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[发明专利]等离子体系统以及使用其制造半导体器件的方法-CN201711457340.7在审
发明人：孙敏圭;成德镛;沈承辅;郑载园;韩丙勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲，该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度，等离子体可以控制基板的蚀刻。
脉冲电极等离子体等离子体系统谷形射频蚀刻功率供应单元半导体器件导通间隔控制基板宽度限定制造

[发明专利]用于表面处理加工的脉冲电感耦合等离子体的方法和设备-CN202180012278.9在审
发明人：谢挺;李昊辰;孟双;张其群;D·科尔;马绍铭;杨海春;仲華;R·帕库勒斯柯;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了使用等离子体处理工件的设备和方法。在一种示例性实施方式中，设备可以包括处理腔室。该设备可以包括限定侧壁的介电管的等离子体腔室。该设备可以包括电感耦合等离子体源。该电感耦合等离子体源包含被配置为激励设置在介电管周围的感应线圈的RF发生器。该设备可以包括将处理腔室与等离子体腔室分开的分离格栅。该设备可以包括被配置为在脉冲模式下操作电感耦合等离子体源的控制器。在脉冲模式下，RF发生器被配置为向感应线圈施加多个RF功率脉冲。脉冲频率可以在约1kHz至约100Hz的范围内。
用于表面处理加工脉冲电感耦合等离子体方法设备

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201310436399.3有效
发明人：叶如彬;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置及等离子体处理的方法，其中，所述等离子体处理装置包括：设置于反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈，用于将反应腔内的气体等离子体化，所述电感耦合线圈与所述承片台相对；若干射频功率源，用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号；至少连接到所述第一射频功率源和第二射频功率源的控制单元，所述控制单元用于控制第一射频功率源和第二射频功率源输出的射频功率在高功率输出和低功率输出之间切换形成脉冲式射频信号，且所述低功率输出大于零，所述控制单元使第一射频功率源和第二射频功率源输出的脉冲式射频功率均独立可调。所述等离子体处理装置中的等离子体分布更均匀，等离子体处理的效果更好。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置及测量方法-CN201210114370.9无效
发明人：刘可;张树林 -专利权人：安徽三联事故预防研究所;安徽三联学院
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置及测量方法，该测量装置包括激光器、通过倍频晶体和二向色分光镜将激光光束分成基频光光路和倍频光光路的二向色光分离系统、等离子体干涉探测系统和等离子体干涉条纹接收系统，所述基频光光路上设有用于将基频光分成两束光的分光系统，其中，第一光束用于聚焦到干涉仪中的靶材产生等离子体，第二光束用于聚焦到第一光束所产生的等离子体中。本发明具有对延迟双脉冲激光在靶材表面和透明介质中产生等离子体均可探测的特点且本发明的延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置，结构简单，制造成本低，实用方便，填补了国内外空白。
一种延迟脉冲激光产生等离子体测量装置测量方法

[实用新型]一种延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置-CN201220165320.9有效
发明人：刘可;张树林 -专利权人：安徽三联事故预防研究所;安徽三联学院
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置，该测量装置包括激光器、通过倍频晶体和二向色分光镜将激光光束分成基频光光路和倍频光光路的二向色光分离系统、等离子体干涉探测系统和等离子体干涉条纹接收系统，所述基频光光路上设有用于将基频光分成两束光的分光系统，其中，第一光束用于聚焦到干涉仪中的靶材产生等离子体，第二光束用于聚焦到第一光束所产生的等离子体中。本实用新型具有对延迟双脉冲激光在靶材表面和透明介质中产生等离子体均可探测的特点且本实用新型的延迟双脉冲激光产生等离子体的测量装置，结构简单，制造成本低，实用方便，填补了国内外空白。
一种延迟脉冲激光产生等离子体测量装置

[发明专利]用于生成脉冲等离子体的脉冲等离子体装置和方法-CN200780100857.9无效
发明人：尼克雷·萨斯洛夫 -专利权人：普拉斯马外科投资有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：公开了生成真实脉冲等离子体流的装置和方法。该装置包括包含阴极和阴极支持部的阴极组件、阳极和两个或更多个中间电极，该阳极和中间电极形成向阳极扩展的等离子体通道。该最接近阴极的中间电极可以形成围绕阴极尖端的等离子体腔。形成延伸通道的延伸喷嘴被固定到到装置的阳极末端，该延伸通道沿其内表面的至少一部分具有管状绝缘体。在操作中，电压施加在阴极和阳极之间，且电流通过阴极、等离子体和阳极。选择电压和电流特性(profile)来引起具有所要求的特性的等离子体流快速形成。在延伸喷嘴中实现等离子体脉冲的大致均匀的温度和功率密度分布。此外，在生成等离子体脉冲过程中，在延伸喷嘴中可以生成臭氧。
用于生成脉冲等离子体装置方法

