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[发明专利]软件升级包封装方法和装置、解封装方法和装置-CN202011500682.4有效
发明人：梅武钢 -专利权人：上海芯安信息科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明提供一种软件升级包封装方法和装置、解封装方法和装置，所述封装方法包括：获取软件升级文件包，其中，软件升级文件包包括：包头、包体和包尾；对包体中的数据进行重新封装；按照预设大小对重新封装后的包体进行分割；对分割后的每个子包进行二次封装处理，并为每个子包加上子包头；根据包头、每个子包头与其对应的子包和包尾获得封装后的软件升级文件包。本发明的封装方法，能够防止原始的数据包被修改，保证原始的数据包的安全性，不容易被窃取。
软件升级封装方法装置解封

[实用新型]具有天线组件的半导体封装结构-CN201721855671.1有效
发明人：陈彦亨;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本实用新型具有天线组件的半导体封装结构，包括：基板，具有至少一个贯穿的激光通孔；重新布线层，位于基板一表面上；金属凸块，位于重新布线层远离基板的一侧并与之电连接；半导体芯片，位于重新布线层远离基板一侧的表面并与之电连接；导电柱，填充于激光通孔内；塑封材料层，包围金属凸块及半导体芯片；及天线组件，经由导电柱及重新布线层与金属凸块电连接，通过上述方案，塑封材料层全部包覆半导体芯片，保证封装稳定性，将半导体芯片与金属凸块同时塑封，提高封装效率以及良率；天线组件的布局及通过导电柱、重新布线层及金属凸块的电连接设计，有利于合理的封装设计；选择石英玻璃作为基板，解决热效应及后续工艺中芯片易翘曲等问题。
重新布线层金属凸块基板半导体芯片天线组件电连接导电柱半导体封装结构激光通孔塑封材料热效应本实用新型封装设计封装效率后续工艺石英玻璃中芯片包覆良率翘曲塑封封装填充包围贯穿保证

[发明专利]具有3D堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法-CN201710476280.7在审
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有3D堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法，所述封装结构包括芯片结构，芯片结构包括裸芯片及位于裸芯片上、并与裸芯片电连接的接触焊盘，接触焊盘所在表面为芯片结构的上表面；包围芯片结构，同时暴露出芯片结构上表面的塑封层；位于塑封层上表面及芯片结构上表面的重新布线层，重新布线层与接触焊盘电连接；位于重新布线层外侧的塑封层上的3D堆叠天线，3D堆叠天线通过重新布线层与芯片结构电连接；及位于重新布线层上的焊球凸块，焊球凸块与重新布线层电连接通过本发明所述具有3D堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法，解决了现有射频芯片在使用时为保证天线增益，导致PCB板面积变大的问题。
具有堆叠天线扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]具有电磁防护的扇出型天线封装结构及其制备方法-CN201810011071.X在审
发明人：陈彦亨;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电磁防护的扇出型天线封装结构及其制备方法，包括：重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，正面朝向重新布线层倒装装设于所述重新布线层的第一表面；塑封材料层，位于重新布线层的第一表面，且塑封于半导体芯片的外围；天线结构，包括天线，天线位于所述塑封材料层远离重新布线层的表面；电磁防护结构，至少位于半导体芯片与所述天线结构之间，且电磁防护结构在半导体芯片所在平面的正投影完全覆盖半导体芯片；焊球凸块，位于重新布线层的第二表面。本发明可以将天线制备与半导体芯片的正上方，可以有效增加天线的使用面积，从而缩小整个封装结构的尺寸，降低塑封材料层的使用量，节约封装成本。
半导体芯片重新布线层天线第一表面塑封材料制备电磁防护结构第二表面电磁防护天线封装天线结构扇出型封装结构所在平面正投影倒装焊球塑封凸块装设封装外围节约

