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[发明专利]等离子体设备和利用等离子体设备制造半导体器件的方法-CN201510230610.5有效
发明人：金茂珍;金俸奭;具德滋;禹济宪;李彦柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体设备，该等离子体设备包括处理室，其具有内空间；吸盘，其设置在处理室中，并具有其上装载衬底的顶表面；气体供应单元，其将处理气体供应至处理室中；等离子体产生单元，其在吸盘上方产生等离子体；以及直流功率发生器，其将直流脉冲信号施加至吸盘。直流脉冲信号的周期可包括在其中施加负脉冲的负脉冲持续时间；在其中施加正脉冲的正脉冲持续时间；以及其中负脉冲和正脉冲均截止的无脉冲持续时间。正脉冲持续时间在负脉冲持续时间与无脉冲持续时间之间。无脉冲持续时间可包括其幅值低于正脉冲的电压的幅值的电压，诸如地电压。
等离子体设备利用制造半导体器件方法

[发明专利]一种等离子体增强清洗装置及清洗方法-CN202111681333.1在审
发明人：曹时义;王俊锋;袁明 -专利权人：广东鼎泰高科技术股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强清洗装置，用于清洗待处理产品，包括真空腔室、等离子体发生器、安装部、脉冲偏压电源，真空腔室具有进气口和出气口，离子体发生器包括呈空腔的本体部，本体部具有上部和下部，上部和下部相对设置且均设有若干镂空部；安装部伸入所述真空腔室内以供等离子体发生器进行安装；脉冲偏压电源的正极与真空腔室电连接形成阳极，脉冲偏压电源的负极与等离子体发生器电连接。该等离子体增强清洗装置能形成伞状辉光等离子体，增强上下轰击，提高对异型治具、大钻、PCB特刀、深刀槽刀具等产品的清洁能力，可进行横向和纵向的深度辉光清洗，整体提升产品各个面的清洗和活化效果。
一种等离子体增强清洗装置方法

[发明专利]将绝缘材料沉积到导电孔中的方法-CN201880054000.6有效
发明人：法比安·皮亚拉;朱利安·维蒂耶洛 -专利权人：库伯斯股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种将材料层(4、5、6)沉积到基板(20)上的方法，包括：‑根据第一脉冲序列，通过第一喷射路径将具有这种绝缘材料的前体的第一化学物质气相喷射到化学气相沉积反应器的沉积室中；‑根据相对于所述第一脉冲序列有相位移的第二脉冲序列，通过第二喷射路径将具有适于与这种前体反应的反应物的第二化学物质气相喷射到所述沉积室中；‑在所述第一序列和第二序列中的至少一者的至少一次脉冲期间，依序产生所述第一化学物质和/或所述第二化学物质的等离子体，其中这样的等离子体是由应用于所述第一喷射路径和第二喷射路径的高频(HF)等离子体源和低频(LF)等离子体源产生的，所述低频(LF)等离子体源功率与所述高频(HF)等离子体源功率比大于1。
绝缘材料沉积导电中的方法

[发明专利]用于感应耦合等离子体离子源的等离子体点燃器-CN201110075718.3有效
发明人： A·格劳佩拉;S·克罗格;T·米勒;D·劳尔;S·张 -专利权人： FEI公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及用于感应耦合等离子体离子源的等离子体点燃器。公开了一种聚焦离子束(FIB)系统，该系统包括：感应耦合等离子体离子源；包含等离子体的绝缘等离子体室；传导源偏置电极，与等离子体接触并偏置到高压以控制样品和多个孔处的离子束能量。等离子体室内的等离子体用作包括一个或多个透镜的离子镜筒的虚拟源，所述透镜把聚焦离子束形成在待被成像和/或FIB处理的样品的表面上。等离子体由装配在镜筒附近或在镜筒处的等离子体点燃器启动，所述等离子体点燃器在源偏置电极上诱导高压振荡脉冲。通过在镜筒附近装配等离子体点燃器，连接源偏置电极到偏置电源的电缆的电容性影响被最小化。通过合适的孔材料选择，使孔的离子束溅射最小化。
用于感应耦合等离子体离子源点燃

[发明专利]一种可视化研究微波等离子体辅助点火的实验装置-CN201611226136.X有效
发明人：王兆文;张新华;武文杰;成晓北 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： F02P17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可视化研究微波等离子体辅助点火的实验装置，该装置包括：火花塞系统、微波系统、定容燃烧弹系统、光学摄影系统及控制系统；所述控制系统发出三路存在特定相差的同步脉冲信号，第一路脉冲信号触发所述火花塞系统产生脉冲高电压用于放电击穿稀薄混合燃气形成初始等离子体团；第二路脉冲信号触发所述微波系统产生特定频率及特定功率的微波脉冲向所述等离子体团中耦合能量以扩大等离子体团实现点火；第三路脉冲信号触发所述光学系统透过所述定容燃烧弹系统的石英窗聚焦于微波天线与高压电极中心开始拍摄本发明的装置，保留了微波集成火花塞的点火方式，能够真实的反映微波等离子体辅助点火的作用过程。
火花塞脉冲信号触发微波等离子体等离子体团点火定容燃烧弹控制系统实验装置微波系统可视化光学摄影系统同步脉冲信号系统产生脉冲点火方式高压电极光学系统混合燃气微波集成微波脉冲微波天线作用过程耦合能量高电压石英窗放电击穿三路稀薄聚焦研究拍摄保留记录

