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[发明专利]一种用于硫酸浓缩的蒸发器-CN201711498885.2有效
发明人：徐鹏飞 -专利权人：无锡英罗唯森科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B17/88 文献下载
摘要：用于硫酸浓缩的蒸发器包括防腐蒸发器壳体、多根碳化硅加热套管和防腐管板，防腐管板设置于防腐蒸发器壳体，每根碳化硅加热套管内部设有电加热丝组件安装于防腐管板并位于防腐蒸发器壳体内。此用于硫酸浓缩的蒸发器使用碳化硅加热套管，具有很高的导热率、高强度、耐高温和防酸碱腐蚀特性，适合高温、高压、强酸和强碱等环境，使用于硫酸浓缩的蒸发器具有很好的浓缩效果，也能够延长设备的使用寿命，降低生产成本
一种用于硫酸浓缩蒸发器

[实用新型]一种用于硫酸浓缩的蒸发器-CN201721924298.0有效
发明人：徐鹏飞 -专利权人：无锡英罗唯森科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C01B17/88 文献下载
摘要：用于硫酸浓缩的蒸发器包括防腐蒸发器壳体、多根碳化硅加热套管和防腐管板，防腐管板设置于防腐蒸发器壳体，每根碳化硅加热套管内部设有电加热丝组件安装于防腐管板并位于防腐蒸发器壳体内。此用于硫酸浓缩的蒸发器使用碳化硅加热套管，具有很高的导热率、高强度、耐高温和防酸碱腐蚀特性，适合高温、高压、强酸和强碱等环境，使用于硫酸浓缩的蒸发器具有很好的浓缩效果，也能够延长设备的使用寿命，降低生产成本
硫酸浓缩蒸发器加热套管防腐管碳化硅防腐蒸发器壳体强碱本实用新型防腐蚀设备电加热丝使用寿命蒸发器壳组件安装板设置导热率防酸碱耐高温强酸腐蚀浓缩体内

[发明专利]碳化硅衬底、半导体器件和制造碳化硅衬底的方法-CN201080020518.1无效
发明人：西口太郎;佐佐木信;原田真;藤原伸介;并川靖生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的由此，碳化硅衬底1是能够有效使用碳化硅单晶的碳化硅衬底。
碳化硅衬底半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于碳化硅芯片的耐压性检测装置及其检测方法-CN202211190655.0在审
发明人：张振中;孙军;郝建勇 -专利权人：苏州中瑞宏芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本发明属于耐压检测技术领域，且公开了一种用于碳化硅芯片的耐压性检测装置，包括放置台，所述放置台的顶面开设有定位槽，所述定位槽的内部设有放置板，所述放置台的正面开设有侧边槽，所述放置台的底面固定连接有固定板本发明通过在放置台的正面开设侧边槽，使得侧边槽与定位槽连通，并利用压力机构配合油箱将固定管和套管中的压力油回流，从而使得检测后的碳化硅芯片向下移动至侧边槽的内部，并利用气泵提供动力空气，将动力空气引入至侧边槽的内部后，将内部的碳化硅芯片吹出，实现检测后碳化硅芯片的便捷出料，避免从定位槽中逐一拾取，从而大大提高了碳化硅的实际检测效率，操作简单，使用效果好。
一种用于碳化硅芯片耐压性检测装置及其方法

[发明专利]生产高密度碳化硅发热体的工艺-CN201810987813.2在审
发明人：刘冬义;朱丽辉;朱学武;李发光 -专利权人：辽阳宏图碳化物有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C04B35/567 文献下载
摘要：生产高密度碳化硅发热体的工艺涉及生产高密度碳化硅发热体的工艺。主要是为解决现有的生产碳化硅电热元件使用寿命短的问题而发明的。使用的原料及重量比为：F24的碳化硅10kg、F36碳化硅6.2kg、F46碳化硅2.8kg、F60碳化硅7kg、F80碳化硅7kg、100F碳化硅10.5kg、5S碳化硅12kg、D3E碳化硅7.5kg、甲基纤维素0.8kg、聚乙烯醇0.8kg、甘油1㎏、水4.2㎏；将F24碳化硅和5S碳化硅在混料锅内混合；将水和甘油倒入桶内搅拌；把水和甘油及混合好的F24碳化硅和5S碳化硅及其余原料都投入到混料锅内混合
碳化硅碳化硅发热体甘油内混合混料碳化硅电热元件成型挤压机甲基纤维素产品使用工艺生产聚乙烯醇使用寿命发热体重量比生产成型

