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[发明专利]利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法-CN202010248425.X有效
发明人：余林蔚;董泰阁;孙莹;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法，包括基于IP‑SLS生长方法并结合台阶沟道引导技术生长出晶态硅纳米线阵列，将此晶态硅纳米线阵列通过转移法进行交叉堆叠形成三维空间结构的多层纳米线阵列结构，再制备成手性器件。本发明把平行密排长直纳米线阵列通过转移的方法，并且每次每层转移都旋转一定角度，然后把纳米线阵列进行空间上的堆叠，将可以获得类似缓偏器的效应。将长直平行硅纳米线阵列的双折射和缓偏器两种效应结合，可以制备出具有高光学活性，高不对称因子的手性光学器件。
利用晶态纳米阵列堆叠制备光学手性器件方法

[发明专利]QLED器件及其制备方法-CN201810878221.7有效
发明人：余磊;宋晶尧;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种QLED器件及其制备方法，其中，QLED器件包括发光层，所述发光层中包括量子点材料和有机纳米线，所述有机纳米线均匀分布于所述量子点材料中。该QLED器件通过在发光层中均匀掺杂有机纳米线，可以提高空穴传输能力、降低电子电流，从而平衡载流子的注入和传输，提升器件性能。
qled 器件及其制备方法

[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备-CN202011376950.6在审
发明人：余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
一种电子器件及其制作方法电子设备

[发明专利]一种单根银纳米线器件的制备方法-CN202210859421.4在审
发明人：叶晃青;曾西平;汪颖;黄康志 -专利权人：深圳市华科创智技术有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及单根银纳米线生产技术领域，尤其涉及一种单根银纳米线器件的制备方法，包括以下制备步骤：选取石英玻璃片，使用有机溶剂清洗干净后标记叉指电极图案；刻蚀标记的图案；清洗；按照蚀刻的标记镀上两层金属；冲洗后吹干；配置银纳米线分散液，将其滴加在石英玻璃片上，得到单根银纳米线搭接的电极；所述银纳米线分散液浓度为1.8‑2.2mg/L。本发明的单根银纳米线器件的制备方法，通过对电极间距、银纳米线长度及分散液浓度进行限定，能高效、经济地实现单根银纳米线的搭接，具有普适性，制备出的单根银纳米线在市面上的应用更广泛。
一种单根银纳米器件制备方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201910584958.2有效
发明人：江宏礼;陈奕升;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括在第一方向上延伸并且设置在半导体衬底的第一区域上方的第一多个堆叠纳米线结构。第一多个堆叠纳米线结构的每个纳米线结构均包括在基本垂直于第一方向的第二方向上布置的多条纳米线。纳米线堆叠绝缘层位于衬底和第一多个堆叠纳米线结构的每个纳米线结构的最靠近衬底的纳米线之间。至少一个第二堆叠纳米线结构设置在半导体衬底的第二区域上方，并且浅沟槽隔离层位于半导体衬底的第一区域和第二区域之间。
制造半导体器件方法

[发明专利]背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置-CN201911088568.2在审
发明人：李浩;周后荣;尤立星;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本发明制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用，实现高稳定性的自对准光耦合；且利用μm级的标记刻度尺，结合光学显微镜可以直接量化对光误差，使得对光误差控制在μm量级。
光耦合单光子探测器超导纳米线背面测试装置封装件光纤插头套管制备形貌标记刻度尺光学显微镜高稳定性光敏区域误差控制定位环自对准垂线量化配合应用

[发明专利]源极和漏极上具有不同硅化物的纳米线MOSFET-CN201910831930.4有效
发明人：让-皮埃尔·科林格;林正堂;江国诚;卡洛斯·H.·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米线场效应晶体管(FET)器件以及用于形成纳米线FET器件的方法。形成包括源极区和漏极区的纳米线FET。纳米线FET还包括连接源极区和漏极区的纳米线。本发明提供了源极和漏极上具有不同硅化物的纳米线MOSFET。
漏极上具有不同硅化物纳米 mosfet

[发明专利]纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法-CN201610438607.7在审
发明人：李述体;王汝鹏;宋伟东;郭德霄;陈航;李凯 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法，本发明的纳米线阵列的制备方法，包括：在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台；在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层；在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽；在梯形槽侧壁上生长异质结纳米线；在相邻的异质结纳米线的间隙中填充绝缘介质。该制备方法制备的纳米线阵列和纳米线阵列集成器件可批量生长，且具有方向性，有序性；并且生长的微纳材料具有可控性。
纳米阵列制备方法集成器件及其

