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[实用新型]一种等离子体发生器-CN202021029271.7有效
发明人：陈伟;余德平;张金刚;薛攀 -专利权人：江苏帕斯玛环境科技有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体发生器，包括等离子体发生器主体、等离子体发生器后座、等离子体发生器外壳、毛玻璃、脉冲空气通道、阴极冷却水通道、阴极、等离子体工作气通道、阳极和阳极冷却水通道，所述等离子体发生器主体包括等离子体发生器后座和等离子体发生器外壳，且等离子体发生器外壳通过螺栓与等离子体发生器后座连接，在等离子体发生器后座左端内设置毛玻璃，所述等离子体发生器后座上设置有脉冲空气通道，在等离子体发生器外壳顶部设置阴极冷却水通道，所述阴极冷却水通道与阴极冷却水路连接
一种等离子体发生器

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202310219348.9在审
发明人：土居谦太;中村敏幸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，相对于等离子体生成的时机，能在适当的时机朝向偏压电极输出高频电力。通过基于从脉冲生成部(40)反复输出的第1脉冲，天线用电源(23)向ICP天线(21)间歇地输出第1高频电力，从而生成等离子体(P)，由检测部(50)检测出基于本次的第1脉冲的等离子体(P)的生成开始，计算从本次的第1脉冲的上升到检测部(50)检测出等离子体(P)的生成开始为止的延迟期间，以从在计算出延迟期间后输出的第1脉冲的上升算起经过延迟期间的时间点为基准，基于从脉冲生成部(40)反复输出的第2脉冲
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体显示装置-CN200610141712.0无效
发明人：尹相辰 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：本发明是关于等离子体显示装置的，更具体讲，是关于根据等离子体显示面板的温度，按各子域调整维持脉冲数量，防止高温或低温下的误放电，从而在确保稳定的驱动的同时，提高画质特性的等离子体显示装置的。本发明中的等离子体显示装置，包含：形成多个电极的等离子体显示面板；驱动电极的各驱动部；检测等离子体显示面板的温度的温度检测部；根据温度检测部检测的温度，按各子域调整维持脉冲的数量的维持脉冲数量控制部。
等离子体显示装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110495917.3在审
发明人： C·托马斯;李士敬 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部、偏置RF生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。源RF生成部与等离子体处理腔室结合，生成包含多个源循环的脉冲源RF信号。各源循环具有源运行状态和源未运行状态。偏置RF生成部与基片支承部结合，生成脉冲偏置RF信号。脉冲偏置RF信号具有具备与多个源循环相同的脉冲频率的多个偏置循环，各偏置循环具有偏置运行状态和偏置未运行状态。各偏置循环中的向偏置运行状态的转变时刻相对于对应的源循环中的向源运行状态的转变时刻延迟。
等离子体处理方法装置

[发明专利]组合式等离子体流动控制装置及其调控进气道激波/附面层干扰流动分离的方法-CN201910495449.2有效
发明人：吴云;唐孟潇;张志波;郭善广;梁华;金迪;盛佳明 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： F02K7/16 文献下载
摘要：提供一种组合式等离子体流动控制电路系统，包括进气道简化模型(3)，激波发生器(4)，脉冲电弧放电等离子体激励器(1)，脉表面介质阻挡放电等离子体激励器(2)，圆柱形垂直通孔(5)，脉冲电源(6)。还提供一种组合式等离子体激励调控进气道激波/附面层干扰流动分离的方法。通过组合式等离子体激励控制装置，一方面利用流向阵列式高频小能量脉冲电弧等离子体冲击波激励，实现对进气道入射激波的持续扰动，从而削弱激波强度；一方面利用表面介质阻挡放电等离子体冲击波激励诱导展向旋涡结构，
组合式等离子体流动控制装置及其调控进气道激波附面层干扰分离方法

