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[发明专利]燃料电池的空气供给方法以及空气供给系统-CN202210536694.5有效
发明人： 史经奎;向礼 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M8/04089 文献下载
摘要：本发明提供了一种燃料电池的空气供给方法以及空气供给系统，属于燃料电池系统领域，方法包括：获取空压机的压比‑流量‑效率图谱，并实时获取燃料电池系统的当前输出功率；根据所述当前输出功率计算一台所述空压机所需的初始进气压比和初始出气流量；基于压比‑流量‑效率图谱上的等效率曲线和等速度曲线，根据所述初始进气压比和所述初始出气流量计算不同数量的空压机同时运行时的预计效率；根据效率值最高的预计效率获取对应的空气供给策略，作为最优策略；根据所述最优策略二次设置所有所述空压机运行的状态、转速、实时进气压比和实时出气流量。通过本公开的处理方案，提高了燃料电池空气供给回路效率、降低整机能耗以及提高整机系统效率。
燃料电池空气供给方法以及系统

[发明专利]新型功率半导体模块封装结构及其封装方法-CN202210134922.6在审
发明人： 史经奎;朱楠;邓永辉;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种新型功率半导体模块封装结构及其封装方法，所述功率半导体模块封装结构包括：绝缘衬底；至少一个功率半导体芯片和至少一个驱动芯片，所述功率半导体芯片和所述驱动芯片均固定在所述绝缘衬底上；塑封材料，设置在所述绝缘衬底四周，并包封所述功率半导体芯片和所述驱动芯片；多个导电柱，设置在塑封材料中，所述多个导电柱的下端部分别连接所述功率半导体芯片的电极和驱动芯片的电极，上端部伸出所述塑封材料；重布线层，设置在所述多个导电柱的上端部一侧的所述塑封材料表面。本发明的功率半导体模块封装结构中功率半导体芯片与驱动芯片不使用键合线连接，可提高模块可靠性，降低成本，简化电路结构。
新型功率半导体模块封装结构及其方法

[实用新型]薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器-CN202320239857.3有效
发明人：崔建勇;辛纪元;徐贺;史经奎;刘昌金;瞿博;梅营;解鹏程 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G2/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器，包括：薄膜电容器组，所述薄膜电容器组包括一个或多个薄膜电容器；叠层母排，所述叠层母排至少两个面通过接触传热方式与所述薄膜电容器组正、负极直接接触，所述叠层母排与所述薄膜电容器组电气连接；液冷散热器，所述液冷散热器至少两个面通过接触传热方式与所述叠层母排直接或间接接触。本实用新型有效降低薄膜电容器的工作温度，显著提高薄膜电容器组的散热效率，同时减少了散热构件和辅助安装构件的使用，可有效降低薄膜电容器体积，在电机驱动控制器功率等级相同的前提下，有效控制薄膜电容器组的温度，从而进一步显著提高电机驱动控制器的功率密度。
薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器

[实用新型]一种电机驱动控制器及其新能源汽车-CN202320239855.4有效
发明人：崔建勇;辛纪元;徐贺;史经奎;刘昌金;瞿博;梅营;孙玉祥 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H02P29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机驱动控制器及其新能源汽车，包括：两套功率模块，每套功率模块包括功率半导体元件、驱动电路板和控制电路板，所述每套功率模块配置为直流电进行升压或降压的直流‑直流变换模块、交流电进行调压调频的交流‑交流变换模块的一种或多种；集成液冷散热器，所述集成液冷散热器包括母线电容，所述母线电容包括电容芯子、液冷散热器和叠层母排，所述两套功率模块设置于所述母线电容两侧，所述母线电容设置有冷却所述功率半导体元件的流道，所述叠层母排设置有输入、输出端口与所述两套功率模块相连接。本实用新型能够满足不同场合应用的电力变换，在降低电容杂散参数的同时，减少桥接铜排数量和铜排成本，并提高了功率密度。
一种电机驱动控制器及其新能源汽车

