从而提高了器件的发光效率，可用于紫外和深紫外发光设备中。
algan 调制掺杂高效紫外发光二极管制备方法

[发明专利]基于r面Al₂O₃衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710206926.X有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;赵颖;李培咸;刘大为;张进成;孟锡俊;林志宇;牛牧童;陶鸿昌;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于r面Al₂O₃衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al₂O₃衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 al2o3 衬底氮化物发光二极管

[发明专利]基于m面LiAlO₂衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710210415.5有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;杜金娟;李培咸;刘大为;张进成;李雨洋;黄俊;牛牧童;黄钰智;孟锡俊;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于m面LiAlO₂衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO₂衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 lialo2 衬底氮化物发光二极管

[发明专利]基于c面Al₂O₃衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710210413.6有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;赵颖;林志宇;孟锡俊;张进成;刘大为;李培咸;牛牧童;黄俊;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面Al₂O₃衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al₂O₃衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 al2o3 衬底氮化物发光二极管

[发明专利]基于c面Al₂O₃衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710206927.4有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;李培咸;刘大为;张进成;孟锡俊;李雨洋;牛牧童;郝跃;林志宇;吴浩洋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面Al₂O₃衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al₂O₃衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 al2o3 衬底氮化物发光二极管

[发明专利]基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710207374.4有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;范晓萌;林志宇;刘大为;张进成;孟锡俊;李培咸;牛牧童;马德璞;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 sic 衬底氮化物发光二极管

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