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[发明专利]一种高电气强度的聚脲基防污闪新材料其及制备方法-CN202310738120.0在审
发明人： 谭新玉;李旭;陈卫枫;黎涛;刘双全;谭鑫 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09D175/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电气强度的聚脲基防污闪新材料的制备方法。该方法通过微纳米二氧化硅改性聚脲弹性体从而获得一种高体积电阻率、高介电强度、低介电常数，低介质损耗的复合材料，在沿面闪络试验中表现突出。该制备方法首先将带氨基的硅烷偶联剂将不同粒径比例的微纳米SiO2进行改性；然后将异氰酸酯预聚物与改性SiO2进行化学接枝，再引入聚脲树脂。固化成膜后将样品在疏水改性液中浸泡后烘干，制得具有高电气强度的防污闪性能的改性聚脲。该发明通过引入不同粒径的微纳米SiO2提高了复合涂层的润湿性能，使该涂层具有较好的电气强度和机械性能，在绝缘子闪络试验中发现其闪络电压较高，扩大了聚脲在电气领域的应用范围。
一种电气强度聚脲基防污新材料制备方法

[发明专利]一种超疏水导热多层膜及其制备方法-CN202111124727.7有效
发明人：姜礼华;韩梦梦;侯萍萍;何思妙;向鹏;肖婷;杨雄波;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2021-09-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水导热多层膜及其制备方法，包括如下步骤：采用等离子体增强化学气相沉积技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜；采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜；采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜；重复制备碳膜及铜纳米膜表面再次沉积碳膜的步骤2～4次；对所制备的多层膜在氢气氛围保护下高温烧结；采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理。通过上述步骤所获得的多层膜具有优异的超疏水和导热功能，在电子元器件散热和防水方面具有很好的应用前景。
一种疏水导热多层及其制备方法

[发明专利]一种多功能纳米复合涂膜的制备方法-CN202211460873.1有效
发明人：陈卫丰;黎涛;姜礼华;肖婷;杨雄波;向鹏;乔豫龙;李欣义;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用石墨烯量子点和纳米二氧化硅制备纳米复合涂膜的绿色方法，所制备的纳米复合涂膜同时具有高透光率和良好疏水性。该涂膜以GQDs和n‑SiO2作为原料，利用去离子水和乙醇作为分散介质，通过浸渍提拉成膜；烘干后的涂膜浸泡在三甲氧基（1H,1H,2H,2H‑十七氟癸基）硅烷的正己烷溶液中6‑12 h；将浸泡后的涂膜放入烘箱，在80‑130℃范围下放置1‑3 h进行烘干，即得到具有高透光率、良好疏水性的多功能纳米涂膜，可广泛应用于新能源和自清洁材料领域。
一种多功能纳米复合制备方法

[发明专利]一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法-CN202211110322.2有效
发明人：肖婷;尹星宇;谭新玉;王声容;陈潇潇;柯书龙;邱勍晟 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理，得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构，其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2，活化后容量达到3.68 F/cm2，进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2；同时，直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理，其容量仅为2.88F/cm2，说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下，才能获得最大的比电容。
一种提升嵌入阴离子氢氧化物容量方法

[发明专利]一种具有隔热功能的超疏水光热涂层的制备方法-CN202211110486.5有效
发明人：姜礼华;龚梦天;陈潇潇;王声容;董先君;田洪先;肖婷;陈卫丰;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有隔热功能的超疏水光热涂层的制备方法，将环氧树脂溶液和碳酸氢铵溶液混合并加入环氧树脂固化剂，得到环氧树脂‑碳酸氢铵胶质混合溶液。将聚二甲基硅氧烷、碳纳米管、硫化铜纳米颗粒、PDMS固化剂加入乙酸乙酯溶剂中制备混合浆料；制备聚偏氟乙烯‑碳酸氢铵混合溶液；将浆料和溶液混合并搅拌，得到混合浆料。采用刮涂法将基片表面涂满所制备环氧树脂‑碳酸氢铵胶质混合溶液，将带有较大孔洞的环氧树脂涂层涂满混合浆料，烘烤干燥，获得具有隔热功能的超疏水光热涂层。该超疏水光热涂层除了具有较好的隔热、超疏水及光热转换特性之外，该涂层还具有优异的耐腐蚀、耐磨和耐酸碱性能，并且在大多数基底表面拥有很好的附着力。
一种具有隔热功能疏水光热涂层制备方法

