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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种有效避免故障注入攻击的方法-CN202210141483.1在审
发明人：曾小光;蒋荟林;吴家富;胡坚珉 -专利权人：忆月启函（上海）科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F21/56 文献下载
摘要：该有效避免故障注入攻击的方法，包括SoC芯片，所述SoC芯片包含有CPU、eFuse和TRNG模块，所述TRNG模块用于产生随机数，所述SoC芯片通过随机数计算得到随机时间和随机数据长度，所述SoC芯片分批次从本发明无需额外增加硬件成本，通过SoC芯片所具有的TRNG模块，增强对故障注入攻击的保护能力，在SoC芯片复位启动时实施避免故障注入攻击的程序，启动后不会对底层驱动、操作系统、应用程序等带来任何影响。
一种有效避免故障注入攻击方法

[发明专利]芯片散热封装结构及其制作方法-CN202210917597.0在审
发明人：顾骁;赵励强;朱琪;杨志 -专利权人：长电科技管理有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明揭示了一种芯片散热封装结构及其制作方法，所述封装结构包括基板、芯片、散热块和塑封体，基板部分区域处设置一通孔，散热块设置于通孔内，芯片设置于散热块上表面，并与基板形成电性连接，塑封体包覆基板、芯片和散热块的上表面及侧表面塑封料沿通孔区域能够同时覆盖基板上表面和基板下表面的部分区域，与基板之间形成一种部分包覆结构，增加基板和塑封料之间结合的牢固程度，且芯片贴装和基板加工分开完成，不会由于基板良率损失造成芯片浪费。
芯片散热封装结构及其制作方法

[发明专利]数据传输方法、装置、时序控制器及存储介质-CN202210614711.2在审
发明人：南帐镇;李东明;白东勋;李大浚 -专利权人：北京奕斯伟计算技术股份有限公司;合肥奕斯伟集成电路有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：在本申请中，源极驱动芯片完成时钟校准之后，时序控制器在向源极驱动芯片发送链路稳定序列和显示数据之前，先通过数据通道向源极驱动芯片发送配置信息，以此来对源极驱动芯片的物理层参数进行配置，从而优化源极驱动芯片的接收性能另外，第一标识码能够指示包括配置信息的初始化控制指令开始传输，这样，有利于源极驱动芯片准确识别该初始化控制指令。
数据传输方法装置时序控制器存储介质

[发明专利]降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质-CN202211220501.1在审
发明人：温靖康;鲍奇兵;高益;王振彪;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组；该方法先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
降低存储芯片擦除概率方法电子设备介质

[发明专利]针对微控制芯片的固件烧录方法、装置、系统及存储介质-CN202211552692.1在审
发明人：刘吉平;陈天;王翔;郑增忠 -专利权人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F21/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对微控制芯片的固件烧录方法、装置、系统及存储介质。本发明可以获取待烧录的初始固件，并设置初始固件的访问密钥，接收固件烧录请求，提取固件烧录请求中关联的微控制芯片的特征参数，根据特征参数对初始固件进行加密，并将加密后的目标固件发送至与微控制芯片关联的烧录器，控制烧录器根据访问密钥以及目标固件对微控制芯片进行固件烧录。本申请实施例可以通过烧录器获取关联的微控制芯片特征参数，并根据该参数对固件进行加密，使得只有对应的微控制芯片才可以进行固件烧录，因此可以避免固件泄露，有效提升了安全性。
针对控制芯片固件烧录方法装置系统存储介质

[发明专利]芯片测试方法及相关装置-CN202211274503.9在审
发明人：王洁;范硕;陈曦 -专利权人：上海水木蓝鲸半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种芯片测试方法及相关装置，方法包括：在芯片第一次被上电时，获取芯片的待校验信息，待校验信息包括P个备份trim信息；获取芯片的标准信息，标准信息包括P个标准trim信息；将P个备份trimtrim信息对应的校验信息进行校验，得到被校验成功的K个备份trim信息；根据被校验成功的K个备份trim信息进行加载操作，得到加载结果标志；启动处理器，读取加载结果标志；在加载结果标志满足预设条件时，确认芯片正常采用本申请实施例能够提升芯片测试效率。
芯片测试方法相关装置

[发明专利]一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片-CN202210002578.5在审
发明人：徐贺;朱楠;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技(上海)有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01H85/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片，涉及功率器件领域。本发明使用具有熔丝特性的自恢复熔断结构用于功率半导体芯片的功率回路和信号回路的连接，适用于任何多芯片并联的功率半导体模块的拓扑，在模块发生单芯片故障失效时能够迅速将失效芯片进行电气隔离，防止失效蔓延至其余健康芯片
一种恢复熔断结构具有功率半导体芯片

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202110580706.X在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决目前的TSV结构的平坦度较低，影响芯片的使用性能的技术问题。该半导体结构包括：多个芯片，多个所述芯片层叠设置；层间介质层，所述层间介质层位于相邻的所述芯片之间；多个导电通孔，多个导电通孔中的至少一个穿设至少两层所述芯片，并电性连接该至少两层所述芯片。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种信道估计方法、装置及相关设备-CN202110587587.0在审
发明人：朱清;刘晟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：方法包括：电芯片获取目标无线信道的信道关联矩阵，并确定出信道关联矩阵的对角元素矩阵的第一逆矩阵。电芯片根据信道关联矩阵确定第一待乘矩阵，并根据第一逆矩阵确定预设的第一参量矩阵的取值。电芯片和光芯片协同计算得到第一待乘矩阵与第一参量矩阵的第一乘积。电芯片根据第一乘积确定出信道关联矩阵对应的目标逆矩阵。电芯片根据目标逆矩阵以及目标无线信道的接收向量确定出目标无线信道的发射向量。
一种信道估计方法装置相关设备

