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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种屏蔽电泵用碳化硅轴承结构-CN202121484684.9有效
发明人：周大财 -专利权人：上海佰诺泵阀有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F04D29/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种屏蔽电泵用碳化硅轴承结构，包括依次套设于泵轴上的轴套组件与轴承组件；其中轴套组件包括轴套支撑体以及多个布设于轴套支撑体外壁上的碳化硅条；轴承组件包括轴承支撑体，以及多个嵌设于轴承支撑体内壁上的碳化硅轴瓦，该碳化硅轴瓦与碳化硅条滑动接触；碳化硅条与轴套支撑体之间、碳化硅轴瓦与轴承支撑体之间均采用热套过盈配合。与现有技术相比，本实用新型充分利用碳化硅超高抗压应力特性，并结合热套过盈配合的方式连接碳化硅条与轴套内圈、碳化硅轴瓦与轴承外圈，从而使得来自转子轴的冲击力通过碳化硅材料充分传递到相应的支撑体上，避免碳化硅材料的破碎
一种屏蔽电泵用碳化硅轴承结构

[实用新型]一种碳化硅离心泵-CN202223038383.0有效
发明人：钊文科;罗斯格;欧宝雷;于小燕 -专利权人：无锡英罗唯森科技有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： F04D1/00 文献下载
摘要：一种碳化硅离心泵，包括泵头和与泵头连接的动力系统，所述泵头包括金属前压盖、碳化硅前压盖、碳化硅叶轮、叶轮压盖、紧固螺丝、碳化硅壳体、金属泵本体、静环、静环压盖、碳化硅轴套和动环，所述碳化硅壳体为一体成型设置，碳化硅壳体上设置有物料出口，所述碳化硅壳体一端的端面抵在静环上，另一端的端面抵在碳化硅前压盖上，所述碳化硅前压盖靠近金属前压盖的一端设置有物料进口，所述叶轮压盖与传动轴之间形成的间隙填充有第一填充剂，碳化硅前压盖与金属前压盖之间形成的间隙填充有第二填充剂，碳化硅壳体与金属泵本体之间形成的间隙填充有第三填充剂。
一种碳化硅离心泵

[实用新型]一种碳化硅管干燥用的支架-CN202321055139.7有效
发明人：尹邦进;邓磊 -专利权人：浙江吉成新材股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： F26B25/10 文献下载
摘要：本实用新型属于碳化硅管加工领域，具体是涉及到一种碳化硅管干燥用的支架，包括移动支架和碳化硅管放置件，移动支架包括移动底架、支撑杆和多个限位横杆，支撑杆倾斜设置在移动底架上，多个限位横杆设置在支撑杆上，限位横杆上设置有多个限位槽，碳化硅管放置件的一侧与限位槽可拆卸卡合连接，另一侧设置有用于容纳碳化硅管的放置槽。本实用新型所提供的碳化硅管干燥用的支架，每个碳化硅管竖向放置，可以有效避免碳化硅管的一侧壁由于压力导致变形，影响碳化硅管的椭圆度，另外单根碳化硅管通过一个碳化硅管放置件设置在移动支架上，便于单根碳化硅管的独立拆卸
一种碳化硅干燥支架

[发明专利]一种生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚及生长方法-CN202211655385.6在审
发明人：高升吉;沈志康 -专利权人：德清州晶新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚及生长方法，生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚包括坩埚本体、多个支撑构件、坩埚密封盖、籽晶、第一电机、转轴和容纳框；将碳化硅粉末放入容纳框内，通过外部加热源对坩埚本体进行加热，开启第一电机带动容纳框内的碳化硅粉末转动，使碳化硅粉末均匀受热；通过设置容纳框来容纳碳化硅粉末，使得碳化硅粉末不与坩埚本体内壁接触，同时设置第一电机驱动容纳框转动，使容纳框内的碳化硅粉末转动而均匀受热，从而避免碳化硅粉末长期与坩埚本体内壁接触，防止碳化硅粉末因温度过高而生成碳化颗粒。
一种生长高纯绝缘碳化硅晶体坩埚方法

[发明专利]一种铝碳化硅材料及其制备方法-CN201910336899.7在审
发明人：宫清;周维;徐强;刘辉;宋山青 -专利权人：比亚迪股份有限公司;汕尾比亚迪实业有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝碳化硅材料，包括铝和碳化硅预制件，其特征在于，所述碳化硅预制件由以下原料制备得到：100重量份的碳化硅颗粒、1‑10重量份的金属硝酸盐、1‑10重量份的粘结剂。铝基碳化硅材料的原料中含有金属硝酸盐，金属硝酸盐能热分解产生相应的金属氧化物，加强碳化硅颗粒间的连接，提高碳化硅预制件的强度，有利于进行规模化量产；而且热解产生的金属氧化物附着在碳化硅颗粒表面，可以有效地抑制部分碳化硅颗粒的氧化，减少二氧化硅的生成，提高铝碳化硅材料的热导率。
一种碳化硅材料及其制备方法

[发明专利]碳化硅粉末和制造碳化硅粉末的方法-CN201280001101.X无效
发明人：佐佐木信;井上博挥 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶体生长用碳化硅粉末和制造所述碳化硅粉末的方法。通过将硅小片(1)与碳粉末(2)的混合物(3)进行加热并其后将所述混合物粉碎而形成所述碳化硅粉末且所述碳化硅粉末基本由碳化硅构成。
碳化硅粉末制造方法

