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[发明专利]ONO结构及ONO电容的制作方法-CN201410217609.4无效
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO结构的制作方法，包括以等离子体增强原子层沉积工艺在晶圆表面生长第一氧化硅层；以等离子体增强原子层沉积工艺在所述第一氧化层上生长氮化硅层；以及以等离子体增强原子层沉积工艺在所述氮化层上生长第二氧化硅层上述步骤在等离子体增强原子层沉积设备中原位执行。本发明可以在同一设备同一工艺菜单中制作性能优越的ONO结构。
ono 结构电容制作方法

[发明专利]一种铝掺杂氧化锌薄膜的制备方法-CN202211361733.9在审
发明人：董雪迪;林佳继;张武;刘群 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝掺杂氧化锌薄膜的制备方法，所述制备方法采用原子层沉积和等离子体增强原子层沉积的组合技术，以依次进行第一原子层沉积、第二原子层沉积、第一等离子体增强原子层沉积和第二等离子体增强原子层沉积为一次大循环本发明提供的制备方法能够使铝原子更加有效地置换锌原子，同时控制薄膜中锌和铝的比例，从而提升薄膜的透光率，并且电阻率较低，工艺适配度高，可以广泛应用。
一种掺杂氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法-CN202210817186.4在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。
具有保护网格等离子体增强原子沉积系统方法

[发明专利]基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管及制备方法-CN201910999810.5在审
发明人：宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;袁炜健;张旭;张观广;梁志豪;梁宏富;邱斌;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管，包括依次设置的：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中：栅极绝缘层是由等离子体增强原子层沉积制备的氧化铝薄膜，有源层是通过磁控溅射沉积制备的硅掺杂氧化锡薄膜。本发明的氧化锡基薄膜晶体管采用等离子体增强原子层沉积法制备高介电常数的氧化铝作为栅极绝缘层，并且使用非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，降低了有源层/栅极绝缘层界面缺陷态和器件的开启电压，显著地提高了器件迁移率和稳定性本发明还提供一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管制备方法。
栅极绝缘层等离子体增强原子层沉积源层氧化锡基薄膜晶体管制备半导体材料磁控溅射沉积薄膜晶体管掺杂氧化锡高介电常数界面缺陷态氧化铝薄膜氧化锡薄膜开启电压依次设置源漏电极非晶硅硅掺杂迁移率氧化铝衬底

[发明专利]一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法-CN201110041566.5无效
发明人：石建军;刘新坤;黄晓江;梅永丰 -专利权人：东华大学;无锡迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法，所述的脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置，包括真空反应腔体，真空反应腔体内底部设有基底，真空反应腔体分别连接真空机械泵和前驱体输入管路，其特征在于，真空反应腔体内顶部设有等离子体电极，等离子体电极依次连接射频功率匹配器、脉冲调制射频电源和脉冲延时器。所述的方法为在沉积至少一种前驱体时，通过脉冲调制射频电源产生等离子体辅助沉积。本发明的优点是降低了沉积过程中离子轰击对沉积薄膜的影响，并且防止沉积过程中腔体温度的上升。
一种脉冲调制射频等离子体增强原子沉积装置方法

[发明专利]镀膜设备-CN202111105642.4在审
发明人：廖宝臣;王亨;张良俊;李翔;黎微明 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种镀膜设备，包括：反应腔；温控部；第一气体供给部，用于在温控部将反应腔内的温度控制在第一预设温度范围内时，向反应腔提供第一镀膜气体，使得反应腔内产生原子层沉积反应/等离子体增强原子层沉积反应用于在温控部将反应腔内的温度控制在第二预设温度范围内时，向反应腔提供第二镀膜气体；电源，用于在真空系统将反应腔内的真空度控制在预定真空度范围内，以及第二气体供给部向反应腔提供第二镀膜气体后，向反应腔内馈入电压，使得反应腔内产生等离子体增强化学气相沉积反应本申请的镀膜设备既能进行原子层沉积工艺/等离子体增强原子层沉积工艺，也能进行等离子体增强化学气相沉积工艺。
镀膜设备