[发明专利]一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法-CN202211319593.9在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于陀螺仪设计技术领域，具体涉及一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法。其中，硅纳米线陀螺仪采用氮化硅薄膜、栅极和硅纳米线共同支撑质量块，采用单晶硅纳米线代替传统的压敏电阻作为角加速度的检测方式。本发明巧妙地在氮化硅薄膜上制备的栅极不仅能够有效的调制硅纳米线沟道，进而寻找出器件的最佳工作点，同时也能有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。
一种工作状态可调纳米陀螺仪及其制备方法

[发明专利]半导体纳米线少数载流子寿命的检测方法-CN201210072969.0有效
发明人：李天信;夏辉;陆卫;胡伟达;姚碧霂;黄文超 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命本方法适用于外延和刻蚀等方法制备的纳米线样品中单纳米线载流子动力学特性的测定，并且本方法使用了较低的光激发强度，更接近纳米线在光电器件中的工作状态，因而对于分析、评估纳米线及其光电器件的核心性能有重要价值
半导体纳米少数载流子寿命检测方法

[发明专利]制造纳米线器件的方法-CN200610139884.4有效
发明人：李鞠宁;成又庆;郑晳元;金原孝 -专利权人：电子部品研究院
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于通过不利用电子束形成超细图案的情况下以简单的工艺形成单晶硅纳米线，并将与衬底分离的纳米线转移到另一氧化层或绝缘层，从而在没有附加的复杂纳米线对准工艺或SOI衬底的情况下以低成本批量生产制造半导体纳米线器件的方法同样，本发明提出了一种用于通过将纳米线从其上形成该纳米线的半导体衬底转移到其上形成绝缘层等的另一衬底上来简单地制造纳米线器件的方法。
制造纳米器件方法

[发明专利]互补纳米线半导体器件及其制造方法-CN201510943725.9有效
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提出了一种互补纳米线半导体器件及其制造方法，采用多次热氧化‑去除氧化层工艺对第一纳米线进行处理时，热氧化法会与第一纳米线中的硅进行反应生成氧化层，可以降低第一纳米线中硅的含量，提高锗的含量，进而提高半导体器件的性能；此外，采用本发明中的技术方案，能够通过较为简单的工艺形成圆柱形的第二纳米线，降低了制造难度。
互补纳米半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种纳米仿生器件及其制备方法-CN202110275434.2在审
发明人：赵波;张建 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种纳米仿生器件，包括纳米仿生单元(1)、电压脉冲发生器(2)、紫外光脉冲发生器(3)，纳米仿生单元(1)由微电极对(4)和ZnO纳米线(5)组成，ZnO纳米线(5)搭接在微电极对(4)之间，电压脉冲发生器(2)通过导线连接在微电极对(4)两端，紫外光脉冲发生器(3)置于纳米仿生单元(1)上方。该器件的制备方法：制备ZnO纳米线；制备微电极对；将ZnO纳米线搭接在微电极对之间；键合ZnO纳米线；连接脉冲电压发生器并调节电压幅值和脉冲宽度；放置紫外光脉冲发生器并调节功率和脉冲宽度。本发明的纳米仿生器件的核心单元为纳米尺度，不需要外接其他电子元件，可独立工作实现非联想式学习的仿生，器件结构简单、制备方便。
一种纳米仿生器件及其制备方法

[发明专利]一种基于二氧化锰纳米线的电致变色器件及其制备方法-CN201911210956.3有效
发明人：王金敏;于红玉;马董云;祝向荣 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二氧化锰纳米线的电致变色器件及其制备方法。本发明的电致变色器件包括二氧化锰纳米线结构薄膜电极；其中二氧化锰纳米线结构薄膜电极由FTO导电玻璃和二氧化锰纳米线结构薄膜构成。和现有技术相比，本发明采用无晶种层辅助一步水热法制备二氧化锰纳米线结构薄膜电极，并将其组装成电致变色器件，制作工艺简单，易于操作，所需试剂种类极少，成本低，制备的二氧化锰纳米线结构薄膜电极所组成器件电致变色性能较好，有利于推动纳米二氧化锰在电致变色领域的应用。
一种基于二氧化锰纳米变色器件及其制备方法

[发明专利]基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法-CN201310591009.X有效
发明人：夏辉;李天信;姚碧霂;卢振宇;陈平平 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
基于竖直排列半导体纳米光电探测器制备方法