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[实用新型]3D系统级扇出型封装结构-CN201720956173.X有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种3D系统级扇出型封装结构，所述3D系统级扇出型封装结构包括重新布线层；第一半导体芯片，正面朝下倒装键合于重新布线层的上表面；第二半导体芯片，正面朝上键合于第一半导体芯片的背面；塑封材料层，位于重新布线层的上表面；焊料凸块，位于重新布线层的下表面。本实用新型的3D系统级扇出型封装结构为通过将第二半导体芯片倒装键合于第一半导体芯片的背面，并与第一半导体芯片一起封装形成的结构3D封装结构，所述封装结构由于封装有两个半导体芯片，大大增加了封装结构的输入/输出端口，有效降低了封装结构的尺寸。
系统级扇出型封装结构

[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法-CN201810947668.5在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，所述封装结构包括：重新布线层；位于重新布线层上的第一金属连接柱；位于重新布线层上且与重新布线层电性连接的半导体芯片；覆盖重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片且显露第一金属连接柱的第一封装层；位于第一封装层的顶面上且与第一金属连接柱电性连接的第一天线金属层；位于第一天线金属层上的第二金属连接柱；覆盖第一天线金属层及第二金属连接柱且显露第二金属连接柱的第二封装层；位于第二封装层的顶面上且与第二金属连接柱电性连接的第二天线金属层；以及位于重新布线层上的金属凸块。本发明实现多层天线金属层的整合，有效缩小封装体积，具有较高的集成度以及电性稳定性。
扇出型天线封装结构方法

[发明专利]三维扇出型内存封装POP结构及其封装方法-CN202210475755.1在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种三维扇出型内存封装POP结构及其封装方法，该结构包括：三维扇出型内存封装单元，包括：两片以上呈阶梯型构造层叠的内存芯片，第一金属连接柱，与内存芯片的焊垫电连接，第一封装层，第一重新布线层，第一金属凸块，形成于第一重新布线层上；及二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元，包括：第二重新布线层，外围电路芯片，第三重新布线层，接合于外围电路芯片上，第二金属连接柱，第二封装层，包覆外围电路芯片及金属连接柱，第二金属凸块，形成于第二重新布线层上；第一金属凸块与第三重新布线层键合。该结构可以进行高密度高集成线宽线距；制程时间短，效率高；可使封装结构的厚度大幅降低，实现中道至后道取代基板的封装工艺形式。
三维扇出型内存封装 pop 结构及其方法

[发明专利]三维扇出型内存的POP封装结构及其封装方法-CN202210475762.1在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种三维扇出型内存的POP封装结构及其封装方法，该结构包括：三维扇出型内存封装单元，包括：两片以上呈阶梯型构造层叠的存储芯片，模塑基板，打线结构，第一重新布线层，第一封装层，第一金属凸块，形成于第一重新布线层上；及二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元，包括：第二重新布线层，外围电路芯片，第三重新布线层，接合于外围电路芯片上，第一金属连接柱，第二封装层，包覆外围电路芯片及第一金属连接柱，第二金属凸块，形成于第二重新布线层上；第一金属凸块与第三重新布线层键合。该结构可以进行高密度高集成线宽线距；制程时间短，效率高，提高打线良率；还可使封装结构的厚度大幅降低，实现中道至后道取代基板的封装工艺形式。
三维扇出型内存 pop 封装结构及其方法

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN202110034051.6在审
发明人：闵繁宇;李铮鸿;刘修吉;陈亮均 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装结构和制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含重新分布层结构、电子装置、第一加强结构、第二加强结构和封装体。所述重新分布层结构具有钝化层和安置在所述钝化层中的经过图案化的导电层。所述电子装置安置在所述重新分布层结构上。所述第一加强结构安置在所述重新分布层结构上并且具有第一模量。所述封装体安置在所述重新分布层结构上并且包封所述电子装置、所述第一加强结构和所述第二加强结构。
半导体封装结构制造方法

[实用新型]双层堆叠的3D扇出型封装结构-CN202120383007.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双层堆叠的3D扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
双层堆叠扇出型封装结构

