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- [发明专利]等离子体源-CN201380065446.6在审
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S·克拉斯尼特泽;J·哈格曼恩
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欧瑞康表面解决方案股份公司;特吕巴赫
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2013-12-09
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2015-12-09
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H01J37/32
- 本发明涉及一种等离子体产生装置，包括：-具有等离子体源空心体(1)和电子发射单元(5)的等离子体源，所述电子发射单元使得自由电子能够发射到等离子体源空心体之中，其中所述等离子体源空心体(1)具有第—气体入口(7a)和等离子体源开口(10)，所述等离子体源开口构成通向真空室的开口；-以及具有阳极空心体(2)的阳极，其中所述阳极空心体(2)具有第二气体入口(7b)和阳极开口(11)，所述阳极开口构成通向真空室的开口；-和电压源(8)，其负极与电子发射单元(5)相连并且其正极与阳极空心体(2)相连，其中所述电压源(8)的正极还通过第一分路电阻(6a)与等离子体源空心体电相连。
- 等离子体
- [发明专利]等离子体源-CN201310251929.7有效
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井内裕;谷井正博
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日新离子机器株式会社
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2013-06-24
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2014-05-07
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H01J27/02
- 本发明提供一种等离子体源，能使防着板的交换周期延长、能提高等离子体源的运转率。等离子体源（1）包括：等离子体生成容器（2），具有冷却机构，生成等离子体用的气体导入其内部；防着板（5），配置在所述等离子体生成容器（2）的内侧；多个永磁体（3），配置在所述等离子体生成容器（2）的外侧，用于生成会切磁场；并且包括磁体（4），在等离子体生成容器（2）的内侧，在隔着等离子体生成容器（2）的壁面与永磁体（3）相对的位置，以与等离子体生成容器（2）的内壁面抵接的方式配置于等离子体生成容器（2
- 等离子体
- [发明专利]等离子体源-CN201380055316.4有效
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维克托·贝利多-刚扎雷兹
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基恩科有限公司
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2013-09-11
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2017-09-22
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H01J37/34
- 本发明涉及磁增强阴极等离子体沉积和阴极等离子体放电，其中，所述带电粒子可以在稀薄的真空系统中被引导。具体的，描述了阴极等离子体源簇或组合，其中，至少两个等离子体源单元以这样一种方式排布在稀薄的真空系统中产生的磁场相互作用提供本质上与中性粒子和液滴的主体垂直的方向上的电子的引导传送逸出路径，该中性粒子和液滴生成在所述阴极等离子体源中此外，本发明的所述阴极等离子体源排布将生成非常低磁场的区域，其中，通过电场和磁场捕获电子。由所述等离子体簇生成的离子将通过所述电场或磁场确定的逸出路径跟随电子。所述离子的方向与那些中性粒子从根本上是不同的，用这种方式提供带电粒子滤波方法。本发明可以实现在不同实施例和等离子体簇的不同排布中，通过使得所述等离子体将穿过用于所需等离子体处理和/或合适基板涂层的区域的磁相互作用方式而相互作用。
- 等离子体
- [发明专利]等离子体源-CN201810036200.0有效
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藤田秀树;糸井骏
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日新离子机器株式会社
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2018-01-15
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2020-10-09
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H01J37/08
- 本发明提供一种离子或电子的引出效率高的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(11)，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部(11a)；气体导入部(31)，向室(11)内导入气体；真空连接器(14)，设置在周壁(111)的与开口部(11a)相对的位置上；天线(15)，基端部(15a)与真空连接器(14)连接，在室(11)内朝向开口部(11a)延伸；第一绝缘体部(21)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的前端部(15b)一侧的第一部位(P1)；第二绝缘体部(13)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的基端部(15a)一侧的第二部位(P2)；以及导体部(16)，覆盖第二绝缘体部(13)。
- 等离子体
- [发明专利]等离子体处理装置及用于运行等离子体处理装置的方法-CN201780063133.5有效
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J·马伊
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迈尔博尔格(德国)有限公司
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2017-10-10
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2020-10-30
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H01J37/32
- 本发明涉及一种具有处理腔室、至少一对微波等离子体源和至少一个电源的等离子体处理装置。每对微波等离子体源由第一微波等离子体源和第二微波等离子体源组成，其中，第一微波等离子体源和第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部，并且在该等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源在处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上且彼此相邻地布置。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘并且与至少一个电源导电地连接。在此，至少一个电源适合于，使第一微波等离子体源和第二微波等离子体源得等离子体电极加载以不同的电势。此外，本发明涉及一种用于运行这样的等离子体处理装置的方法。
- 等离子体处理装置用于运行方法
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