[发明专利]一种柔性可粘贴电热/光热超疏水涂层的制备方法-CN202211110238.0有效
发明人：姜礼华;孙嘉进;龚梦天;林一凡;肖婷;向鹏;杨雄波;陈卫丰;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09D127/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性可粘贴电热/光热超疏水涂层的制备方法，以N‑N二甲基甲酰胺为溶剂，加入聚偏氟乙烯；在室温下以乙酸乙酯为溶剂，加入聚二甲基硅氧烷搅拌溶解，多壁碳纳米管、石墨粉、氮化钛纳米颗粒，之后在混合浆料中加入PDMS固化剂；室温下，部分PVDF均质溶液与得到的浆料混合搅拌；部分PVDF均质溶液喷涂或刮涂在基片表面，烘干；均质混合浆料刮涂在所得到的烘干处理后的基片表面，烘烤干燥，冷却，剥离，得到柔性可粘贴电热/光热超疏水涂层。本发明所制备的这种可粘贴电热/光热超疏水涂层不仅具有优异的柔韧性、延展性、自清洁、电热和光热特性，能通过粘胶任意粘在固体物体表面，在防冰除冰领域有着较好的应用前景。
一种柔性粘贴电热光热疏水涂层制备方法

[发明专利]一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层的制备方法-CN202310118175.1在审
发明人：姜礼华;龚梦天;孙嘉进;林一凡;董路路;肖婷;陈卫丰;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09D127/16 文献下载
摘要：本发明公开一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层的制备方法，将N,N‑二甲基甲酰胺与四氢呋喃混合搅拌，形成DMF与四氢呋喃混合溶液；将聚偏氟乙烯溶解在混合溶液中；将聚二甲基硅氧烷与其固化剂SYLGARD 184 CURING AGENT加入到混合溶液中得到胶质混合溶液；将小粒径聚四氟乙烯颗粒、大粒径聚四氟乙烯以及气相二氧化硅颗粒加入到制备的混合溶液中，水浴中加热，得到混合浆料；采用刮涂法将基片表面涂满所制备混合浆料；刮涂镀膜后的基片在较低温度下定型，之后利用梯度法烘干，待烘干结束便可获得一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层。这种辐射制冷涂层兼具良好的辐射制冷性能以及疏水性，且制备方法简单、成本低廉、使用方便和易于大规模使用等优点。
一种具有疏水性能辐射制冷涂层制备方法

[发明专利]一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备及其在超级电容器中的应用-CN202211566423.0在审
发明人：肖婷;张谈映;谭新玉;向鹏;姜礼华 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01G11/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备及其在超级电容器中的应用。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。
一种修饰氧化物制备及其超级电容器中的应用

[发明专利]硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法-CN202310045893.0在审
发明人：肖婷;王志鑫;谭新玉;向鹏;姜礼华;陈卫丰 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法。首先在泡沫镍基底上制备碳酸羟基钴前驱体；然后采用水热法在CCHH表面负载硫化钼，得到CCHH/Mo‑S；接着对CCHH/Mo‑S进行磷化处理，得到CCHH/Mo‑S/P；最后采用计时电位法对CCHH/Mo‑S/P进行活化处理，得到最终产物CCHH/Mo‑S/P/A。CCHH/Mo‑S/P/A在40 mA/cm2的大电流下，反复充放电10000次后，容量保持率仍然高达85%及以上，说明硫化钼和磷掺杂共同辅助的活化策略不仅显著提升了CCHH的容量，而且得到的样品具有优异的循环稳定性。
硫化掺杂协同活化碳酸羟基电极方法

[发明专利]三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯光固化单体的辐射制冷薄膜-CN202211249298.0在审
发明人：涂伊腾;谭新玉;杨雄波;齐贵广;耿嘉林;姚曙民;胡伟伟 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明提供一种三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯的辐射制冷薄膜，所述的辐射制冷薄膜是由三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯在引发剂α‑羟基酮的存在下，经光照射后固化成形的辐射制冷薄膜。本发明所制备得到的透明辐射制冷膜是由三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯光固化单体构成。该辐射制冷涂层可见光透光性好，大气透明窗口辐射能力强，能在满足透光性要求的同时具有较好的辐射制冷效果。
癸烷甲醇丙烯酸酯光固化单体辐射制冷薄膜

