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[发明专利]芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片-CN202011226912.2有效
发明人：丁凯文;冷群文;邹泉波;赵海轮;安琪;周汪洋;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。
芯片钝化制备方法

[发明专利]芯片叠层封装结构和芯片叠层封装方法-CN202110819499.9在审
发明人：张吉钦;何正鸿 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种芯片叠层封装结构和芯片叠层封装方法，涉及半导体封装技术领域，芯片叠层封装结构包括基底电路板、第一芯片、保护覆胶层、第二芯片、线路连接层、第三芯片和包封层，通过在基底电路板上贴装第一芯片，再在包覆在第一芯片外的保护覆胶层上设置第二芯片，并在包覆在保护覆胶层外的线路连接层上设置第三芯片，且在线路连接层上还设置有第一电性柱，第三芯片、第二芯片以及线路连接层通过第一电性柱电连接为一体，同时完成了第一芯片、第二芯片和第三芯片的堆叠，这种堆叠结构避免了芯片之间的相互干涉，且无需打线，降低了封装难度，且提升了存储芯片数量，提高了产品性能。
芯片封装结构方法

[实用新型]中介层和芯片-CN202121482419.7有效
发明人：李广;林志峰;王光明;郑焦;姜泽飞;吴平 -专利权人：深圳市真迈生物科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种中介层和芯片。中介层具有镂空结构，中介层包括基层、第一粘合剂层、第二粘合剂层和一个或多个流体通道。其中，基层具有相背的第一表面和第二表面，第一粘合剂层设置在第一表面，第二粘合剂层设置在第二表面，一个或多个流体通道为贯穿基层、第一粘合剂层和第二粘合剂层形成的镂空结构。本申请实施方式中的中介层，基层作为中介层的主要组成部分，第一粘合剂层与第二粘合剂层可以配合将中介层固定在芯片的其他结构上，流体通道可以直接由贯穿中介层的镂空结构形成，从而简化了流体通道的制造工序。
中介芯片

[发明专利]芯片的钝化层及形成芯片的钝化层的方法-CN201710551912.1有效
发明人：蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了芯片的钝化层和形成芯片的钝化层的方法，包括第一层、第二层、第三层和第四层，所述第一层、第二层、第三层和第四层依次重叠以包覆所述芯片。所述芯片上形成有金属凸块；所述第一层覆盖所述芯片和所述金属凸块；所述第二层覆盖所述第一层，所述第二层包括平坦部和凸出部，所述凸出部的侧壁与所述金属凸块的侧壁构成一锐角。所述凸出部的侧壁与金属凸块的侧壁形成一斜坡，减少金属凸块侧壁与芯片表面的钝化层之间的挤压。所述芯片的钝化层和形成芯片的钝化层的方法有效的减小了金属凸块侧壁和芯片表面的钝化层内部的应力，减少了钝化层出现的针孔和裂纹的几率，提高了芯片的良率和使用寿命。
芯片钝化形成方法

[发明专利]封装结构的成型方法-CN201811632605.7有效
发明人：周青云;沈锦新;周海锋;吴昊平;张江华 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明揭示了一种封装结构的成型方法，芯片组件包括芯片及屏蔽层，芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于芯片正面及芯片背面之间的芯片侧面，芯片正面设有芯片连接端子，屏蔽层包括背面屏蔽层、侧面屏蔽层及正面屏蔽层，背面屏蔽层覆盖芯片背面，侧面屏蔽层覆盖芯片侧面，正面屏蔽层位于芯片正面且正面屏蔽层与芯片连接端子相互间隔分布。本发明的芯片正面、芯片背面及芯片侧面均设置有屏蔽层，可将电磁信号对芯片的干扰降至最低。
封装结构成型方法

