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[发明专利]半导体装置-CN202210015164.6在审
发明人：河野洋志;大桥辉之;尾形昂洋 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
半导体装置

[发明专利]一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET-CN202311169609.7在审
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET,涉及MOSFET器件技术领域,其目的是在相同的功率限制下达到更高的电流，第一P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层的左肩；第一栅氧化层与第一P型碳化硅埋层相接，N型碳化硅外延层凸台相接；第一多晶硅位于第一栅氧化层；第二P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层右肩；第二栅氧化层与第二P型碳化硅埋层相接，与N型碳化硅外延层凸台相接；第二多晶硅位于第二栅氧化层；P型碳化硅基区设置在N型碳化硅外延层，P型碳化硅基区、第一栅氧化层和第二栅氧化层相接；P型碳化硅基区上设置源区层、介质及金属层。
一种电流能力优化沟槽碳化硅 mosfet

[实用新型]低功耗场效应管-CN201921508687.4有效
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市精芯智能半导体有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。
功耗场效应

[发明专利]碳化硅单晶的连续长晶方法-CN201811302584.2有效
发明人：李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶的连续长晶方法，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长。本发明方法在保证大尺寸单晶连续生长、抑制碳化硅粉料边缘碳化、提高粉料质量、降低碳化硅单晶杂质含量、提高碳化硅单晶品质等方面具有重要作用。
碳化硅单晶粉料高纯碳化硅双层腔室碳化物理气相传输法底角大尺寸单晶碳化硅粉料方法使用高纯硅烷腔室壁碳颗粒圆弧形生长壁侧开孔坩埚生产补充申请保证

[发明专利]碳化硅晶片表面清洗方法-CN202010485729.8在审
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;杨新鹏;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
碳化硅晶片表面清洗方法

[发明专利]碳化硅晶圆腐蚀的保护方法-CN202010620381.9在审
发明人：张晓洪;钮应喜;程海英;钟敏;袁松;左万胜;刘洋;郗修臻;史田超;史文华 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅晶圆腐蚀的保护方法，包括以下步骤：1)在碳化硅晶圆表面镀耐腐蚀层；2)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的耐腐蚀层；3)腐蚀步骤2)处理后的碳化硅晶圆；4)观察碳化硅晶圆的缺陷情况；5)去除碳化硅晶圆其他面的耐腐蚀层；6)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的腐蚀层，获得可循环使用的碳化硅晶圆。与现有技术相比，本发明提供的腐蚀保护方法获得的碳化硅晶圆依然具有一定厚度，而且侧面完整性好，能够满足重复利用的要求，降低成本。
碳化硅腐蚀保护方法

[发明专利]功率器件和电子设备-CN202310934544.4在审
发明人：付云鹏;冯尹;张鹏;陈伟伟;陈永华;张磊路 -专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件和电子设备，该功率器件包括：碳化硅模块；驱动结构，位于碳化硅模块的一侧；转接结构，位于碳化硅模块和驱动结构之间，转接结构与碳化硅模块和驱动结构分别电连接，驱动结构通过转接结构驱动碳化硅模块通过设置转接结构来连接驱动结构和碳化硅模块，这样无需针对碳化硅模块单独设计驱动结构，无需更改驱动结构的引脚位置与连接走线，就可以实现碳化硅与驱动结构的连接兼容，节约了驱动结构的设计与生产成本，保证了碳化硅模块可以快速应用于市场
功率器件电子设备

[发明专利]一种碳化硅陶瓷包壳元件端塞的制作方法-CN201811488478.8有效
发明人：谢宇辉;沈伟 -专利权人：核工业第八研究所
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅陶瓷包壳元件端塞的制作方法，编织碳化硅纤维板；对碳化硅纤维板进行表面热解碳处理；处理后的碳化硅纤维板进行碳化硅气相沉积处理，得到半成品碳化硅板材；利用空心钻头在半成品碳化硅板材上进行磨削打孔，在空心钻头内得到成型的半成品端塞；取出半成品端塞，进行陶瓷致密化处理，获得核燃料碳化硅陶瓷包壳元件端塞。与现有技术相比，本发明制备的核燃料碳化硅陶瓷包壳元件端塞具有表面尺寸精度高，力学性能好等优点。
一种碳化硅陶瓷元件制作方法

[实用新型]一种碳化硅模块净水装置-CN202020781933.X有效
发明人：胡飞;叶亚兴;琚涌欣;袁林峰 -专利权人：兰德森膜技术南京有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C02F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅模块净水装置，涉及净化水设备领域，包括有固定架、碳化硅模块、主管路，碳化硅模块通过固定架固定，碳化硅模块设有若干个，碳化硅模块之间不连通，碳化硅模块与主管路连通，主管路还接通有阀口便于控制出水，本实用新型利用碳化硅材质的特性，设计了碳化硅模块结构及与碳化硅模块配合的模块，应用在净化水领域，包括泳池、污水池都可以使用本净水装置，安全环保，杜绝了传统使用化学药剂净水带来的刺激性气味问题。
一种碳化硅模块净水装置