[实用新型]模块化的电力电子模块、DC/DC变换器及并网逆变器-CN202221456538.X有效
发明人：徐贺;史经奎;瞿博 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种模块化的电力电子模块、DC/DC变换器及并网逆变器，属于电力器件的设计技术领域。所述电力电子模块包括：母线电容单元，母线电容单元的第一端用于作为外部的直流正极输入端，母线电容单元的第二端用于作为外部的直流负极输入端；叠层母排单元，叠层母排单元的一端与母线电容单元的第三端连接；功率器件单元，功率器件单元的第一端与叠层母排单元的另一端连接；驱动单元，驱动单元的第一端与功率器件单元的第二端连接，驱动单元的第二端用于作为信号接口；电流传感器单元的第一端与功率器件单元的第三端连接，电流传感器单元的第二端与驱动单元的第三端连接。该电力电子模块能够降低大规模功率电路的设计成本。
模块化电力电子模块 dc 变换器并网逆变器

[实用新型]具有驱动能力配置的智能功率模块及开关器件-CN202221495769.1有效
发明人：徐贺;朱楠;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种具有驱动能力配置的智能功率模块及开关器件，属于智能功率模块技术领域。所述智能功率模块包括：第一开关管，第一开关管的漏极与外部母线的正极连接；第二开关管，第二开关管的漏极与第一开关管的源极连接，第二开关管的源极与外部母线的负极连接；第三开关管，第三开关管的漏极与外部母线的正极连接；第四开关管，第四开关管的漏极与第三开关管的源极连接，第四开关管的源极与外部母线的负极连接；第五开关管，第五开关管的漏极与外部母线的正极连接；第六开关管，第六开关管的漏极与第五开关管的源极连接，第六开关管的源极与外部母线的负极连接；智能驱动芯片。该智能功率模块和开关器件具有更灵活的驱动配置能力。
具有驱动能力配置智能功率模块开关器件

[发明专利]一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202210344709.8有效
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述该方法包括：将第一导电类型重掺杂区上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构；第二导电类型体区深入到第一导电类型外延层内刻蚀出第二沟槽结构，第二沟槽结构的宽度小于第一沟槽结构的宽度；所述第一导电类型重掺杂区深入第二导电类型体区；第一沟槽结构和第二沟槽结构内表面形成二氧化硅；二氧化硅上淀积多晶硅，形成多晶硅栅。通过第一沟槽结构和第二沟槽结构形成了MOSFET的T型分裂栅沟槽结构，缩小了MOSFET器件元胞的尺寸，有效的消除JFET电阻、提高沟道的迁移率，降低碳化硅MOSFET器件的损耗。
一种基于分裂碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅器件动态电压补偿方法-CN202111598506.3有效
发明人：瞿博;徐贺;唐丛辉;刘昌金;史经奎 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02J3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅器件动态电压补偿方法，包括：（1）离线测试碳化硅器件在不同电流下的开关延时特性，得到电流与等效开关时间误差之间的数据关系；（2）系统运行时，在每个开关周期采样电流，根据步骤（1）中的所述数据关系，得到当前电流幅值对应的等效开关时间误差数据；（3）根据获取的所述等效开关时间误差数据，得到最终加入动态电压补偿量后的输出占空比时间，控制该碳化硅器件的开通及关断。本发明的动态电压补偿方法补偿由于碳化硅开关特性导致的电压输出误差，保证系统控制精度。
一种碳化硅器件动态电压补偿方法

[发明专利]一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片-CN202210002578.5在审
发明人：徐贺;朱楠;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技(上海)有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01H85/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片，涉及功率器件领域。所述自恢复熔断结构包括：上极板、下极板和基板，所述基板位于所述上极板和下极板之间，并被上极板和下极板覆盖；所述基板具有多个中空通道，所述多个中空通道连接上极板和下极板；所述中空通道内填充熔丝材料。本发明使用具有熔丝特性的自恢复熔断结构用于功率半导体芯片的功率回路和信号回路的连接，适用于任何多芯片并联的功率半导体模块的拓扑，在模块发生单芯片故障失效时能够迅速将失效芯片进行电气隔离，防止失效蔓延至其余健康芯片，从而保证功率模块具有容错运行的能力。
一种恢复熔断结构具有功率半导体芯片

[实用新型]一种智能功率模块-CN202221835308.4有效
发明人：朱楠;徐贺;史经奎;邓永辉 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种智能功率模块，所述智能功率模块的内部包括：多个功率半导体器件单元和多个隔离驱动单元，所述功率半导体器件单元和所述隔离驱动单元相互之间通过键合线连接，所述智能功率模块的外部包封环氧树脂塑封壳体。本实用新型解决了自举非隔离驱动芯片在应用中开关频率和占空比限制问题，达到了提高智能功率模块的通用性和可靠性的目的。
一种智能功率模块