[发明专利]一种低功耗高精度的32.768k振荡器-CN202210897556.X在审
发明人：李湘春;钟圆梦;李宇星 -专利权人：苏州锐联芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低功耗高精度的32.768k振荡器，涉及芯片领域。通过低压差线性稳压电源和温度补偿电阻模块的加入，使得芯片输出频率的精度受电源电压、温度以及工艺影响较小，进而使得本发明的芯片无需外接晶振就能够达到一个较高的精度，在一定程度上降低了芯片成本，并且整颗芯片的功耗较低，芯片面积也很小，在同类振荡器产品中具有较好的市场竞争力。
一种功耗高精度 32.768 振荡器

[发明专利]Softmax模型的量化方法、装置、设备及介质-CN202211106102.2在审
发明人：李迎;张克俭;张亚林 -专利权人：上海燧原科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了Softmax模型的量化方法、装置、设备及介质，包括：将Softmax模型对应的原始输入向量加载至目标芯片中，通过目标芯片确定与原始输入向量匹配的目标输入向量；通过目标芯片中的DMA控制器从地址查询链表中获取多个目标查询地址；通过DMA控制器根据各目标查询地址，分别从指数运算查找表以及求和运算查找表中，获取目标输入向量匹配的指数运算输出结果以及求和运算输出结果；通过目标芯片根据指数运算输出结果以及求和运算输出结果，确定与Softmax本发明实施例的技术方案可以有效降低目标芯片中Softmax模型的运算量，提升目标芯片对Softmax模型的在线处理性能。
softmax 模型量化方法装置设备介质

[发明专利]开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法-CN202310106808.7在审
发明人：郭春生;徐文轩;王跃 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法，以栅极电压、源漏电压、源漏电流和温度作为维度，创建四维数据库。本发明使用可以更加精确表征芯片结温实时变化的温敏参数：栅极电压、源漏电压、源漏电流。测量芯片在不同温度下上述的温敏参数，测量结束后，通过对测量数据插值、拟合，建立栅极电压‑源漏电压‑源漏电流‑温度四维校温数据库。在测量碳化硅MOSFET芯片结温时，可通过测量芯片的栅极电压、源漏电压、源漏电流，并使用此建立好的四维校温数据库，反推出芯片温度。
开关过程碳化硅 mosfet 芯片瞬态温度实时测量方法

[发明专利]芯片总线的检测方法、装置、电子设备和存储介质-CN202210200286.2在审
发明人：崔昭华 -专利权人：北京爱芯科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请提出一种芯片总线的检测方法、装置、电子设备和存储介质，其中，芯片总线的检测方法包括：响应于检测到延迟检测事件，获取芯片中总线节点的时钟信息；控制芯片的主设备和从设备之间进行总线节点的多个信号的传输由此，能够检测出芯片总线节点的延迟值，从而验证芯片总线的传输性能。
芯片总线检测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种高效太赫兹芯片及太赫兹波发生器-CN202310418525.6在审
发明人：侯国辉;侯振岳;侯国利;刘友兰;侯利艳;蒙荣秀 -专利权人：深圳市笨辉光电科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种高效太赫兹芯片及太赫兹波发生器。其中芯片包括基板，基板材料为蓝宝石、氮化铝、氮化硅或者碳化硅中的其中一种；导波槽，导波槽呈特定形状开设于基板上，导波槽内表面设置有惰性金属层。该芯片能够通过声光装置、机械压电装置的调控，进一步的能够改变芯片基板上晶体的疏密性，同时，在导波槽内金属层可以形成沟道电极增益太赫兹形成，进而形成闭环太赫兹发射与接收芯片，使得该芯片能够小型化，同时通过声光
一种高效赫兹芯片发生器

[发明专利]一种基于深度学习的芯片缺陷检测方法-CN202310240534.0在审
发明人：郭永安;齐帅;余德泉;孙洪波;张申;龚雪亮;何清 -专利权人：南京邮电大学;南京邮信科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习的芯片缺陷检测方法，包括如下步骤：过高速工业相机采集不同种类的芯片表面缺陷图像；通过图像标注工具对芯片表面图像缺陷进行位置和类型的标注，构建缺陷数据集，将缺陷数据集分为训练数据集D和测试数据集T；基于改进的FasterR‑CNN框架，构建用于芯片缺陷检测的深度学习网络模型；该一种基于深度学习的芯片缺陷检测方法通过采用可变形卷积重构特征提取网络、多尺度特征融合、感兴趣区域对齐(ROI对齐)、软非最大值抑制等措施对FasterR‑CNN算法进行改进，解决了芯片缺陷体积小、形状复杂等问题，提高了缺陷检测的精度。
一种基于深度学习芯片缺陷检测方法

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