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[发明专利]基于多沟道异质结的氧化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202310735876.X在审
发明人：郭涛;吴畅 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多沟道异质结的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，上述的氧化镓肖特基二极管包括衬底、缓冲层、沟道层、间隔‑势垒层、阳极及阴极；缓冲层设于衬底上，沟道层设于缓冲层背离衬底层的一侧，间隔‑势垒层设于沟道层上；其中，沟道层和间隔‑势垒层均为多个，多个沟道层和多个间隔‑势垒层依次一一交替布设，以构建形成交叠多层结构；阳极和阴极均设于沟道层上、且分别设于沟道层和间隔‑势垒层的两侧。该肖特基二极管具有寄生效应小、导通电阻小、截止频率高和输出功率大的优点，能够有效提高器件性能的稳定性和可靠性。
基于沟道异质结氧化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制造方法-CN201610099474.5在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，该方法包括在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造氮化镓肖特基二极管的阴极；制造氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。
氮化镓肖特基二极管制造方法

[实用新型]肖特基二极管及电子设备-CN202221587413.0有效
发明人：吴勐;麻建国;孙传帮;杨旭 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供的肖特基二极管及电子设备，涉及半导体功率器件技术领域。肖特基二极管包括：衬底、外延层、位于外延层远离衬底一侧的保护环以及与保护环搭接的势垒层，其中，势垒层包括位于保护环的内侧且朝向所述衬底方向凹陷的倒梯形部分；肖特基二极管还包括氧化层、第一金属电极层及第二金属电极层在保护环内设置具有倒梯形部分的势垒层，倒梯形部分可以缩短势垒层与衬底之间的距离，降低外延通态电阻。由于倒梯形部分的深度可以依据电压反偏过程中耗尽宽度的范围进行设计，可以保证肖特基二极管在反向电压不变的前提下降低正向通态压降，能够进一步提升器件的使用效率，降低产品在电路中的温升。
肖特基二极管电子设备

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法-CN201910954341.5在审
发明人：王颖;时定坤;曹菲;于成浩;包梦恬 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，在Ti/4H‑SiC的肖特基二极管中插入一层Al
势垒肖特基二极管碳化硅薄膜层减小薄膜肖特基势垒原子层沉积不均匀性器件功耗泄露电流电势差可调性偶极子溅射金属生长

[发明专利]具有肖特基势垒二极管的集成电路结构-CN200910246945.0无效
发明人：叶秉君;叶德强;柳瑞兴;刘醇明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基势垒二极管的集成电路结构，包括形成于n型阱区上的金属硅化物层，形成于n型阱区上并包围所述金属硅化物层的p型保护环。所述金属硅化物层的外层部分延伸到与所述保护环的内缘部分重叠，一肖特基势垒形成于所述金属硅化物层的内层部分与阱区的交界处。导电触点与上述金属硅化物层的内层部分和外层部分接触。
具有肖特基势垒二极管集成电路结构

[发明专利]一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管-CN202110553005.7在审
发明人：孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成;王彬;郭嘉欣;黄柯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻
一种具有正向电流密度沟槽肖特基二极管

[发明专利]一种太赫兹四次谐波混频器-CN201811591986.9有效
发明人：纪广玉;张德海;孟进;祁路伟 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心;中国科学院大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹四次谐波混频器，其包括：射频输入波导结构(1)、本振输入波导结构(2)、第一石英电路结构(3)、第二石英电路结构(4)、平面电路沟道(5)、接地台阶(6)、中频输出过渡电路结构(7)、肖特基势垒二极管(8)；平面电路沟道(5)内设有第一石英电路结构(3)、第二石英电路结构(4)和中频输出过渡电路结构(7)；第一石英电路结构(3)端部的一侧上固定有接地台阶(6)，其另一端部的一侧与第二石英电路结构(4)的一端固定，二者呈上下错位放置；靠近第一石英电路结构(3)的一端处固定射频输入波导结构(1)，且其一侧固定肖特基势垒二极管(8)，靠近其另一端处固定本振输入波导结构(2)。
一种赫兹四次谐波混频器