[发明专利]一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底-CN202210502400.7在审
发明人：欧欣;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅衬底的制备方法，包括：获取第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆；对所述第一碳化硅晶圆和所述第二碳化硅晶圆分别进行离子注入，得到第一离子注入后的第一碳化硅晶圆和离子注入后的第二碳化硅晶圆；对所述第一离子注入后的第一碳化硅晶圆进行离子注入，得到第二离子注入后的第一碳化硅晶圆；将所述第二离子注入后的第一碳化硅晶圆和所述离子注入后的第二碳化硅晶圆进行键合，得到键合晶圆；对所述键合晶圆进行退火处理，得到第三碳化硅晶圆。该种制备方法，可以解决现有技术中碳化硅衬底产能不足、单片衬底成本高及通过离子束技术制备的碳化硅衬底存在界面性能损耗的问题，从而实现高质量、低成本的碳化硅衬底制备。
一种碳化硅衬底制备方法

[发明专利]一种用可塑法制备再结晶碳化硅制品的方法-CN201610018879.1有效
发明人：肖汉宁;刘寒 -专利权人：肖汉宁
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种用可塑法制备再结晶碳化硅制品的方法，其原料由质量份数为60~70份碳化硅粗粉、30~40份碳化硅细粉、1~3份增塑剂和1~3份润滑剂组成，碳化硅粗粉的粒径为20~150微米；碳化硅细粉的粒径为0.2~2微米；该方法包括以下步骤将碳化硅粗粉用球磨整形得整形碳化硅粗粉；将碳化硅细粉用聚乙二胺溶液进行包覆处理得改性碳化硅细粉；将改性碳化硅细粉与增塑剂混匀，加入整形碳化硅粗粉、水和润滑剂，捏炼成可塑碳化硅泥料；将可塑碳化硅泥料挤制得湿坯，再干燥得生坯；将生坯烧结，出炉得再结晶碳化硅制品。该再结晶碳化硅制品的体积密度为2.5~2.65g/cm3，室温抗弯强度为80~110MPa；与注浆法比，生产效率高、周期短、成本低、产品的均匀性好和可靠性高。
一种可塑法制再结晶碳化硅制品方法

[发明专利]一种碳化钨界面层改性的碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法-CN201811086877.1有效
发明人：宋环君;于艺;刘伟;王鹏;李晓东;金鑫;于新民;刘俊鹏;裴雨辰 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钨界面层改性的碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)通过化学气相沉积法在碳化硅纤维预制体的表面依次沉积一层碳化钨界面层和一层碳化硅界面层，制得改性碳化硅纤维预制体；(2)用碳前驱体溶液浸渍改性碳化硅纤维预制体，然后将浸渍后的改性碳化硅纤维预制体依次经过固化和裂解的步骤；(3)至少重复步骤(2)一次，制得多孔碳化硅纤维预制体；(4)将多孔碳化硅纤维预制体进行液硅熔渗反应，制得碳化钨界面层改性的碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。本发明制得的碳化钨界面层改性的碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的高温抗氧化性能、抗热冲击性能、抗水蒸气腐蚀性能等综合性能优异。
一种碳化界面改性碳化硅纤维增强复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法-CN202111281754.5在审
发明人：吴宝林;侯振华;吴迪 -专利权人：江西信达航科新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：前驱体的制备、表面复合氧化镧粒子的碳化硅纤维的制备、表面复合氧化镧晶须的碳化硅纤维的制备、高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷的制备。本发明还提供了上述方法制得的高绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料。本发明提供的碳化硅纤维增强陶瓷复合材料，通过在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纤维大大提高了材料的韧性，在碳化硅纤维表面复合氧化镧晶须，降低了碳化硅纤维的介电参数，同时在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，进一步降低了碳化硅陶瓷的介电参数
一种绝缘碳化硅纤维增强陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种高强度高韧性的碳化硅纳米线增强碳化硅陶瓷复合材料的制备方法-CN202010876982.6有效
发明人：范宇驰;颜鹏;燕文强;王连军;江莞 -专利权人：东华大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度高韧性的碳化硅纳米线增强碳化硅陶瓷复合材料的制备方法，包括：硅烷偶联剂改性碳化硅纳米线制备，酚醛树脂涂层包覆的碳化硅纳米线制备，碳涂层包覆的碳化硅纳米线制备，碳化硅纳米线增强碳化硅陶瓷复合材料制备该方法保证碳化硅陶瓷基体与纳米线增强体之间载荷的有效传递，且碳化硅纳米线表面的碳涂层可以有效保护其内部的碳化硅纳米线在高温烧结时不因与基体发生反应而破坏。
一种强度韧性碳化硅纳米增强陶瓷复合材料制备方法