[发明专利]一种高压功率半导体模块封装架构-CN202210968117.3在审
发明人：朱楠;史经奎;徐贺;瞿博;邓永辉 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压功率半导体模块封装架构，包括：绝缘基板和半桥电路，所述半桥电路的上桥臂和下桥臂分别由多个功率半导体单元串联构成；所述功率半导体单元均焊接在所述绝缘基板上，所述功率半导体单元包括并联安装在同一块绝缘基板上的动态均压元件、静态均压元件和多个功率半导体器件。本发明将串联的功率半导体器件和吸收电路集成到功率半导体模块中，且均压元件的散热条件好，提高了系统的集成度和功率密度，并且使用常用耐压规格的功率半导体器件，成本更低，器件制造工艺成熟，可靠性高。
一种高压功率半导体模块封装架构

[发明专利]高电容密度的半导体电容器及其制备方法-CN202210673015.9在审
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电容器领域，公开了一种高电容密度的半导体电容器及其制备方法，该电容器包括基底、导电层和介电层，所述导电层和介电层依次交替堆叠设于所述基底上，所述导电层包括奇数层和偶数层，所述电容器上分别设有贯穿所述导电层和介电层的奇数层连接孔和偶数层连接孔；所述奇数层连接孔内填充有导电材料，用于通过导电材料与所述奇数层电性连接且与所述偶数层绝缘连接；所述偶数层连接孔内填充有导电材料，用于通过导电材料与所述偶数层电性连接且与所述奇数层绝缘连接。通过多层堆叠结构以及电容电极的连接方式，增加了电极的有效面积，提高了电容密度和电容器使用寿命，实现在电力电子高压等领域的应用。
电容密度半导体电容器及其制备方法

[发明专利]堆叠半导体电容器及其制备方法-CN202210674780.2在审
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电容器领域，公开了一种堆叠半导体电容器及其制备方法，所述电容器包括堆叠设置的导电层和设于所述导电层底部的基底、奇数连接线和偶数连接线，所述导电层包括奇数层和偶数层；所述奇数连接线设于所述电容器内部，用于与所述奇数层电性连接且与所述偶数层绝缘连接；所述偶数连接线设于所述电容器内部，用于与所述偶数层电性连接且与所述奇数层绝缘连接；所述奇数连接线和偶数连接线远离所述基底的一端均设有引出所述电容器的引线。增加了电极的有效面积，提高了电容密度和电容器使用寿命，制备过程不需要在基底上刻蚀高深宽比的电容孔及对高深宽比的电容孔的填充，大大降低了工艺难度以及工艺成本。
堆叠半导体电容器及其制备方法

[发明专利]一种电能变换器控制系统及一种氢燃料电池系统-CN202111598486.X有效
发明人： 史经奎;向礼;雷少辉 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明属于氢燃料电池电能变换技术领域，具体涉及一种电能变换器控制系统及一种氢燃料电池系统。采用电能变换器在断续工况下的占空比信号优化电感电流采集值，同时提出优化算法，可有效提升小电流下DC/DC电能变换器的电流采样精度，极大程度地避免因为采样时刻造成的电流采样误差，极大限度地还原真实电流平均值，进一步地提升小电流下变换器控制精度。算法本身简洁易执行、运算资源占用少且效果显著。
一种电能变换器控制系统燃料电池系统

[实用新型]并联结构的功率半导体模组-CN202220855825.1有效
发明人：朱楠;徐贺;瞿博;史经奎 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种并联结构的功率半导体模组，包括：并联的多个功率半导体单元，所述功率半导体单元包括上桥臂功率半导体器件和下桥臂功率半导体器件，所述上桥臂功率半导体器件的源极功率端子与所述下桥臂功率半导体器件的漏极功率端子连接，构成所述功率半导体单元的交流输出端子；短接结构，并联的多个功率半导体单元的交流输出端子均与所述短接结构连接；交流输出母线，所述短接结构通过一个或多个连接结构与所述交流输出母线连接；所述上桥臂功率半导体器件的漏极功率端子连接正母线，所述下桥臂功率半导体器件的源极功率端子连接负母线。本实用新型能够极大地减小交流输出端寄生电感，提高功率模组可靠性。
并联结构功率半导体模组

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