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[发明专利]超薄碳化硅晶圆转移工艺-CN202210892161.0在审
发明人：严立巍;文锺;林春慧;刘文杰 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是超薄碳化硅晶圆转移工艺，本发明包括以下步骤：S1.1、将完成前半段制程的键合在玻璃载板上的碳化硅晶圆，取一个表面带有凹槽的石墨载盘，翻转玻璃载板和碳化硅晶圆，将键合碳化硅晶圆的玻璃载板进行翻转，将碳化硅晶圆置入石墨载盘的凹槽内部，通过将玻璃载盘上的晶圆转移至石墨载盘上，可以方便通过石墨载盘承载碳化硅晶圆放入外延炉中进行外延工艺，避免碳化硅晶圆过薄导致直接转移碳化硅晶圆时造成碳化硅晶圆的损伤，再通过点涂硅胶进行定位，保证在通过石墨载盘承载过程碳化硅晶圆，移除玻璃载盘过程中，碳化硅晶圆在石墨载盘上的位置不会发生变化。
超薄碳化硅转移工艺

[发明专利]一种可分离的复合碳化硅衬底及其制备和分离方法-CN202210213635.4在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种可分离的复合碳化硅衬底，包括第一碳化硅单晶层、第二碳化硅单晶层以及位于两个碳化硅单晶层之间的非晶层；所述碳化硅衬底，对于波长为1030nm的光，第二碳化硅单晶层的透过率大于50％，非晶层的透过率小于本发明得到的复合碳化硅衬底，采用波长为1030nm的激光束，从第二碳化硅单晶层射入，聚焦在非晶层，非晶层吸收激光能量发生结构分解，从而第一碳化硅单晶层与第二碳化硅单晶层自然分离，解决了碳化硅器件工艺中背面减薄的问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，降低了后段器件工艺背面减薄的成本与难度，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定材料基础。
一种可分离复合碳化硅衬底及其制备分离方法

[发明专利]一种铝基复合材料用碳化硅颗粒的预处理方法-CN201410308106.8有效
发明人：王顺成;郑开宏;王辉;王娟;王海艳 -专利权人：广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：一种铝基复合材料用碳化硅颗粒的预处理方法，该方法是先将碳化硅颗粒与SiO₂溶胶搅拌混合，使碳化硅颗粒表面覆盖一层均匀的SiO₂溶胶；然后对碳化硅颗粒进行烘烤，去除SiO₂溶胶的水分，使碳化硅颗粒表面覆盖一层均匀的SiO₂薄膜，即得到预处理好的碳化硅颗粒。采用本发明对碳化硅颗粒进行预处理，可显著改善碳化硅颗粒与铝液之间的润湿性，通过搅拌方法很容易将碳化硅颗粒加入到铝液中形成碳化硅颗粒增强铝基复合材料，同时还能抑制碳化硅颗粒与铝液之间发生反应生成Al₄C₃脆性物，获得高性能的碳化硅颗粒增强铝基复合材料，且本发明还具有工艺简单、成本低、适合于大规模工业化生产的优点。
一种复合材料碳化硅颗粒预处理方法

[发明专利]一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法-CN201510624450.2有效
发明人：查祎英;王方方;田亮;朱韫晖;刘瑞;郑柳;杨霏;李永平;吴昊 -专利权人：国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触
一种沟道碳化硅沟槽 mosfets 器件及其制备方法

[发明专利]一种叠层复合过滤结构-CN201910039837.X有效
发明人：余盛杰;李喜英;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01D39/14 文献下载
摘要：一种叠层复合过滤结构，其特征在于，包括两层结构，表层结构为纤维织物层，内层结构为碳化硅泡沫支撑体，所述纤维织物层由碳化硅纤维织物与碳化硅晶须基体组成，孔隙率为20~30%，厚度为0.3~2mm，碳化硅纤维织物体积分数为40~50%，由碳化硅纤维布叠层组成，纤维布层数为2~6层；所述碳化硅泡沫支撑体为三维网状碳化硅骨架组成，孔隙率为40~50%，孔径为5~10μm，厚度为5~10mm，所述碳化硅骨架表面生长有碳化硅晶须，碳化硅骨架直径为20~30μm，内部中空，所述碳化硅晶须为多孔网状结构，晶须直径为200~500nm。本发明具有的优点：1、梯度孔隙过滤结构利于过滤清灰；2、多孔网状碳化硅晶须降低过滤阻力，提高过滤效率；3、整体结构稳定，力学性能优异。
一种复合过滤结构