[发明专利]一种火花放电自激励喷射等离子体产生装置-CN201410225853.5有效
发明人：刘轩东;刘善红;张乔根;铁维昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种火花放电自激励喷射等离子体产生装置，所述装置包括至少一微型放电腔，所述放电腔设有一喷孔，其特征在于，所述装置通过施加脉冲高压在微型放电腔内发生火花放电产生带电粒子，并在所述放电腔内瞬间升高的气压作用下，从放电腔的喷孔处喷射等离子体。该装置采用火花放电的形式，能够在没有外部吹气的条件下、在瞬间升高的气压的作用下产生高速喷射的等离子体。所述的喷射等离子体产生装置由于采用火花放电的形式，施加脉冲电压较高，等离子体获得的初始能量较大，导致等离子体喷射速度大，活性高，可适用于常压、高压环境。
一种火花放电激励喷射等离子体产生装置

[发明专利]具有等离子体脉冲以防止电荷损坏的空间原子层沉积腔室-CN201880078666.5有效
发明人： T·塔纳卡;德米特里·A·季利诺;亚历山大·V·加拉琴科;田中庆一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在等离子体增强空间原子层沉积腔室中处理基板的设备及方法。基板移动经过一或更多个等离子体处理区域及一或更多个无等离子体处理区域，同时等离子体功率被脉冲化以防止基板上的电压差超过基板的破坏电压或基板上正形成的装置的破坏电压。
具有等离子体脉冲防止电荷损坏空间原子沉积

[发明专利]强流金属离子源-CN200910131412.8有效
发明人：唐德礼;童洪辉;蒲世豪;谢峰;赵杰;耿少飞;张华芳;武洪臣;刘亮 -专利权人：核工业西南物理研究院;中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种可工作于直流和脉冲两种模式的大面积、高能强流金属离子源。其特点是它采用磁场控制阴极弧放电产生直流金属等离子体，金属等离子体经磁镜场输运到离子引出区域，再经过栅极加速后获得高能离子束流；在等离子体输运区域中间加有由螺线管形成的反向磁岛，可以提高输出等离子体的均匀性，同时阻挡大颗粒进入离子引出区域，提高离子束流均匀性和稳定性；离子束流引出和加速方式可采用直流或脉冲模式，以获得纯离子束流或等离子体/离子束流；还可以利用送气管在等离子体产生区域充入工作气体，使之参与等离子体放电，获得金属和气体混合的离子束流。本装置可用于在工件上注入和沉积高质量反应薄膜，离子注入和离子镀膜等。
流金离子源

[发明专利]一种纳米波高压脉冲等离子体消毒灭菌装置-CN202211479679.8在审
发明人：谢友金;汤润超 -专利权人：厦门绿洋环境技术股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米波高压脉冲等离子体消毒灭菌装置，包括高压电源、脉冲发生器、灭菌室及多个等离子发生器，所述等离子发生器设置在灭菌室的内壁，且灭菌室的内壁设有等离子发生器，所述高压电源、脉冲发生器及等离子发生器依次电性连接，且所述等离子发生器之间并联。本发明消毒灭菌装置通过高压电源输出直流高压并由脉冲发生器转化为纳米波高压脉冲输出至灭菌室内的等离子发生器，等离子发生器放电产生等离子体。物品消杀在灭菌室内进行，通过灭菌室内多方位、大面积、高浓度的等离子体的高能活性基团静态辐射，对灭菌室内的物品进行消杀，实现低温、常压、快速、安全、无损消毒灭菌，5分钟内物品含菌数的平均消杀效率可达95%
一种纳米高压脉冲等离子体消毒灭菌装置

[实用新型]一种纳米波高压脉冲等离子体消毒灭菌装置-CN202223122778.9有效
发明人：谢友金;汤润超 -专利权人：厦门绿洋环境技术股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米波高压脉冲等离子体消毒灭菌装置，包括高压电源、脉冲发生器、灭菌室及多个等离子发生器，所述等离子发生器设置在灭菌室的内壁，且灭菌室的内壁设有等离子发生器，所述高压电源、脉冲发生器及等离子发生器依次电性连接，且所述等离子发生器之间并联。本实用新型消毒灭菌装置通过高压电源输出直流高压并由脉冲发生器转化为纳米波高压脉冲输出至灭菌室内的等离子发生器，等离子发生器放电产生等离子体。通过灭菌室内多方位、大面积、高浓度的等离子体的高能活性基团静态辐射，对灭菌室内的物品进行消杀，实现低温、常压、快速、安全、无损消毒灭菌，5分钟内物品含菌数的平均消杀效率可达95%以上。
一种纳米高压脉冲等离子体消毒灭菌装置

