[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法在审
| 申请号： | 201910954341.5 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110729352A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王颖;时定坤;曹菲;于成浩;包梦恬 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 11335 北京汇信合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张焕响 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，在Ti/4H‑SiC的肖特基二极管中插入一层Al | ||
| 搜索关键词： | 势垒 肖特基二极管 碳化硅 薄膜层 减小 薄膜 肖特基势垒 原子层沉积 不均匀性 器件功耗 泄露电流 电势差 可调性 偶极子 溅射 金属 生长 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，其特征在于：在碳化硅上溅射沉积具有低势垒和低正向压降的肖特基金属层(5)，并在肖特基金属层(5)和碳化硅之间插入Al
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