[实用新型]基于低温等离子体的皮下给药装置-CN201921901070.9有效
发明人：吴征威;王琨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： A61N1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于低温等离子体的皮下给药装置，由等离子体给药电极、等离子体击穿电极、药物舱、多频脉冲等离子体电源组成。其中等离子体给药电极用于击穿皮肤的表皮层和真皮层将皮肤的注射通道打开，等离子体击穿电极用于在等离子体给药电极中打开的通道中注入药物，药物舱用于存储注入的药物，多频脉冲等离子体电源用于控制等离子体击穿电极在不同的应用场景下产生不同的电压及等离子体从而控制对皮肤的击穿情况通过使用本实用新型公开的一种基于低温等离子体的皮下给药装置，可以减缓人体对皮下注入给药的疼痛感，同时提高药物在人体内的有效吸收。
基于低温等离子体皮下装置

[实用新型]一种医用低温等离子体大面积射流装置-CN201520942600.X有效
发明人：郑超;刘振;黄逸凡;闫克平;寇艳芹;曾叶 -专利权人：浙江省医疗器械研究所
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医用低温等离子体大面积射流装置，包括高压脉冲电源、金属软管和等离子体喷枪；高压脉冲电源带电气参数模块和气体流量模块；内部包含高压导线和气管的金属软管由高压脉冲电源的面板引出，并与等离子体喷枪相连；高压脉冲电源外壳、金属软管以及等离子体喷枪表面，都与地线连接；等离子体喷枪内部包含一块接地的泡沫金属，以及按一定阵列排布的套在石英管内的多个高压电极。本实用新型中气体经过等离子体喷枪时，在高压脉冲作用下，电离成等离子体并形成大面积射流，可用于不同的医疗场合，比如医疗器械的消毒灭菌、皮肤的消毒灭菌、血液的凝固、皮肤病的治疗、癌症治疗、大面积伤口特别是烧伤的愈合等
一种医用低温等离子体大面积射流装置

[实用新型]一种用于等离子体诱导组织再生的装置-CN201822235339.6有效
发明人：张若兵;黄昊晨;徐国旺;顾欣宇 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：一种用于等离子体诱导组织再生的装置，包括输入模块、脉冲发生模块、人机交互系统和活性室温等离子体发生模块，输入模块的输出端连接脉冲发生模块的输入端，脉冲发生模块的输出端连接活性室温等离子体发生模块的输入端，输入模块用于输入电能，脉冲发生模块包括整流电路、调制电路、升压电路、整形电路以及反馈回路，脉冲发生模块用于产生高频高压脉冲，人机交互系统控制脉冲发生模块调节高频高压脉冲，活性室温等离子体发生模块在高频高压脉冲的作用下产生低温等离子体
脉冲发生模块等离子体发生高频高压脉冲输入模块等离子体诱导人机交互系统输出端连接组织再生输入端激活低温等离子体人体组织细胞再生调制电路发生模块反馈回路控制脉冲皮肤毛囊升压电路输入电能整流电路整形电路装置可用组织生长组织细胞干细胞萎缩生长

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法及光电转换元件-CN201110215485.2无效
发明人：中野孝纪;三宫仁 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：在相同的等离子体反应腔室(101)中进行至少两个等离子体处理步骤的情况下，按照每个步骤中等离子体处理所需的电源选择CW交流电源或脉冲调制交流电源。因此，即使在等离子体处理条件由于装置构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多种的等离子体处理。而且，通过使用脉冲调制的交流电源，均匀的等离子体可以在电极之间产生，并且提供在电极之间的功率可以减小。由于可以减小等离子体处理速率，所以处理的质量控制变得容易。
等离子体处理装置方法光电转换元件

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法及光电转换元件-CN200780023692.X无效
发明人：中野孝纪;三宫仁 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：在相同的等离子体反应腔室(101)中进行至少两个等离子体处理步骤的情况下，按照每个步骤中等离子体处理所需的电源选择CW交流电源或脉冲调制交流电源。因此，即使在等离子体处理条件由于装置构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多种的等离子体处理。而且，通过使用脉冲调制的交流电源，均匀的等离子体可以在电极之间产生，并且提供在电极之间的功率可以减小。由于可以减小等离子体处理速率，所以处理的质量控制变得容易。
等离子体处理装置方法光电转换元件

