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[发明专利]碳化硅光学镜及其制备方法-CN201910764369.2在审
发明人：刘海鹰;冯磊;蒋鹏 -专利权人：扬州霞光光学仪器有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅光学镜及其制备方法，该碳化硅光学镜包括6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅、增塑剂、滑石粉、增强剂和紫外线吸收剂，其中，6H多晶型的碳化硅和15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上；本发明含6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅的重量比越多，则通过控制碳化硅多晶型的粒径比，能提高碳化硅颗粒的烧结特性，从而促进所得到的碳化硅质烧结体的反应；另外，6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅较其他碳化硅晶型在高温下显示出稳定相的多晶型，则能更有效地促进含碳化硅颗粒的烧结反应，从而提高了其致密性，降低了孔隙率。
碳化硅多晶型碳化硅颗粒光学镜碳化硅质烧结体紫外线吸收剂滑石粉烧结特性烧结孔隙率粒径比稳定相有效地增强剂增塑剂致密性重量比晶型制备

[发明专利]一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113833.3在审
发明人：闫春泽;王长顺;刘桂宙;杨潇;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域，其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，步骤如下：(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化，以获得多孔碳化硅/碳坯体；(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结；(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理，使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内，以获得多孔碳化硅预制体；(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性；(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗，多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充，以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件，具有广泛的应用前景。
一种碳化硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法-CN202210758478.5在审
发明人：严立巍;朱亦峰 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为3.5‑6cm的碳化硅晶锭，采用激光切割，切割成厚度为825‑4000μm的碳化硅晶柱；S2、对步骤S1中得到的碳化硅晶柱，采用激光隐形切割，在碳化硅上形成裂纹，在碳化硅晶柱上形成厚度为80‑200μm的碳化硅薄片和厚度为625‑3920μm的碳化硅厚片，然后在碳化硅薄片上涂布黏着剂，切片时，每次只产生打磨的损耗，对碳化硅切片时产生的损耗更小，对于每1000μm的碳化硅晶柱，能够分离出6个碳化硅薄片，比传统的多线切割技术不但能够分离出更多的碳化硅薄片，而且所产生的损耗更小，有效的降低碳化硅晶圆的加工成本
一种损耗碳化硅切片方法

[发明专利]铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料-CN201910057950.0有效
发明人：陈迎龙;肖浩;杨盛良 -专利权人：湖南浩威特科技发展有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料，铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，搅拌，装入模具中，加压成型，获得铝碳化硅材料。本发明的铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，使得在与铝合金熔液混合之前，碳化硅颗粒被铝充分润湿，再通过搅拌铸造法将被铝浸湿的碳化硅材料采用铝合金熔液进行稀释，制备获得铝碳化硅材料由于碳化硅表面包裹铝，使得碳化硅颗粒被充分润湿，再将其加入到铝合金熔液中时就更加容易与铝合金熔液溶合，即相同体积的铝合金熔液中可以溶更多的碳化硅，提高铝碳化硅材料中碳化硅含量。
铝碳化硅铝合金熔液制备碳化硅浸湿润湿碳化硅颗粒搅拌铸造法碳化硅表面碳化硅材料反应进程加压成型溶合稀释模具装入

[发明专利]一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置-CN202210244788.5有效
发明人：李佳君;王蓉;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
一种碳化硅晶片腐蚀方法装置

[发明专利]一种快速生长高质量碳化硅的方法-CN202110880193.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题，本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法，首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片，然后在坩埚底部依次铺设常规碳化硅粉料、小孔径多孔碳化硅原料片和大孔径多孔碳化硅原料片，以气相传输法进行碳化硅晶体生长。大孔径多孔碳化硅原料片能够防止在碳化硅气体在原料表面结晶，将碳化硅晶体生长速度提高了20～30％；小孔径的多孔碳化硅原料片能够过滤气体组分中的碳颗粒，减少碳化硅晶体生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，从而获得具有较高质量的碳化硅晶体。
一种速生长高质量碳化硅方法

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202022053597.X有效
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人：山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[实用新型]一种导热性能好的碳化硅板-CN202222270536.8有效
发明人：许彬粱 -专利权人：杭州兆昱科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导热性能好的碳化硅板,包括碳化硅板组件和碳化硅板框体一，碳化硅板组件包括碳化硅板框体二，碳化硅板框体一的一端面固定设置有水箱，碳化硅板框体二固定在碳化硅板框体一远离水箱的一端面，碳化硅板框体二的侧面对称开设有若干个凹槽一，凹槽一底面固定设置有弹簧一，弹簧一的上端面固定设置有碳化硅板二，碳化硅板框体二的表面固定设置有弧形碳化硅板一，弧形碳化硅板一的表面环形阵列开设有通孔一，碳化硅板框体二的内表面对称固定设置有若干个弹簧二本实用新型能够加大碳化硅版底部的热量传递效率，可以使得上方得陶瓷件烧制得更加美观。
一种导热性能碳化硅