[发明专利]具有远程等离子体源和DC电极的原子层蚀刻系统-CN201780005093.9在审
发明人：卢多维克·戈代;薛君;桑基·纳姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：脉冲式等离子体产生和针对等离子体残光的后续偏压应用可提供改良的ALE特性。本文中所述的设备提供了从一或多个等离子体源产生等离子体和偏压等离子体残光以促进从基板移除材料。
等离子体原子层残光远程等离子体源蚀刻等离子体产生偏压等离子体等离子体源基板移除设备提供蚀刻系统脉冲式改良应用

[发明专利]微粒成分测量方法以及微粒成分测量装置-CN200680034289.2无效
发明人：藤井隆;后藤直彦;三木惠;名雪琢弥;根本孝七;田中伸幸 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明通过将输出自激光装置16的超短脉冲激光15聚光，向纳米粒或微米粒照射而产生等离子体，更好是利用在超短脉冲激光15中生成的光丝14产生等离子体，基于该等离子体的发光光谱测量微粒成分。
微粒成分测量方法以及测量装置

[发明专利]水下等离子体处理设备和利用其处理船只压舱水的系统和方法-CN200880019551.5无效
发明人：柳翰成;河延彻;徐栋赫;金东垠 -专利权人：株式会社21世纪造船
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：提供一种水下脉冲等离子体处理设备，包括：电源单元，用于产生脉冲功率；至少一个放电单元，用于向包括空气层的水面或者包括气泡的水施放所述电源单元中产生的所述脉冲功率；和等离子体处理单元，用于通过由所述至少一个放电装置产生的等离子体来除去水下微生物
水下等离子体处理设备利用船只压舱水系统方法

[发明专利]在等离子体腔内生成高度电离的等离子体-CN201280037426.3有效
发明人： A·克利梅扎克;P·奥济梅克;R·布吉 -专利权人：通快许廷格有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：一种生成等离子体腔（2）内的高度电离的等离子体的方法，其包括如下步骤：a.在低于50Pa的压强下提供将在等离子体腔（2）内被电离的中性气体；b.向与所述等离子体腔（2）内的靶连接的至少一个磁控管阴极提供至少一个高能、高功率电脉冲，所述电脉冲具有大于或等于100kW的功率，和大于或等于10J的能量，c.直接由等离子体体积内的所述中性气体生成高度电离的等离子体，从而使等离子体体积截面在电流增大时间段期间增大，d.利用所述高度电离的等离子体从靶溅射原子
等离子体腔生成高度电离等离子体

[发明专利]等离子体显示装置-CN200610139434.5无效
发明人：文圣学 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：本发明是关于等离子体显示装置的，本发明中的等离子体显示装置，包含：形成多个扫描电极，维持电极及定位电极的等离子体显示面板；向扫描电极提供具有half sustain电压的维持脉冲，在复位期间，提供负极性脉冲的扫描驱动部；及向维持电极提供具有half sustain电压的维持脉冲，在复位期间，提供正极性脉冲的维持驱动部。
等离子体显示装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202011451572.3在审
发明人：山岸幸司;白泽大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域相对应地配置。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种用于脉冲磁场诊断的二维磁感应探针-CN201910830605.6有效
发明人：章喆;汤海滨;许舒婷;张尊 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于脉冲等离子体推力器诊断的二维磁感应探针，包括玻璃外壳(1)、探针底座(2)、绝缘套筒(3)、正交磁场测量线圈组(4)和焊盘(5)，以实现测量脉冲等离子体推力器放电通道内磁场强度。本发明针对脉冲等离子体推力器单次点火的磁场强度测量，设计包括两个相互垂直的磁场测量线圈的二维磁感应探针，基于法拉第电磁感应定律，测量线圈上磁通量的变化情况，进而实现了对脉冲等离子体推力器的时变的高频脉冲磁场的测量
一种用于脉冲磁场诊断二维感应探针

[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置-CN201811495750.5在审
发明人：叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中读取到的特定调配频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。
脉冲射频等离子体阻抗匹配方法装置

[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置-CN201811495777.4有效
发明人：雷仲礼;叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中阻抗参数最小的调频频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。
脉冲射频等离子体阻抗匹配方法装置

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