[发明专利]一种晶圆系统级扇出型封装结构及其制作方法-CN202011310599.0在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆系统级扇出型封装结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成重新布线层，所述重新布线层包括相对设置的第一面与第二面；提供至少一贴片元件，将所述贴片元件接合于所述重新布线层的第二面上；提供至少一正面设有凸块的裸片，将所述裸片正面接合于所述重新布线层的第二面上；形成塑封层于所述重新布线层的第二面上，所述塑封层覆盖所述贴片元件及所述裸片。本发明的晶圆系统级扇出型封装结构及其制作方法将裸片与贴片元件一同封装在塑封层中，并通过重新布线层实现裸片与贴片元件的互连及引出，可以增加扇出功能整合性，提升单一芯片功能及效率，并优化体积。
一种系统级扇出型封装结构及其制作方法

[实用新型]具有电磁防护的扇出型天线封装结构-CN201820017432.7有效
发明人：陈彦亨;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有电磁防护的扇出型天线封装结构，包括：重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，正面朝向重新布线层倒装装设于所述重新布线层的第一表面；塑封材料层，位于重新布线层的第一表面，且塑封于半导体芯片的外围；天线结构，包括天线，天线位于所述塑封材料层远离重新布线层的表面；电磁防护结构，至少位于半导体芯片与所述天线结构之间，且电磁防护结构在半导体芯片所在平面的正投影完全覆盖半导体芯片；焊球凸块，位于重新布线层的第二表面。本实用新型可以将天线制备与半导体芯片的正上方，可以有效增加天线的使用面积，从而缩小整个封装结构的尺寸，降低塑封材料层的使用量，节约封装成本。
半导体芯片重新布线层天线第一表面塑封材料电磁防护结构本实用新型第二表面电磁防护天线封装天线结构扇出型封装结构所在平面正投影倒装焊球塑封凸块装设封装制备外围节约

[实用新型]具有3D堆叠天线的扇出型封装结构-CN201720729865.0有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，所述封装结构包括芯片结构，芯片结构包括裸芯片及位于裸芯片上、并与裸芯片电连接的接触焊盘，接触焊盘所在表面为芯片结构的上表面；包围芯片结构，同时暴露出芯片结构上表面的塑封层；位于塑封层上表面及芯片结构上表面的重新布线层，重新布线层与接触焊盘电连接；位于重新布线层外侧的塑封层上的3D堆叠天线，3D堆叠天线通过重新布线层与芯片结构电连接；及位于重新布线层上的焊球凸块，焊球凸块与重新布线层电连接通过本实用新型所述具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，解决了现有射频芯片在使用时为保证天线增益，导致PCB板面积变大的问题。
具有堆叠天线扇出型封装结构

[实用新型]扇出型晶圆级封装结构-CN202021943526.0有效
发明人：赵海霖 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，该结构包括：两片以上具有焊垫的半导体芯片，半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列，每个半导体芯片具有各自的初始位置；塑封层，覆盖半导体芯片表面及各半导体芯片之间，每个半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置，偏移位置相对于初始位置具有偏移距离；重新布线层，形成于半导体芯片上，以实现各半导体芯片之间的互连，重新布线层至少包括一层第一重新布线层，第一重新布线层形成于半导体芯片的表面上，且与半导体芯片的焊垫对齐连接；金属凸块，形成于重新布线层上。该扇出型晶圆级封装结构可实现半导体芯片与重新布线层的有效对准，提高晶圆片封装的成品率。
扇出型晶圆级封装结构

[发明专利]封装件基板及半导体封装件-CN201910110063.5有效
发明人：金恩珍;金汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种封装件基板及半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有设置为彼此背对的第一表面和第二表面并且包括绝缘构件和多个重新分布层，所述绝缘构件具有多个绝缘层，所述多个重新分布层分别设置在所述多个绝缘层上；半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上并且具有电连接到所述多个重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片，其中，所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层包括布置有多个孔的虚设电极图案
封装件基板半导体

[实用新型]一种散热封装结构-CN201822272009.4有效
发明人：孙绪燕 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热封装结构，包括：芯片；集成无源器件；塑封层，所述塑封层包覆所述芯片和所述集成无源器件；微流控芯片，所述微流控芯片设置在所述塑封层的上部；第一重新布局布线层，所述第一重新布局布线层设置在所述塑封层的下部，且电连接所述芯片和所述集成无源器件；第二重新布局布线层，所述第二重新布局布线层电连接至所述第一重新布局布线层；以及外接焊球。基于本实用新型的该种散热封装结构具有更小、更薄的体积；易于实现系统集成式封装；设计灵活；微流控直接集成于主芯片的位置附近，散热效果更好。
布线层塑封层集成无源器件散热封装结构本实用新型微流控芯片芯片电连接系统集成式散热效果微流控主芯片包覆焊球外接封装灵活