[发明专利]激光等离子体组合推进系统-CN201510621650.2在审
发明人：郭宗帅;郭鹏飞;吴春光;郭志强 -专利权人：南昌理工学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：一种激光等离子体组合推进系统，包括中性推进剂储存装置、等离子发生装置、高能脉冲激光发射装置、等离子加速装置、电流控制器、电源装置；所述中性推进剂储存装置中储存的推进剂经过所述等离子发生装置时，在高压电的作用下与电子碰撞形成等离子流；所述高能脉冲激光发射装置发射脉冲强激光对所述等离子流再电离，令所述等离子流的电离度增大，形成高能高速粒子流；所述等离子体加速装置通过磁场作用进一步加速所述高能高速粒子流；所述高能高速粒子流以高速喷出，本发明提出的激光等离子体组合推进系统是对激光和等离子体两种推进系统的有效结，能够为航天探测仪提供高比冲、高效率、长寿命的推进动力。
激光等离子体组合推进系统

[发明专利]一种去除高厚宽比印刷电路板孔内胶渣的等离子体工艺-CN202010095299.9在审
发明人：杨平;漆宏俊;彭帆 -专利权人：上海稷以科技有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种去除高厚宽比印刷电路板孔内胶渣的等离子体工艺，将印刷电路板放置到脉冲等离子体发射装置下，对印刷电路板孔内胶渣进行去除；本发明将脉冲等离子体工艺用于高密度高厚宽比印刷电路板的孔内胶渣清洗通过脉冲等离子体的等离子体开启/熄灭的快速切换，既能形成大量的活性粒子对孔内胶渣进行清洗，同时又可以利用熄灭阶段的鞘层消失，去除掉残留电荷，同时加速副产物的快速扩散，保证孔口和孔内的清洗速率保持一致，从而实现均匀性的提升
一种去除高厚宽印刷电路板孔内胶渣等离子体工艺

[发明专利]用于湍流减阻控制的微秒振荡等离子体放电系统及放电方法-CN202110398458.7在审
发明人：郑海波;高超;武斌;李跃强;严日华 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-04-11 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提出的新型微秒振荡式等离子体激励系统由调压器、函数发生器、双通道等离子体微秒脉冲电源、等离子体激励器模块组成，函数发生器输出信号两个相位差为1/2T的驱动信号，两个驱动信号驱动双通道等离子体微秒脉冲电源实现振荡式输出微秒振荡式等离子体激励系统可以诱导产生诱导涡、切向流和交替触发的冲击波，流动控制原理主要是“冲击效应”，可以针对性控制湍流边界层中固有的交替分布的条纹结构和流向涡等相干结构，实现更高效的控制；且微秒脉冲脉宽短
用于湍流控制微秒振荡等离子体放电系统方法

[发明专利]一种利用啁啾脉冲测量激光对比度的系统及方法-CN202310545119.6在审
发明人：耿易星;赵研英;李先铎;颜学庆 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用啁啾脉冲测量激光对比度的系统及方法，包括准直分束装置、主激光能量调谐器、等离子体产生装置、探测光延时调整装置、探测光光谱展宽装置和监测装置；激光脉冲经所述准直分束装置分为两束光，其中一束为主激光，另一束为探测光；所述主激光经所述主激光能量调谐器，进入所述等离子体产生装置产生等离子体后，主激光返回至回光监测相机；所述探测光经进入所述探测光延时调整装置，经所述探测光光谱展宽装置变为啁啾脉冲，然后穿过所述等离子体产生装置，携所述等离子体中的信息，进入所述监测装置。
一种利用啁啾脉冲测量激光对比度系统方法

[发明专利]半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法-CN201210545662.8有效
发明人：王兆祥;梁洁;苏兴才;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法，所述半导体刻蚀装置包括：反应腔，所述反应腔内具有承片台，用于放置待刻蚀基片；供气源，用于向所述反应腔内通入气体；等离子体射频功率源，用于将反应腔内的气体等离子体化；偏置射频功率源，用于在待刻蚀基片表面形成偏压；所述等离子体射频功率源和/或偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，且所述脉冲信号的脉冲频率和占空比随着时间的变化而改变。所述半导体刻蚀装置可以根据需要实时地调节反应腔内的等离子体的密度和偏置电压来控制通孔内的等离子体的交换和通孔内的反应速率，从而有利于控制通孔的侧壁形貌。
半导体刻蚀装置方法