[发明专利]一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法-CN201911052030.6有效
发明人：张新河;陈施施;温正欣;杨安丽;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法。该方法至少包括：用于校准高温反应腔的碳化硅衬底；使用蓝膜保护碳化硅衬底背面，在表面喷洒含一定浓度纳米二氧化硅的抛光液；静置数分钟后，清洗衬底材料，将其表面的抛光液洗去，此时抛光液中的纳米二氧化硅将在碳化硅衬底上结晶并均匀分布；揭去衬底背面的蓝膜，将此碳化硅衬底放入拟校准的碳化硅高温反应装置中加热至指定温度；降温取出衬底；观察碳化硅衬底表面的纳米二氧化硅结晶的分布情况，得出碳化硅高温反应装置的温场；检测完毕后，用氢氟酸清洗碳化硅衬底即可重复利用该方法操作简单，重复率高，能有效的表征出大尺寸碳化硅高温反应装置的温场分布，有利于获得碳化硅反应设备的稳定温场及提高碳化硅外延层的均匀性。
一种针对尺寸碳化硅高温反应装置校准方法

[发明专利]一种碳化硅MOS器件-CN202011295998.4在审
发明人：艾育林 -专利权人：江西万年芯微电子有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOS器件，包括金属漏极，金属漏极的上端面设有漏电极，漏电极的上端面设有N+型碳化硅衬底，N+型碳化硅衬底的上端面设置有N型碳化硅漂移区，N型碳化硅漂移区的上端面生长有碳化硅N‑外延层；碳化硅N‑外延层左上方和右上方均具有源极沟槽，源极沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区以及碳化硅P型掺杂区；碳化硅N‑外延层的上端面设有源极金属，碳化硅N‑外延层和源极金属上设有贯穿的槽，槽内壁以及外表面设有栅氧化层本发明将栅氧化层设置为纵向，嵌入到碳化硅体内，导通时，电流路径更短，因此导通电阻更低，电流能力更强。
一种碳化硅 mos 器件

[发明专利]一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用-CN202211186158.3在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用，所述碳化硅复合籽晶包括层叠设置的高质量碳化硅单晶籽晶层、键合层和低质量碳化硅晶体层；所述高质量碳化硅单晶籽晶层的微管密度≤0.1个/cm2，位错密度≤1000个/cm2；所述低质量碳化硅晶体层的微管密度和位错密度分别对应地大于高质量碳化硅单晶籽晶层；所述碳化硅复合籽晶的厚度本发明提供的碳化硅复合籽晶用于生长碳化硅单晶晶锭时，碳化硅单晶晶锭生长于高质量碳化硅单晶籽晶层的表面，既保证了籽晶和晶锭的质量，又避免了因籽晶过薄而在高温生长环境中籽晶表面出现孔洞或籽晶发生翘曲变形的问题
一种碳化硅复合籽晶及其制备方法应用

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202211598971.1在审
发明人：母凤文;郭超;谭向虎 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)碳化硅单晶衬底的第一表面与石墨板粘接，激光照射碳化硅单晶衬底的第二表面，在碳化硅单晶衬底内部形成改质面；施加外力，将碳化硅单晶衬底沿着改质面断开，得到碳化硅单晶衬底与石墨板组成的复合晶体层结构；(2)在所述复合晶体层结构中的碳化硅单晶衬底的改质面上生长晶体层后，分离石墨板，得到碳化硅单晶衬底与晶体层组成的复合碳化硅衬底。本发明所述制备方法先以石墨板为支撑层，通过激光切割得到较薄的高质量碳化硅单晶衬底，之后在该碳化硅单晶衬底上生长一层低质量晶体层，不会形成键合界面层，提高了复合碳化硅衬底的制备效率，降低了制备时间。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种带有碳化硅陶瓷外衬的耐磨煤粉燃烧器-CN202310633487.6在审
发明人：高阳;王鑫;冯绍伟;李博;孙君建;胡光华 -专利权人：朝阳燕山湖发电有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F23D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有碳化硅陶瓷外衬的耐磨煤粉燃烧器，涉及煤粉燃烧器技术领域。本发明包括中心管，中心管外侧设置有第一碳化硅陶瓷外衬、第二碳化硅陶瓷外衬以及第三碳化硅陶瓷外衬，中心管外壁开设有定位槽，第一碳化硅陶瓷外衬内壁固定有定位块，定位块与定位槽为相互配合的楔形结构，便于对第一碳化硅陶瓷外衬进行初步定位，第一碳化硅陶瓷外衬、第二碳化硅陶瓷外衬以及第三碳化硅陶瓷外衬一端开设有插槽，另一端固定有插块，与插槽相互配合，便于将第一碳化硅陶瓷外衬、第二碳化硅陶瓷外衬以及第三碳化硅陶瓷外衬首尾相连固定在中心管外侧
一种带有碳化硅陶瓷耐磨燃烧

[发明专利]金刚石/碳化硅-碳化硅涂层、复合材料及其制备方法-CN202211711126.0在审
发明人：朱万利;包建勋;张舸;崔聪聪;郭聪慧 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及无机功能涂层技术领域，特别涉及一种金刚石/碳化硅‑碳化硅涂层、复合材料及其制备方法。金刚石/碳化硅‑碳化硅涂层包括第一金刚石/碳化硅涂层和第二碳化硅涂层。金刚石/碳化硅复合材料的制备方法包括如下步骤：制备金刚石/碳化硅复合材料预制素坯、配制第一涂层浆料和第二碳化硅涂层、将第一涂层浆料覆盖在预制素坯的表面固化后得到第一涂层、将第二碳化硅涂层与第一涂层连接并固化、将表面含有第一涂层和第二碳化硅涂层的预制素坯通过真空无压渗硅反应烧结得到金刚石/碳化硅复合材料。
金刚石碳化硅涂层复合材料及其制备方法