[发明专利]用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺-CN201810105352.1在审
发明人：王新;蒋振雷;陈坚 -专利权人：浙江卓晶科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过微硅晶块连接。本发明还公开了此种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构的封装工艺。采用发明的设计方案，可以把尺寸大小各异的无源器件与裸晶片同时集成封装，大大提高了集成度，对于wifi，PA，PMU等类型的使用大量无源器件的应用尤为适合，同时，三维堆叠方式大大缩小了封装面积。
重新布线层三维立体封装多芯片介电层晶圆级扇出型金属连接结构封装工艺无源器件塑封层被动元件互联结构集成封装金属触点三维堆叠集成度裸晶片晶块两层塑封微硅无源封装芯片配合应用

[发明专利]一种扇出封装方法及封装结构-CN201910734809.X在审
发明人：李恒甫;孙鹏 -专利权人：上海先方半导体有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出封装方法及封装结构，该方法包括：在载板的第一表面的两端形成重新布线层；在重新布线层上表面形成导电金属柱；将芯片的背面贴附在载板的第一表面的空白区；在载板的第一表面形成塑封层，在芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层去除载板以及与载板的第一表面形成的临时键合层，贯穿与重新布线层连接的绝缘介质层形成与重新布线层电连接的焊点。本发明提供的方法实现了芯片的双面扇出封装，由于导电金属柱贯穿设置在塑封层中，所以芯片层两侧可以通过该导电金属柱实现电连接，降低了封装结构的生产难度，提高了各工艺可靠性，减小了封装结构的体积。
载板导电金属柱重新布线层第一表面封装结构电连接塑封层芯片导电互连上表面扇出封装焊点工艺可靠性绝缘介质层临时键合生产难度空白区芯片层贯穿减小去除贴附背面

[发明专利]一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法-CN201710173498.5在审
发明人：吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，其中，封装结构至少包括：重新布线层；键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块；形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层；以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。本发明中的塑封层为倒装芯片和重新布线层之间提供了无缝隙粘合以及良好的接合结构，避免了界面分层的风险，提高了封装结构的可靠性；同时采用具有凸块保护结构的倒装芯片，有效保护和固定互联凸块，防止互联凸块失效。
一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法

[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构-CN201720282135.0有效
发明人：吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，其中，封装结构至少包括：重新布线层；键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块；形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层；以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。本实用新型中的塑封层为倒装芯片和重新布线层之间提供了无缝隙粘合以及良好的接合结构，避免了界面分层的风险，提高了封装结构的可靠性；同时采用具有凸块保护结构的倒装芯片，有效保护和固定互联凸块，防止互联凸块失效
一种扇出型晶圆级封装结构

[实用新型]一种芯片扇出型低厚度封装结构-CN202221676914.6有效
发明人：李太龙;邵滋人;付永朝 -专利权人：紫光宏茂微电子（上海）有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体地说是一种芯片扇出型低厚度封装结构。一种芯片扇出型低厚度封装结构，所述封装结构包括第一重新布线层、功能芯片叠片结构、第一封装层，所述第一重新布线层的上方设有功能芯片叠片结构，功能芯片叠片结构的外部包裹第一封装层，所述功能芯片叠片结构由若干功能芯片组成，所述若干功能芯片呈阶梯状错位分布，所述功能芯片的下端一侧设有焊盘，所述功能芯片的焊盘通过导电结构与第一重新布线层电连接。本实用新型同现有技术相比，本实用新型减薄封装体的厚度，采用深孔导电结构或金属连接柱使功能芯片与外界实行电连接，大大提高了产品的运行速度，增强数据处理能力，采用扇出型封装，缩小了封装体的面积。
一种芯片扇出型低厚度封装结构