[发明专利]一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法-CN201310150602.0有效
发明人：杨利霞;陈伟;施卫东;许红蕾;郑晶 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法，通过建立二维等离子体光子晶体模型，利用模型的反射系数，获取二维等离子体光子晶体带隙大小；利用高斯脉冲函数来表示等离子体频率，通过高斯脉冲函数表达式的变化来调节和控制二维等离子体光子晶体带隙大小依据本发明技术方案，无需改变模型的分布，通过改变等离子体频率的大小，实现二维等离子体光子晶体带隙控制，简易直接，对模型要求低。本发明适用于高频情况下对等离子体光子晶体带隙的调控。
一种二维等离子体光子晶体控制方法

[发明专利]一种反应离子刻蚀方法和设备-CN201711060051.3有效
发明人：陈子琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种反应离子刻蚀方法和设备。该方法用于反应离子刻蚀的等离子体是基于脉冲激光诱导的方式产生的，而不是基于射频放电的方式产生的。因电压一定的情况下，相比射频放电，脉冲激光聚焦更容易诱导气体产生等离子体，且电离程度更高，因此，在电压一定的情况下，相较于射频放电方式，脉冲激光诱导方式能够产生的等离子体密度更大，形成的等离子体初始动能更大因此，采用脉冲激光方式能够有利于提高反应离子刻蚀速率，特别有利于深孔或深槽的底部刻蚀。而且，因产生的等离子体密度和等离子体初始动能更大，因此，利用该方式产生的等离子体进行刻蚀，有利于提高各向异性刻蚀的选择性，有利于改善刻蚀形貌。
一种反应离子刻蚀方法设备

[发明专利]一种等离子体处理设备及方法-CN200910093054.6有效
发明人：韦刚 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、设置于工艺腔室内的上电极和下电极，以及设置于上电极和下电极之间的栅网，该栅网上连接有脉冲电压或交流电压，脉冲电压或交流电压的参数皆可被调节以改变等离子体参数本发明还提供一种等离子体处理方法。本发明提供的等离子体处理设备及方法能够对等离子体参数进行有效调节，并增大等离子体参数的调节范围，同时降低颗粒污染。
一种等离子体处理设备方法

[发明专利]一种非均匀等离子体电子密度的诊断系统及方法-CN201811384281.X有效
发明人：贾洁姝;梁子长;许勇刚;郭良帅;韩如冰 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非均匀等离子体电子密度的诊断系统，包含：等离子体发生器，设置在定标体前方；超宽带天线，包含接收天线和发射天线，设置在等离子发生器同侧；时域窄脉冲源，连接发射天线；高速采样数字示波器，连接发射天线以及接收天线并对发射天线的发射信号以及接收天线的接收信号进行记录和处理；程控电源系统，分别连接时域窄脉冲源、高速采样数字示波器以及等离子体发生器，用于触发时域窄脉冲源，控制等离子体发生器的放电功率，记录等离子体不同放电功率状态，以得到不同放电状态下的等离子体基本参数。其优点是：可以模拟更为精确的超高声速目标表面等离子体鞘套的环境，而且测试效率高，测试成本低。
一种均匀等离子体电子密度诊断系统方法

[发明专利]激光等离子体光学装置及产生超短超强中红外脉冲的方法-CN202010144114.9有效
发明人：朱兴龙;翁苏明;陈民;盛政明;张杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光等离子体光学装置，包括激光系统、真空靶室、气体靶产生装置和聚焦元件。其中，激光系统用于输出驱动光脉冲和信号光脉冲；所述气体靶产生装置用于产生气体，并通过毛细管高压放电电离(或激光皮秒预脉冲烧蚀)气体形成所需要的等离子体通道靶；在通过聚焦元件将驱动光脉冲聚焦到产生的等离子体通道靶上，从而产生密度调制的等离子体尾波；并且在延迟预定时间T后，再通过聚焦元件将信号光脉冲聚焦到等离子体尾波的第二个等离子体密度空泡的前沿区域，从而使得信号光脉冲的频率发生红移，产生超强近单周期中红外脉冲，该中红外脉冲是目前传统光学装置无法达到的
激光等离子体光学装置产生超短超强红外脉冲方法