“郭礼康”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于SOI硅片的硅纳米线阵列式加速度计及其制备工艺-CN202211320069.3在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于SOI硅片的硅纳米线阵列式加速度计及其制备工艺。本发明将采用底层硅为100型的(111)SOI硅片，利用(111)型硅片和(100)型硅片晶向分布不同的特点，通过各向异性腐蚀、自限制热氧化和离子注入等工艺制备出高质量高成品率的加速度计。工艺保留了硅片表面的氮化硅层，使其有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。另外，本发明采用氮化硅薄膜和硅纳米线共同支撑质量块，采用单晶硅纳米线替代传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数更高，本发明的硅纳米线加速度计具有更高的灵敏度。
基于 soi 硅片纳米阵列加速度计及其制备工艺

[发明专利]一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法-CN202211319593.9在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于陀螺仪设计技术领域，具体涉及一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法。其中，硅纳米线陀螺仪采用氮化硅薄膜、栅极和硅纳米线共同支撑质量块，采用单晶硅纳米线代替传统的压敏电阻作为角加速度的检测方式。本发明巧妙地在氮化硅薄膜上制备的栅极不仅能够有效的调制硅纳米线沟道，进而寻找出器件的最佳工作点，同时也能有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。
一种工作状态可调纳米陀螺仪及其制备方法

[发明专利]一种硅纳米线陀螺仪及其加工工艺-CN202211320068.9在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线陀螺仪及其加工工艺。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片包括顶层硅、中间的埋氧层和底层的体硅，顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至埋氧层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝。本发明的硅纳米线陀螺仪，由三条硅纳米线和氮化硅薄膜共同支撑一个锥体质量块作为陀螺仪的结构，采用单晶硅纳米线代替传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数高的特点，具有更高的灵敏度。
一种纳米陀螺仪及其加工工艺

[发明专利]基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺-CN202211339653.3在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：西华师范大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺。硅纳米线阵列式加速度计包括硅纳米线阵列、氮化硅薄膜、质量块、金电极、栅极和硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块位移会使得硅纳米线发生形变，硅纳米线形变会导致电导发生变化，进而输出变化的信号；同时，栅极能够调制硅纳米线阵列沟道，进而寻找出器件的最佳工作点。另外，本发明工艺简单、成本低廉。
基于栅极调控纳米阵列加速度计及其加工工艺

[发明专利]一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法-CN202211096122.6在审
发明人：刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;江迪莎;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝；悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度，即调节硅纳米线沟道的电导，进而寻找出器件的最佳工作点。
一种基于栅极调控纳米陀螺仪及其加工方法

[发明专利]基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法-CN202211085336.3在审
发明人：刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;韩晶晶;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明涉及基于硅纳米线阵列的加速度计及其制备方法。该硅纳米线阵列加速度计包括硅纳米线敏感单元、氮化硅薄膜、质量块、金电极以及硅基底。本发明将众多硅纳米线并联排布在两个电极之间，器件整体呈现梳齿状；在硅纳米线阵列加速度计工作时，多条硅纳米线上的信号相互叠加，使输出信号更强更稳定。本发明采用单晶硅纳米线替代传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数高，使得本发明的加速度计具有更高的灵敏度。另外，本发明制备工艺简单，成本低廉，可实现大规模制作。
基于纳米阵列加速度计及其制备方法

[发明专利]最佳工作点可调的硅纳米线阵列式加速度计及其加工方法-CN202211084758.9在审
发明人：刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;韩晶晶;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明涉及最佳工作点可调的硅纳米线阵列式加速度计及其加工方法，硅纳米线阵列式加速度包括硅纳米线敏感单元、质量块、氮化硅薄膜、金电极、栅极以及硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块上下移动会使得硅纳米线发生形变，导致硅纳米线的电导变化，进而输出变化的信号；同时，本发明的栅极能够调制硅纳米线沟道，进而可寻找到器件的最佳工作点。另外，栅极结构能够有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。本发明的加工方法工艺简单、成本低廉，可实现大规模加工生产。
最佳工作可调纳米阵列加速度计及其加工方法

[发明专利]一种基于SOI硅片的硅纳米线陀螺仪的制备方法-CN202211096126.4在审
发明人：刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;李梦洁;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SOI硅片的硅纳米线陀螺仪的制备方法，选取SOI硅片，在其顶层硅表面制备氮化硅薄膜，形成介质掩膜层；在介质掩膜层形成三个三角形图案，并刻蚀图案处的氮化硅形成三个三角形窗口；之后对三角形窗口处的硅进行干法刻蚀，制得三个深度一致的竖直三角形槽；刻蚀竖直三角形槽下的氧化层，接着再刻蚀底层硅；对竖直三角形槽进行各向异性湿法腐蚀，形成六边形腐蚀槽，且相邻的六边形腐蚀槽之间形成单晶硅薄壁结构，三个六边形腐蚀槽中间出现两个相对的锥体结构；100晶向的底层硅出现腐蚀槽将顶层硅上的相连的锥体结构释放构成质量块，得到氮化硅薄膜和三根硅纳米线共同支撑质量块。本发明的硅纳米线陀螺仪的灵敏度更高。
一种基于 soi 硅片纳米陀螺仪制备方法

[发明专利]基于SOI硅片的硅纳米线阵列式加速度计及其制备工艺-CN202211085280.1在审
发明人：杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于SOI硅片的硅纳米线阵列式加速度计及其制备工艺。本发明将采用底层硅为100型的(111)SOI硅片，利用(111)型硅片和(100)型硅片晶向分布不同的特点，通过各向异性腐蚀、自限制热氧化和离子注入等工艺制备出高质量高成品率的加速度计。工艺保留了硅片表面的氮化硅层，使其有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。另外，本发明采用氮化硅薄膜和硅纳米线共同支撑质量块，采用单晶硅纳米线替代传统的压敏电阻作为敏感单元，由于硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数更高，本发明的硅纳米线加速度计具有更高的灵敏度。
基于 soi 硅片纳米阵列加速度计及其制备工艺

1
共 9 条