[实用新型]三维堆叠的扇出型封装结构-CN202120383190.5有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维堆叠的扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
三维堆叠扇出型封装结构

[实用新型]双层塑封的3D扇出型封装结构-CN202120383235.9有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双层塑封的3D扇出型封装结构，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能。
双层塑封扇出型封装结构

[发明专利]指示包装完整性的封装件-CN200810100337.4有效
发明人： C·A·科尔;J·T·韦伯 -专利权人：卡夫食品集团公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： B65D77/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于容器的可重新密封的封装件，其中，通过当第一次打开可重新密封的封装件时破裂和/或产生可听见的声音的结构来指示包装完整性。该包装完整性部件在一种形式中包括最初附着到两部分上的至少一长条，该两部分包括可重新密封的封装件，以便在初次打开可重新密封的封装件时，至少一个长条破裂，从而产生可听见的声音。包装的完整性由在打开可重新密封的封装件时可看到原封不动的长条指示，反之，破裂或不完好的长条指示可重新密封的封装件已经预先被打开了。包装完整性还可以通过可活动的第二板条或可活动的冲切调整片部分来显示。
指示包装完整性封装

[发明专利]半导体封装件-CN202010410567.1在审
发明人：金钟润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁。重新分布层的侧壁相对于重新分布层的底表面倾斜，并且模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。
半导体封装

[发明专利]三维堆叠的扇出型封装结构及其封装方法-CN202110193795.2在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠的扇出型封装结构及其制备方法，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能；最后，该制备方法还为在单个封装体中封装三层以上的扇出型晶圆提供可能。
三维堆叠扇出型封装结构及其方法

[发明专利]双层塑封的3D扇出型封装结构及其封装方法-CN202110194210.9在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种双层塑封的3D扇出型封装结构及其制备方法，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高扇出型晶圆级封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能；最后，该制备方法还为在单个封装体中封装三层以上的扇出型晶圆提供可能。
双层塑封扇出型封装结构及其方法

[发明专利]双层堆叠的3D扇出型封装结构及其封装方法-CN202110194401.5在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种双层堆叠的3D扇出型封装结构及其制备方法，该结构包括：第一半导体芯片、塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能；最后，该制备方法还为在单个封装体中封装三层以上的扇出型晶圆提供可能。
双层堆叠扇出型封装结构及其方法

[发明专利]封装天线模组及其制备方法-CN201910662896.2在审
发明人：吴政达;于睿;林正忠;张湘辉 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司;华为终端有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种封装天线模组及其制备方法，封装天线模组包括重新布线层、天线结构、半导体芯片、第三封装层及封装天线连接器，其中，天线结构包括连接器窗口及至少堆叠设置于重新布线层的第二面上的第一天线结构及第二天线结构，封装天线连接器位于连接器窗口中并与重新布线层电连接。本发明通过位于连接器窗口中的封装天线连接器进行电性引出，可减少讯号损耗，且无需制备与重新布线层电连接的金属凸块，无需采用倒装工艺进行电连接，因而可提高封装天线模组位置布局的灵活性，进一步的提高WLP AiP
封装天线模组及其制备方法

[实用新型]封装天线模组-CN201921157991.9有效
发明人：吴政达;于睿;林正忠;张湘辉 -专利权人：中芯长电半导体(江阴)有限公司;华为终端有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种封装天线模组，封装天线模组包括重新布线层、天线结构、半导体芯片、第三封装层及封装天线连接器，其中，天线结构包括连接器窗口及至少堆叠设置于重新布线层的第二面上的第一天线结构及第二天线结构，封装天线连接器位于连接器窗口中并与重新布线层电连接。本实用新型通过位于连接器窗口中的封装天线连接器进行电性引出，可减少讯号损耗，且无需制备与重新布线层电连接的金属凸块，无需采用倒装工艺进行电连接，因而可提高封装天线模组位置布局的灵活性，进一步的提高WLP
封装重新布线层天线结构连接器天线连接器天线模组电连接本实用新型半导体芯片堆叠设置金属凸块位置布局整体竞争封装层倒装电性制备