[发明专利]一种多芯片封装结构以及制备此多芯片封装的方法-CN201410256828.3有效
发明人：陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片封装结构以及制备此多芯片封装的方法。此多芯片封装包括多芯片叠层，其包括多个位于多个芯片层中的多个芯片。每一个芯片叠层包括二个或更多芯片。每一个芯片位于芯片叠层中至少另外一个芯片的垂直投影中，并配制于各自的芯片层中。每一个芯片叠层也包括水平导线，延伸至芯片叠层外围的周边区域。特定芯片层中的芯片电性连接至配置于特定芯片层中的水平导线。每一个芯片叠层还包括垂直导线，位于周边区域中，且电性连接至位于至少两芯片层中的水平导线。此多芯片封装还包括控制芯片，电性连接至芯片叠层中的至少一芯片。
一种芯片封装结构以及制备方法

[发明专利]一种三维芯片及其芯片间通信方法-CN202111553453.3在审
发明人：王鹏超;郝沁汾;叶笑春;范东睿 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明提出一种三维芯片，包括：多个堆叠的芯片层，每个该芯片层包括至少一个芯片；层间通信模块；该芯片与该层间通信模块通过硅通孔通信连接；第一芯片层的发送芯片通过该层间通信模块向第二芯片层的接收芯片发送数据信息还提出一种三维芯片的芯片间通信方法，包括：当第一芯片层的发送芯片拟向第二芯片层的接收芯片发送数据信息时，由该发送芯片向层间通信模块发送握手信息，该握手信息中包括该接收芯片的芯片地址；由该层间通信模块根据该芯片地址，以该握手信息进行该发送芯片与该接收芯片之间的握手操作；根据握手结果，由该层间通信模块接收该数据信息并传输至该接收芯片。
一种三维芯片及其通信方法

[发明专利]一种芯片叠装结构和芯片叠装方法-CN202010406019.1有效
发明人：何正鸿 -专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片叠装结构和芯片叠装方法，涉及芯片封装技术领域，该芯片叠装结构包括：基板；贴装在基板上的基底芯片层；多个呈阶梯状逐层堆叠在基底芯片层上并与基板电连接的第一芯片堆叠层；堆叠在第一芯片堆叠层上的中间芯片堆叠层；多个呈阶梯状逐层堆叠在中间芯片堆叠层上的第二芯片堆叠层；其中，多个第一芯片堆叠层的宽度沿堆叠方向逐层增加，多个第二芯片堆叠层的宽度沿堆叠方向逐层减小，且第一芯片堆叠层的宽度和第二芯片堆叠层的宽度均小于中间芯片堆叠层的宽度相较于现有技术，本发明提供的芯片叠装结构，其能够大幅提升堆叠数量，并大大降低了封装尺寸和封装成本。
一种芯片结构方法

[发明专利]一种倒装Micro-LED芯片及制备方法-CN202211382939.X有效
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装Micro‑LED芯片及制备方法，倒装Micro‑LED芯片包括衬底，依次设置在衬底上的蓝光芯片层、第一布拉格反射层、第一导电金属层，第一透明键合层、绿光芯片层、第二布拉格反射层、第二导电金属层、第二透明键合层、红光芯片层、第三布拉格反射层、第三导电金属层、绝缘保护层及焊盘层，其中，蓝光芯片层设置在第一布拉格反射层内，绿光芯片层设置在第二布拉格反射层内，红光芯片层设置在第三布拉格反射层内，蓝光芯片层、绿光芯片层以及红光芯片层呈垂直排列。本发明通过将三色芯片层垂直排列，有效的减小了芯片尺寸，并通过将三色芯片设置在布拉格反射层内，使该芯片发光不受影响。
一种倒装 micro led 芯片制备方法

[实用新型]一种功率器件防护芯片-CN202223260456.0有效
发明人：余嫚玲 -专利权人：深圳市芯歌电子科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件防护芯片，包括：芯片防护层，与芯片防护层固定连接的芯片层；芯片防护层包括：基板，基板上固定连接有锡脚，基板上固定连接有屏蔽罩；芯片层包括：堆叠区，与堆叠区电连的拼接区；堆叠区与拼接区均固定连接于基板上；堆叠区与拼接区上的芯片均与锡脚电连；堆叠区包括第一芯片层，第二芯片层以及第三芯片层，第一芯片层、第二芯片层以及第三芯片层上的芯片均与锡脚电连；以此解决成本过高的问题。
一种功率器件防护芯片