[发明专利]一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法-CN201911311171.5在审
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后将碳化硅片超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片作阳极、石墨片作阴极，保持碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置不变，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑30min，在碳化硅片表面形成碳化硅纳米结构薄膜层；调整碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置，在所述蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑60s，使碳化硅片表面的碳化硅纳米结构薄膜剥离至碳化硅纳米结构薄膜脱落本发明提供的一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，制备过程容易、剥离程序简单、实验重复性好。
一种碳化硅纳米结构薄膜制备剥离方法

[发明专利]具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件-CN202111094091.6在审
发明人：叶菊芳 -专利权人：一能科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件，其包括第一掺杂类型的碳化硅基底、位于碳化硅基底之上的第一掺杂类型的第一碳化硅层、嵌入第一碳化硅层的顶部分中的第二掺杂类型的第二碳化硅层、嵌入第二碳化硅层的顶部分的第一掺杂类型的第三碳化硅层、与第一碳化硅层、第二碳化硅层及第三碳化硅层重叠的栅极氧化层、以及沿垂直于碳化硅基底的方向至少部分地与第二碳化硅层重叠的第四碳化硅层。
具有横向区域碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种带有导角的碳化硅晶圆及其切片方法-CN202210923374.5在审
发明人：严立巍;文锺;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，具体的是一种带有导角的碳化硅晶圆及其切片方法，本发明包括碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆上开设有用于辅助碳化硅晶圆表面加工定位的导角，通过在碳化硅晶圆上所设置的导角，方便在碳化硅晶圆后续加工工艺时，准确掌握需要制作在碳化硅晶圆上不同组件在碳化硅晶圆上的相对位置，避免因为圆形的碳化硅晶圆导致无法准确的将不同组件制作在碳化硅晶圆上的相对位置，加工时只切除导角部分对应的碳化硅晶圆，所产生的损耗更小，不但在碳化硅晶圆上能够制作更多的晶体管，而且进行涂布时可以使得对碳化硅晶圆边缘的涂布更加均匀。
一种带有碳化硅及其切片方法

[发明专利]碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷及其制备方法-CN200910098876.3有效
发明人：杨辉;郭兴忠;张玲洁;高黎华;傅培鑫 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷的制备方法，以碳化硅粉体、钇铝石榴石和碳化硅短纤维组成主原料，依次包括以下步骤：1)将上述主原料、粘结剂、分散剂加入到去离子水中，球磨混合后，配制成水基碳化硅料浆；2)采用喷雾干燥工艺对水基碳化硅料浆进行喷雾干燥；3)对所得的强化碳化硅造粒粉采用160～200MPa干压成型，获得碳化硅素坯；4)将碳化硅素坯放入真空无压烧结炉中进行烧结，得到碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷本发明还同时提供了按照上述方法所制备的碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷；该碳化硅陶瓷具有断裂韧性大、机械强度高等特性。
碳化硅短纤维强化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅基半导体器件的制备方法-CN202210245817.X有效
发明人：何佳;张长沙 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与碳化硅沟槽底部的碳化硅形成肖特基接触；在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触；在反向时，可以有效的屏蔽电场，提高器件的可靠性。
一种碳化硅半导体器件制备方法

[实用新型]一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置-CN202122657061.3有效
发明人：杜浩晨;罗景涛 -专利权人：陕西开尔文测控技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置，包括破碎收集机构、入料封闭调节机构、破碎驱动机构、安装曲臂、破碎容器、出料口、入料侧边挡板、破碎辊一和破碎辊二。本实用新型属于碳化硅破碎技术领域，具体是一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置，通过设置破碎收集机构大大改善了碳化硅块破碎后的收集和取出步骤的便捷性，通过设置破碎驱动机构提高了碳化硅块破碎的效果，通过设置入料封闭调节机构有效防止碳化硅块破碎时发生入料口进入异物的状况，提高了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的工作效率，提升了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的自动化程度，提高了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的使用体验。
一种碳化硅生产破碎装置

[发明专利]一种碳化硅微粉的生产工艺-CN201710331501.1在审
发明人：李晓龙;李新奇 -专利权人：郑州睿科生化科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅微粉的生产工艺，包括以下步骤S1取碳化硅原料，将碳化硅原料进行粉碎，然后进行筛选，将筛选出的细颗粒进行粉碎，然后进行筛选，收集筛选出的细微粉，得到碳化硅粉；S2将碳化硅粉进行分级处理，得到合格的一级碳化硅微粉和不合格的碳化硅粉；S3将不合格的碳化硅粉进行分级处理，得到合格的二级碳化硅微粉和不合格的碳化硅粉。本发明能够明确的分出不同级别的碳化硅微粉，从而能够提高资源利用率，避免造成资源浪费，且能够提高生产的碳化硅微粉的纯度，从而能够提高生产的碳化硅微粉的质量，工艺简单，操作方便。
一种碳化硅生产工艺