[发明专利]一种大型平面玻璃镀膜装置和方法-CN201710646868.2有效
发明人： 谭新玉;付翊航;陈晓波;田丽红 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种大型平面玻璃镀膜装置和方法，包括提升部分、上膜装置、抹平装置、烘干装置、支撑导轨和残液回收装置；提升部分，包括支撑架、两台分别安装在支撑架两端的第一卷扬机、安装在两台第一卷扬机之间的两台第二卷扬机和四个依次排列安装在支撑架内的滑轮，两台第一卷扬机和两台第二卷扬机钢丝绳分别搭接在四个滑轮上，上膜装置包括罩壳和两组上料件，本发明能够对高层建筑外层玻璃进行镀膜，使用起来安全可靠，另外镀出的薄膜厚薄均匀，能够将多余的膜料进行回收。
一种大型平面玻璃镀膜装置方法

[发明专利]疏水除污膜镀膜刮刀及镀膜方法-CN201710289047.8有效
发明人： 谭新玉;付翊航;李炜;龙德武 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B05C11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种疏水除污膜镀膜刮刀，刮刀包括前斜面，和与前斜面固定连接，并位于前斜面两端的侧挡片；在工作时，前斜面、侧挡片的内壁和基板的表面，构成一个用于容纳镀膜液体的料斗。使用时，基板倾斜放置，将刮刀侧挡片的正面和前斜面的底棱与基板贴紧；将镀膜液体注入前斜面、侧挡片和基板之间的空间；从上至下移动刮刀；通过以上步骤，将镀膜液体均匀涂布在基板表面。通过采用以上的方案，能够利用自流平的方式实现镀膜，提高镀膜的均匀性，成品镀膜的平面度较佳，并能够修复基体表面的细微划痕等表面缺陷。刮刀不会刮过镀膜表面，因此不会在镀膜表面留下刀痕，产品外观效果较佳。
疏水镀膜刮刀方法

[发明专利]超疏水薄膜的制备方法和应用-CN202211007293.7在审
发明人： 谭新玉;刘萌;耿嘉林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超疏水薄膜的制备方法和应用，制备步骤包括：S1、将EVA热熔胶用四氢呋喃溶解，加热制备得到透明溶液；S2、将PTFE水性浓缩分散液进行稀释，得到PTFE稀释液；然后加入气相二氧化硅、异丙醇和偶联剂，混匀得到超疏水溶液；S3、将基材进行清洗并烘干，先提拉镀膜S1中的透明溶液后烘干；后提拉镀膜S2中的超疏水溶液后烘干，即得超疏水薄膜。该超疏水薄膜具有良好的超疏水性和低温恢复性，耐各种常见有机溶剂的同时兼具良好的力学性能。这种防水、防冰、防污的多功能薄膜在材料领域、新能源领域等都有巨大的应用潜力。
疏水薄膜制备方法应用

[发明专利]一种带有摩擦防护颗粒超疏水涂层及其制备方法-CN202211110342.X在审
发明人：姜礼华;林一凡;孙嘉进;龚梦天;肖婷;向鹏;杨雄波;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开一种带有摩擦防护颗粒超疏水涂层的制备方法，其关键技术是通过在涂层内植入大粒径二氧化硅颗粒作为超疏水涂层抗摩擦保护颗粒，由此显著提高超疏水涂层耐摩擦特性。将环氧树脂溶解在丙酮中，形成环氧树脂溶液；将十八胺、不同小粒径二氧化硅颗粒、大粒径二氧化硅颗粒、十六烷基三甲氧基硅烷、环氧树脂固化剂按一定质量比加入到所制备的环氧树脂溶液中，之后在水浴中加热搅拌，由此得到超疏水涂层镀膜胶质溶液；将基片浸入到超疏水涂层镀膜胶质溶液中，采用提拉法制备薄膜；将提拉镀膜后的基片在空气中静置一段时间后放入烘箱中进行烘烤干燥，烘烤结束后便可获得一种带有摩擦防护颗粒的超疏水涂层。
一种带有摩擦防护颗粒疏水涂层及其制备方法

[发明专利]磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法-CN202211101819.8在审
发明人：肖婷;张谈映;谭新玉;王声容;陈潇潇;柯书龙;邱勍晟 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。
修饰氧化物制备方法

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