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[发明专利]一种双路单间隙等离子体喷射装置及其应用-CN202010937187.3有效
发明人：杨兰均;魏鹏;曹博;韩佳一;路志建 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H05H1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种双路单间隙等离子体喷射装置及其应用，利用脉冲放电同步触发等离子体喷射装置，通过具有初始储能的大电容为等离子体喷射器中毛细管放电消融绝缘产气材料的过程供能，持续产生大量等离子体，基于毛细管内外的巨大压差，形成高温、高压、高密度的等离子体射流。增加主放电电容器的电容量可以增加毛细管中放电电流的脉冲宽度和电流持续时间，从而延长等离子体喷射的持续时间，这对于间隙的可靠触发导通具有重要的作用。
一种双路单间隙等离子体喷射装置及其应用

[发明专利]脉冲等离子体沉积蚀刻阶梯覆盖率的改良-CN201980036655.5有效
发明人： V·V·瓦茨;H·俞;D·帕德希;李昌陵;G·M·阿米科;S·G·卡马斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中该等离子体由第一脉冲RF功率形成；在工艺腔室中将介电层暴露于使用氮与氦的气体混合物的第一等离子体处理；以及通过将介电层暴露于由含氟前驱物与载气的气体混合物所形成的等离子体而执行等离子体蚀刻工艺，其中等离子体是在工艺腔室中由第二脉冲RF功率形成。
脉冲等离子体沉积蚀刻阶梯覆盖率改良

[发明专利]清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统-CN200810109520.0无效
发明人：乌里·霍夫曼;卓斯·曼纽尔·迪格茨－加波 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料，方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从图案化设备除去涂敷材料。在从图案化设备除去涂敷材料的步骤期间，图案化设备的温度不超过给图案化设备造成破坏的临界温度，同时维持的等离子体刻蚀率至少为0.2μm/min，特别是0.5μm/min，特别是1μm/min，特别是2.5μm为了产生脉冲清洁等离子体，提供脉冲能量。该方法可以在直接等离子体刻蚀处理中或远程等离子体刻蚀处理中执行。不同的刻蚀处理可以组合或者顺序执行。
清洁图案设备以及衬底沉积系统方法

[发明专利]用于制造半导体膜和光伏装置的方法-CN201210103172.2无效
发明人： D·钟;G·帕塔萨拉蒂;R·A·小纳迪 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该方法包含：在无氧环境中提供包括硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到靶以生成脉冲直流等离子体；用脉冲DC等离子体对硫化物靶进行溅射以将包括硫的材料喷射到等离子体中；以及将包括所喷射材料的膜沉积到支撑上。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]等离子体显示装置-CN200610163437.2无效
发明人：任玄宰;许溶页 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2006-12-03 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：本发明是关于等离子体显示装置的。本发明中的等离子体显示装置，包含：形成扫描电极与维持电极的等离子体显示面板及在显示图像的维持期间，向扫描电极与维持电极提供4个以上不同类型的维持脉冲的驱动部。本发明利用重叠的维持脉冲改善残留图像，并且混合使用不同类型的维持脉冲，防止驱动部的电容被过分充电，从而防止驱动部可能受到的电器损伤。
等离子体显示装置

[发明专利]一种对等离子体进行快慢束分离的系统及方法-CN201610428747.6在审
发明人：金显吉;佟为明;林景波;李凤阁;李中伟;刘佳坤;陶宝泉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H05H1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种对等离子体进行快慢束分离的系统，其用于截断一全等离子体通道中的慢束等离子体束，全等离子体通道包括公共等离子体通道、截断器通道、快等离子体通道和溜槽线圈，公共等离子体通道、截断器通道、快等离子体通道和溜槽线圈均设有第一纵向线圈，多个第一纵向线圈在截断器通道的中心轴线上产生的磁感应强度为B₁，其包括：纵向线圈模块、横向线圈模块和脉冲电源模块，纵向线圈模块包括两个第二纵向线圈，两个第二纵向线圈在截断器通道的中心轴线上产生的磁感应强度为B₂；横向线圈模块包括两个横向线圈，两个横向线圈产生与B₂方向垂直的磁感应强度B₃；脉冲电源模块用于为两个第二纵向线圈和两个横向线圈供电
一种等离子体进行快慢分离系统方法

[发明专利]使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法-CN201710317048.9在审
发明人：阿希尔·辛格哈尔;魏鸿吉;毛伊莎;巴特·J·范施拉芬迪克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述方法包括在将衬底暴露于含硅前体和反应物同时对等离子体施以脉冲，以促进主要基于自由基的脉冲等离子体增强化学气相沉积方法，以沉积保形含硅膜。所述方法还包括周期性地进行后处理操作，由此，对于使用脉冲等离子体PECVD沉积的每约20埃至50埃的膜，将沉积的膜暴露于惰性等离子体以致密化并降低沉积的膜中的氢含量。
使用 pecvd 沉积低湿蚀刻速率封装方法

[发明专利]驱动等离子体显示设备的方法-CN200610058589.6无效
发明人：郑景振;赵起德;李城任;金敏洙 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：提供了一种驱动等离子体显示设备的方法。该驱动等离子体显示设备的方法包括：将第一脉冲施加到第一电极，在施加第一脉冲之后将第二脉冲施加到第二电极，以及在施加第二脉冲之后将下降斜坡脉冲施加到第一电极。
驱动等离子体显示设备方法