[发明专利]一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法-CN202211236543.4在审
发明人：李中华;熊玉卿;周晖;李毅;何延春;王志民;王虎;王艺;李林;高恒蛟;李坤;李学磊;周超;黄骁 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法，通过等离子体增强原子层沉积技术在有机材料基底上制备SiOx薄膜种子层。采用化学气相沉积技术在SiOx薄膜种子层上制备硅氧烷膜中间层。采用等离子体增强原子层沉积技术在硅氧烷膜中间层上制备SiOx帽子层。其中SiOx种子层可以有效降低硅氧烷涂层中的微观缺陷，防止形成原子氧剥蚀通道。SiOx帽子层可以有效遮盖硅氧烷表面孔洞、裂纹等缺陷，同时增强原子氧防护性能。既发挥了等离子体制备的硅氧烷涂层的柔韧性，又发挥了原子层沉积的涂层的致密性，使防护涂层的综合性能显著提高。
一种致密复合型原子防护薄膜制备方法

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911236067.4有效
发明人：成国良;张文广;郑春生;张华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面形成第一氧化层，形成第一氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第一功率；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，形成第二氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第二功率，所述第二功率大于所述第一功率，所述第二氧化层与所述第一氧化层用于构成栅氧化层本发明实施例有利于提高栅氧化层的形成质量，进而有利于提高栅氧化层的电学性能，相应优化了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]等离子体增强原子层沉积设备-CN201320165837.2有效
发明人：王东君 -专利权人：王东君
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强原子层沉积设备，包括：相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体，其中：所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置；所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口，来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合；所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台该设备实现了高质量原子层薄膜的沉积。
等离子体增强原子沉积设备

[发明专利]沉积用于相变存储器的硫族化物膜的方法-CN200780022602.5有效
发明人：郑有珉;李起熏 -专利权人： IPS股份有限公司
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积用于相变存储器的硫族化物膜的方法。当通过使用等离子体的方法(例如，等离子体增强型化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)或等离子体增强型原子层沉积(plasma enhancedatomic layer deposition，PEALD))沉积用于相变存储器的硫族化物膜时，使用包含He的等离子体反应气体，使得硫族化物膜的结晶度经调整，且所沉积膜的晶粒尺寸和形态经调整。
沉积用于相变存储器硫族化物膜方法

[发明专利]含硅薄膜的低温沉积-CN201310204535.6有效
发明人：杨柳;雷新建;韩冰;萧满超;E·J·卡瓦基;长谷部一秀;松永正信;米泽雅人;程寒松 -专利权人：气体产品与化学公司;东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
薄膜低温沉积

[发明专利]含硅薄膜的低温沉积-CN200980120277.5有效
发明人：杨柳;雷新建;韩冰;萧满超;E·J·卡瓦基;长谷部一秀;松永正信;米泽雅人;程寒松 -专利权人：气体产品与化学公司;东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
薄膜低温沉积

[发明专利]等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备-CN201980065060.2在审
发明人： J·帕茨谢德尔;H·罗尔曼;J·维查尔特;F·布里特 -专利权人：瑞士艾发科技
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在真空接受器(1)内，进行等离子体增强原子层沉积(PEALD)，其中前体气体从前体气体入口(13)进入，且单分子层通过吸附沉积在基体(4)上。随后，反应气体通过反应气体入口(15)进入，且基体(4)上的单分子层反应由UHF等离子体(PLA)增强，UHF等离子体产生沿几何轨迹(L)分布，几何轨迹(L)围绕基体载体(3)以及因此该载体上的基体(4
等离子体增强原子沉积 peald 设备

[发明专利]一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法-CN201711285578.6有效
发明人：姜礼华;彭宇;汪涛;肖婷;向鹏;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗玻璃基片；以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术对玻璃基片表面沉积的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氨气等离子体处理后的非晶碳表面沉积一层氮化碳薄膜；在高纯氮气气氛中低温热处理氮化碳薄膜。该方法通过修饰玻璃基片表面化学键、优化氮化碳薄膜中氮原子和氢原子含量以及在氮气氛围中采用低温热处理的方法调整薄膜内应力，从而使氮化碳薄膜具有良好的硬度和透光性。
氮化碳薄膜等离子体增强化学气相沉积玻璃基片表面透光性氨气等离子体处理非晶碳薄膜反应气体甲烷硬质沉积制备氨气低温热处理化学键热处理表面沉积玻璃基片氮气氛围方法调整高纯氮气氮原子非晶碳氢原子中低温薄膜修饰清洗优化

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