[实用新型]一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管-CN202121600638.0有效
发明人：刘建军 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片，所述第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片呈倒“品”字形结构设置本实用新型的碳化硅肖特基二极管，将三个碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。
一种结构紧凑碳化硅肖特基二极管

[发明专利]一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法-CN202010961239.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。为解决现有碳化硅晶体制备过程容易引入杂质形成缺陷晶体的问题，本发明提供了一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，包括将碳化硅籽晶柱粘接在坩埚盖上，以碳化硅多晶体为原料生长碳化硅单晶。本发明切割新生成的碳化硅单晶后剩余的籽晶柱还可以作为原料继续用于制备碳化硅单晶，节约了制备成本；采用碳化硅多晶体为碳化硅单晶的生长原料，固体碳化硅多晶体与碳化硅粉相比升华速度慢，不易引入杂质，能够减少缺陷晶体的产生；将籽晶柱粘接在坩埚盖上，由籽晶柱生长碳化硅单晶可以有效避免晶体生长过程中应力的产生，有效降低位错和晶格等缺陷。
一种降低晶体缺陷碳化硅制备方法

[发明专利]一种微波辅助的碳化硅多孔陶瓷、铝碳化硅复合体制备方法及铝碳化硅复合体-CN202011532489.9在审
发明人：景文甲;王鹏冲;何岚;刘磊;汪震;何娟 -专利权人：珠海亿特立新材料有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种微波辅助的碳化硅多孔陶瓷制备方法，先对碳化硅预制坯板烘干再放置于制备盒中，倒入增强剂至浸没；在真空干燥器中进行抽真空浸渍；再进行微波固化和高温彻底固化；然后进行烧结，烧结后自然冷却至室温，得到碳化硅多孔陶瓷。本发明提供一种铝碳化硅复合体制备方法，将碳化硅多孔陶瓷加工为预设尺寸的碳化硅预制体；利用压力渗透法，将铝合金溶液浸渍在碳化硅预制体中，得到铝碳化硅复合体。本发明还提供一种用此铝碳化硅复合体制备方法制得的铝碳化硅复合体。在保证碳化硅多孔陶瓷气孔率、增重率的同时，不损失铝碳化硅复合体的热导率，提升碳化硅预制体的强度，防止碳化硅预制体在压力浸渗过程中发生变形和断裂，产品贴合率高。
一种微波辅助碳化硅多孔陶瓷复合体制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆切片工艺-CN202211039735.6在审
发明人：严立巍 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆切片技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆切片工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为4‑6cm的碳化硅晶锭，在碳化硅晶锭的中心位置采用隐形激光切割，形成两个厚度为2‑3cm的碳化硅晶柱，然后对两个碳化硅晶柱进行分离，得到两个厚度一致碳化硅晶柱，通过对碳化硅晶锭采用激光隐形切割进行对半切割，可以得到256片厚度一致碳化硅薄片，不但可以使得碳化硅晶锭切割成碳化硅晶柱时不产生损耗，只产生最终对碳化硅薄片进行打磨时的损耗，能够降低切片产生的损耗，得到更多的碳化硅薄片，而且所有切割剥离得到的碳化硅薄片可以统一进行研磨抛光，有效的简化了加工工艺，提高了生产效率。
一种碳化硅切片工艺

[发明专利]一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法-CN202211330241.3在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;刘雄;陈兴;黄永 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种多台阶的钳位电压可选的SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：碳化硅衬底层，碳化硅外延堆叠层，碳化硅外延堆叠层包括n层第一碳化硅外延层和n层第二碳化硅外延层；第一电极，位于最顶层的第二碳化硅外延层上；若干第二电极，位于碳化硅衬底层的第二上表面上及第1层第二碳化硅外延层至第(n‑1)层第二碳化硅外延层的第四上表面上；其中，第一碳化硅外延层为轻掺杂，第二碳化硅外延层为重掺杂，且碳化硅衬底层和第二碳化硅外延层均为第一导电类型，第一碳化硅外延层为第二导电类型。
一种台阶电压可选 sic tvs 器件制备方法