[实用新型]一种具备温度补偿功能的模拟预失真器-CN202222340667.9有效
发明人：朱团 -专利权人：湖南斯北图科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具备温度补偿功能的模拟预失真器，其包括偏置限流电路，扼流器、第一隔直电容、第二隔直电容、3dB 90°电桥、第一调谐电阻、第一非线性分量器、第二调谐电阻和第二非线性分量器，偏置限流电路包括限流电阻、负温度系数热敏电阻和与负温度系数热敏电阻并联的分压补偿电阻，第一非线性分量器和第二线性分量器均为肖特基势垒二极管，两个肖特基势垒二极管产生的非线性信号通过3dB 90°电桥与射频信号输入端口输入的射频信号进行矢量合成
一种具备温度补偿功能模拟失真

[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202211593032.8在审
发明人：赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+衬底、N‑外延层、氧化层及阳极金属层，所述N‑外延层的上表面上沿横向方向依次间隔设置有多个P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，每个所述PN结均呈正六边形结构，相邻两个PN结之间设置有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属设置在N‑外延层的上表面上。本发明的肖特基二极管具有高耐压、高频、漏电小、损耗低等特点。
一种结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于n型氧化镓-p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法-CN202210190219.7在审
发明人：马晓华;侯斌;常青原;武玫;杨凌;张濛;朱青;宓珉瀚;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于n型氧化镓‑p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层、p型金刚石结区、阳极、绝缘介质和阴极；阴极、n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层依次层叠；p型金刚石结区分布在n型氧化镓外延层的表层中，形成终端结构；阳极位于该二极管改善了氧化镓基肖特基势垒二极管反向偏压低、反向漏电流大、热效应明显、以及异质肖特基结附近电场集中效应等问题，获得了更大的功率容量以及较高的器件可靠性。
基于氧化金刚石肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]肖特基二极管-CN201220681432.X有效
发明人：刘宪成;梁勇;陈向东;方佼;李其鲁 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供一种肖特基二极管，本实用新型所述肖特基二极管通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触所述第一掺杂区加一定反向电压后，第一掺杂区下面的PN结耗尽扩展区会连在一起保护肖特基势垒，减小肖特基二极管的常温漏电，从而达到提高了肖特基二极管的工作结温的目的，并显著改善了肖特基二极管的高温稳定性。
肖特基二极管

[发明专利]一种连续可逆调控肖特基二极管势垒的方法-CN202310740196.7在审
发明人：丁俊峰;姚德元 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续可逆调控肖特基二极管势垒的方法，具体为：使用金刚石对顶砧作为压应力产生装置，对肖特基二极管进行加压，肖特基二极管的势垒高度随着压应力的改变而改变，从而实现肖特基二极管势垒高度的连续并可逆调节本发明的方法简单、操作方便，为设计新型高效肖特基器件提供了新的思路。
一种连续可逆调控肖特基二极管方法

[发明专利]肖特基垫垒二极管及其制造方法-CN201210570518.X在审
发明人：李钟锡;洪坰国 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基垫垒二极管及其制造方法。一种肖特基势垒二极管，可以包括配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层，配置在第一n-型外延层中的第一p+区，配置在第一n-型外延层和第一p+区上的第二n型外延层，配置在第二n型外延层中的第二p+区，配置在第二n型外延层和第二p+区上的肖特基电极，以及配置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一p+区和第二p+区可以彼此接触。
肖特基垫垒二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200710153471.6无效
发明人：菊池修一;大川重明;中谷清史;田中秀治 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一阳极扩散层(5)；按照包围所述第一阳极扩散层(5)的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层(5)低的第二阳极区域(9A)；形成于所述外延层(3)的N型阴极扩散层(7A、8A)；所述第一及第二阳极扩散层(5、9A)上形成的肖特基势垒用金属层(14)。
半导体装置

[实用新型]Trench肖特基二极管-CN201320837912.5有效
发明人：何永成;李健 -专利权人：常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件领域，具体的指一种Trench肖特基二极管，包括高浓度N+型衬底，N+型衬底的下表面为接触金属，上表面为半导体，特别的，所述半导体的上表面镀有肖特基势垒金属，并开设有沟槽，沟槽的内表壁具有二氧化硅薄层，沟槽内通过溅射参入多晶，所述的肖特基势垒金属和沟槽表面覆盖一层接触金属。本实用新型提出的Trench肖特基二极管的VF特性具有普通二极管无法超越的优势，降低二极管上消耗的功率，从而提高充电效率。
trench 肖特基二极管