[发明专利]碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法-CN201911202091.6在审
发明人： R.西米尼克;T.艾兴格;I.莫德;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法。碳化硅器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括晶体管单元的体区和源区。此外，碳化硅器件包括晶体管单元的碳化钛栅电极。
碳化硅器件半导体器件用于形成它们方法

[发明专利]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202310487251.6在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备

[实用新型]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202321027236.5有效
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备

[发明专利]压制玻璃用模具的制造方法-CN200480013548.4无效
发明人：田中秀治;江刺正喜 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-03-22 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：一种压制玻璃用模具的制造方法，其特征在于：将碳化硅堆积在硅模具的表面上，然后将堆积的碳化硅与碳化硅基板接合，接着通过蚀刻除去硅模具。此外，在该压制玻璃用模具的制造方法中，通过在堆积在硅模具的表面的该碳化硅与碳化硅基板之间插入金属薄膜，可以提高该碳化硅与该碳化硅基板之间的接合性。
压制玻璃模具制造方法

[发明专利]一种碳化硅气凝胶及制备方法-CN202210392619.6有效
发明人：张和平;程旭东;潘月磊 -专利权人：中国科学技术大学先进技术研究院
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C04B30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅气凝胶及制备方法，所述碳化硅气凝胶包括至少两层叠设的碳化硅纤维层，相邻两个所述碳化硅纤维层之间形成间隙；各所述碳化硅纤维层包括多条碳化硅纤维，且多条所述碳化硅纤维相互交联形成多个孔洞本发明提供的碳化硅气凝胶，其层与层之间的间隙结构可以缓冲外部冲击，从而增强碳化硅气凝胶的弹性，与此同时，其多孔结构也提升了整体的隔热性，整体结构的合理设计，确保其力学性能佳、隔热性强。
一种碳化硅凝胶制备方法

[发明专利]以颗粒级配粉体为原料制备致密固相烧结碳化硅的方法-CN201410654362.2在审
发明人：黄政仁;吴海波;刘学建;姚秀敏;陈健 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及以颗粒级配粉体为原料制备致密固相烧结碳化硅的方法，该方法是将含有颗粒级配碳化硅粉体和烧结助剂的复合粉体经成型、烧结制备致密固相烧结碳化硅陶瓷，其中，颗粒级配碳化硅粉体包括：微米级碳化硅粉体、以及亚微米级碳化硅粉体和/或纳米级碳化硅粉体，所述微米级碳化硅粉体与所述亚微米级碳化硅粉体和/或纳米级碳化硅粉体的质量比为（2～0.05）：1。本发明通过低成本的微米级粉体的引入，降低固相烧结碳化硅陶瓷的生产成本；并提高坯体的密度，减少收缩，有利于减少大尺寸样品的烧结变形或开裂。
颗粒级配粉体原料制备致密烧结碳化硅方法

[发明专利]基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法-CN201610834555.5在审
发明人：苑伟政;马志波;马炳和;邓进军;张晗;马骋宇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法，属于微机电系统(MEMS)领域。该传感器主要包括碳化硅基底1，碳化硅敏感薄膜3及碳化硅光纤4；所述碳化硅基底1上有一置于中心位置的非贯通空腔，碳化硅基底1上有碳化硅敏感薄膜3，使得碳化硅基底1上的非贯通空腔形成一密闭真空腔，即法珀腔2；在碳化硅基底1下方中心，有位置与法珀腔2中心位置相应的光纤4，用传导信息。采用碳化硅‑碳化硅高温直接键合，避免了不同材料键合产生的测量误差，大大提高了测量精度和稳定性。
基于法珀腔碳化硅高温压力传感器及其制备方法

[发明专利]用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法-CN202011276502.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法，它涉及碳化硅粉料的预处理技术。它是要解决现有的PVT法碳化硅单晶生长过程中因粉料烧结影响气体输运技术问题。本方法：将碳化硅粉料放入带搅拌的真空感应炉中在，抽真空状态下加热到处理；然后再充入氩气，搅拌的同时继续加热处理；然后冷却到室温，完成碳化硅粉料的预处理。在碳化硅粉末表面形成一层相对疏松的石墨隔离层，稳定的隔离层阻隔了碳化硅颗粒之间的相互接触，减少在高温条件下碳化硅的烧结，利于PVT法碳化硅单晶的生长时减少缺陷。本方法可用于碳化硅单晶生长领域。
用于 pvt 生长碳化硅预处理方法

[发明专利]一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202111381323.6在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2021-11-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种双层复合碳化硅衬底，所述衬底包括碳化硅单晶层和碳化硅多晶层；所述碳化硅多晶层中含有3C型晶体颗粒；所述晶体颗粒尺寸沿着垂直于衬底方向逆着碳化硅单晶层一侧渐次变小。利用化学气相沉积法在碳化硅单晶层上沉积碳化硅多晶层，控制晶体质量，提高了界面的结合强度，且兼顾了生长成本。本发明解决了碳化硅单晶和碳化硅多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底应用性能的稳定性，保证与后续垂直器件工艺的兼容性，且制备过程有效减少碳化硅单晶的损耗，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础
一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法

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