[发明专利]电子回旋共振离子源产生脉冲多离子种类束流的方法及系统-CN202211333121.9在审
发明人：李家庆;孙良亭;曹云;张雪珍 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子回旋共振离子源产生脉冲多离子种类束流的方法及系统，其包括等离子体放电室，用于产生和约束等离子体；电子回旋共振离子源磁体设置在离子源腔体外部；微波源设置在离子源腔体注入端，将产生的微波功率传输至等离子体放电室，将等离子体放电室内部存在的气体原子分子等电离，产生所需的等离子体；脉冲式气体馈入系统设置在离子源腔体注入端，用于将单种气体或多种气体馈入离子源腔体内，实现离子源所需气体的精确馈入；离子源冷电子枪设置在离子源腔体注入端，用于阻止等离子体中电子在轴向的逃逸并提供额外冷二次电子注入，以调节离子束引出流强；离子源引出部件设置在离子源腔体引出端，用于引出离子束流。本发明能在离子加速器领域中应用。
电子回旋共振离子源产生脉冲离子种类方法系统

[发明专利]一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法-CN202111664228.7在审
发明人：曹时义;王俊锋 -专利权人：广东鼎泰高科技术股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法，该等离子体镀膜弧源结构包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源，靶材设于靶台表面，靶材外侧设有通道，空腔辅助阳极设于通道中，第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接，第一脉冲电源的负极与靶材电连接，在第一脉冲电源的作用下，空腔辅助阳极产生等离子体，直流弧电源的正极外接弧源阳极，直流弧电源的负极与靶材电连接，第二脉冲电源的正极外接弧源阳极，第二脉冲电源的负极外接工件形成阴极。该等离子体镀膜弧源结构能实现无液滴、离化率高、安全性好，且实现大面积、均匀、稳定的涂层生产。
一种无液滴等离子体镀膜结构系统方法

[发明专利]流向多通道脉冲电弧等离子体流动控制装置及其减弱激波强度的方法-CN201910669999.1在审
发明人：吴云;唐孟潇;郭善广;梁华;张志波;金迪;甘甜 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：提供一种流向多通道脉冲电弧等离子体流动控制电路系统，包括平板(1)，放电电极(2)，在平板表面上直接加工的圆柱形垂直通孔(3)，脉冲电源(4)，压缩斜坡(5)。还提供一种流向多通道脉冲电弧等离子体激励减弱激波强度的方法。通过流向多通道脉冲电弧等离子体激励装置，提高脉冲电弧激励产生的前驱冲击波和激波/附面层干扰分离激波的相互作用次数，以实现对分离激波的持续扰动，从而使分离激波强度减弱。
流向通道脉冲电弧等离子体流动控制装置及其减弱激波强度方法

[发明专利]等离子体刻蚀系统-CN201310718975.3有效
发明人：杨平;梁洁 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀系统，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
等离子体刻蚀系统

[发明专利]使用多重图案化过程形成图案化结构的方法和系统-CN202110986819.X在审
发明人：井上尚树;中野竜;山田信哉;土屋真央 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：示例性方法包括通过以下来形成覆盖衬底的层：在前体脉冲周期内向反应室提供前体，在反应物脉冲周期内向反应室提供反应物，在第一等离子体功率周期内施加具有第一频率(例如小于1MHz)的第一等离子体功率，以及可选地，在第二等离子体功率周期内施加具有第二频率的第二等离子体功率，其中第一频率不同于第二频率。
使用多重图案过程形成结构方法系统

[发明专利]使用低射频等离子体过程形成氮化硅层的方法和系统-CN202210305464.8在审
发明人：坚固山裕子;五十岚诚 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：示例性方法包括通过以下而形成覆盖衬底的氮化硅层：在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体；在反应物脉冲周期内向反应室提供氮反应物；在沉积过程中，在第一等离子体功率周期内施加具有第一频率的第一等离子体功率；以及在处理步骤期间，在第二等离子体功率周期内施加具有第二频率的第二等离子体功率。
使用射频等离子体过程形成氮化方法系统

[发明专利]一种紫外光-等离子体协同降解有机废气装置及其方法-CN201510503527.0在审
发明人：邵振华;田汝斌;张海杰;毛哲林;姜建清 -专利权人：杭州科瑞特环境技术有限公司
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本发明公布了一种紫外光-等离子体协同降解有机废气装置及其方法，装置外壳为密闭结构的箱体，内表面为反光材料，可最大化利用紫外光并防止紫外光泄露；双介质阻挡放电等离子体单元由双介质阻挡放电等离子体反应器和高压脉冲电源组成，双介质阻挡放电等离子体反应器采用双介质的结构，可有效保护放电电极不被有机废气污染，从而大大提高持续运行时间；高压脉冲电源采用纳秒级高压脉冲电源，有效避免了直流电晕加速离子而带来的能量损耗；紫外光发生单元提供紫外光，促进双介质阻挡放电等离子体降解有机废气。本发明在双介质阻挡放电等离子体中引入紫外光，在没有光催化剂的存在下，即可有效地促进有机废气降解，大大提高降解率，节省了成本。
一种紫外光等离子体协同降解有机废气装置及其方法