[发明专利]芯片封装结构及其形成方法-CN202010889370.0在审
发明人：陈威宇;苏安治 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构。芯片封装结构包括布线结构。芯片封装结构包括位于布线结构上方的第一芯片结构。芯片封装结构包括围绕第一芯片结构的第一模制层。芯片封装结构包括位于第一芯片结构和第一模制层上方的第二芯片结构。芯片封装结构包括围绕第二芯片结构并且位于第一芯片结构和第一模制层上方的第二模制层。芯片封装结构包括位于第二芯片结构和第二模制层上方的第三芯片结构。芯片封装结构包括围绕第三芯片结构并且位于第二芯片结构和第二模制层上方的第三模制层。芯片封装结构包括围绕第二模制层和第三模制层的第四模制层。本申请还涉及形成芯片封装结构的方法。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]一种多层结构的集成电路芯片-CN202210106227.9有效
发明人：刘蓉 -专利权人：深圳卓锐思创科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层结构的集成电路芯片，包括：多个芯片层和多个绝缘层，所述芯片层与所述绝缘层交替堆叠；每个芯片层内设置散热子层，每个芯片层在预设位置设置一个芯片，在芯片的周围设置散热子层，用于该层芯片的散热；多个芯片层通过电路连接系统形成引脚，并通过外壳将多个芯片层封装成多层结构的芯片，所述多层结构的芯片通过引脚与电路板上的焊点连接。解决多层结构的集成电路芯片散热的问题，保障高散热率，提升集成电路芯片的使用寿命。
一种多层结构集成电路芯片

[发明专利]芯片封装方法-CN202111506124.3在审
发明人：沈鹏飞 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片封装方法，包括：提供基板；在基板一侧形成第一芯片层，第一芯片层包括一个或多个芯片，第一芯片层的芯片的非功能面朝向基板；在第一芯片层背对基板的一侧形成第一再布线层，第一再布线层与第一芯片层的芯片的功能面电连接；在第一再布线层背对第一芯片层的一侧形成第二芯片层，第二芯片层包括一个或多个芯片，第二芯片层的芯片的功能面朝向第一再布线层且与第一再布线层电连接；在第二芯片层背对第一再布线层的一侧形成第二再布线层，第二再布线层与第一再布线层电连接；利用键合线使第二再布线层和基板电连接。本申请提供的芯片封装方法，能够实现三维多芯片的纵向垂直堆叠，节约基板横向空间，且节约成本。
芯片封装方法

[发明专利]物理地址转换装置及转换方法-CN03156962.5有效
发明人：周敏峰;马金永;张玉泉;张海生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-09-16 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H04L29/02 文献下载
摘要：一种物理地址转换装置及转换方法，其中该转换装置包括：第一接口、第二接口及转换模块，其中，第一接口，与MAC层芯片建立通信连接；第二接口，与物理层芯片建立通信连接；转换模块，用于截取并屏蔽MAC层芯片的物理地址，输出预存的物理层芯片的物理地址，以与物理层芯片物理地址相匹配，实现物理层芯片与MAC层芯片正常对接。相应物理地址转换方法，包括以下步骤：预存物理层芯片的物理地址；截取并屏蔽MAC层芯片的物理地址；输出预存物理层芯片的物理地址给物理层芯片，以与物理层芯片的物理地址相匹配，实现物理层芯片与MAC层芯片正常对接
物理地址转换装置方法

[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法-CN202011628981.6在审
发明人：王国军;曹立强;严阳阳 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，第一芯片层位于第一互联结构层一侧表面，第一芯片层包括多个第一芯片，第一芯片层中的第一芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接；第二芯片层，第二芯片层位于第一互联结构层背向第一芯片层一侧表面，第二芯片层包括多个第二芯片，第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接。第一芯片层和第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层，通过第一互联结构层实现对面焊接。需要对接的芯片对面直接焊接，可有效减少线路传输损耗，相比于锡球焊接，芯片之间的第一互联结构层的厚度相对较薄，可以有效降低封装结构的整体厚度。
一种半导体封装结构及其制造方法

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