[发明专利]一种基于碳化硅热交换管的速热加热装置-CN201610763986.7有效
发明人：俞其峰;徐瑜婷 -专利权人：杭州锦业科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： F24H1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳化硅热交换管的速热加热装置，属于速热加热装置技术领域。其包括壳体，在壳体内部设有多根平行排布的碳化硅热交换管，其中两根碳化硅热交换管的端口分别为进水口和出水口；各根碳化硅热交换管均包括碳化硅管和包裹于碳化硅管表面的热电膜，各相邻碳化硅热交换管的端部依次连通，使各碳化硅热交换管之间串行连通。本发明采用碳化硅热交换管作为热传导媒介，并在热交换管外壁覆盖一层电热膜，电热膜通电后提供热量；本发明采用多根碳化硅热交换管平行排布，且通过水路连接件将各碳化硅热交换管间串行连接，使流经的水流不断的经过各碳化硅热交换管分别累积加热
一种基于碳化硅热交换加热装置

[发明专利]一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法-CN202210214553.1有效
发明人：王蓉;徐所成;皮孝东;许彬杰;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法，包括以下几个步骤：将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内，进行碳化硅第一阶段生长，形成带贯穿型位错的碳化硅晶体；将生长腔室加热，压强降低，加入含碳气体，通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长，在碳化硅表面形成第一缓冲层；停止加入含碳气体，生长腔室内载气恢复至初始状态，提高腔室内压强，进行碳化硅第三阶段生长，第一缓冲层表面形成第二缓冲层；调整腔室压强，进行碳化硅单晶生长；生长完成后，降温、降压，获得低位错密度的碳化硅单晶，本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变，降低碳化硅单晶中的位错密度，实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种低位密度碳化硅生长方法

[发明专利]一种碳化硅扩散焊接方法及碳化硅换热器-CN202110273937.6有效
发明人：冯付韬;任来超;蒋健安;余秀英;石景祯;付敏翔;丁旭;杨代坤;杨超;蒋卫波 -专利权人：杭州沈氏节能科技股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B23K20/14 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅材料连接技术领域，具体涉及一种碳化硅扩散焊接方法及碳化硅换热器。碳化硅扩散焊接方法，包括：对碳化硅零件进行清洁，并将至少两个碳化硅零件按照待成型产品的构造叠放，并置于扩散焊接炉内；对扩散焊接炉内抽真空至炉内气压不大于10－2Pa或向扩散焊接炉内充入保护气体至炉内气压为0.2Mpa～0.5Mpa；对扩散焊接炉内进行升温，至炉内温度为2000℃～2400℃，并对碳化硅零件施加20MPa～25Mpa的压强，并保持恒温恒压至少50min；对扩散焊接炉进行降温至不高于300℃后开炉，即可得到碳化硅扩散焊接产品。得到的碳化硅产品内部无过渡层，碳化硅零件之间能够完全焊接融合。避免了碳化硅之间的过渡层对碳化硅产品的性能的影响。
一种碳化硅扩散焊接方法换热器

[发明专利]一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法-CN202211523460.3有效
发明人：李佳君;王蓉;皮孝东;高万冬;沈典宇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用
一种碳化硅籽晶处理方法晶体生长

[发明专利]一种改善SiC Mos界面特性的方法-CN202310065487.0有效
发明人：林政勋;郭轲科 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种改善SiC Mos界面特性的方法，涉及碳化硅制备领域。该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
一种改善 sic mos 界面特性方法

[发明专利]高通量碳化硅陶瓷过滤体的分离层膜层浆液及分离层膜层制备方法-CN202110450376.2有效
发明人：袁林峰;约翰尼·马切尔;胡广;胡飞 -专利权人：南京瀚深材料科技股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高通量碳化硅陶瓷过滤体的分离层膜层浆液及分离层膜层制备方法，高通量碳化硅陶瓷过滤体由载体以及附在载体表面的分离层构成，分离层膜层浆液由碳化硅粉、第二助剂与水混合制成，并且pH值控制在6‑10，以使得浆液中的碳化硅粉颗粒具有与载体表面携带同性电荷；具有一定粒径错配比的碳化硅粉包括碳化硅粉III和碳化硅粉IV，碳化硅粉III的中值粒径为碳化硅粉IV的中值粒径的3‑8倍。本发明通过优化浆液配方，使其在涂覆时避免因毛细过滤和薄膜形成过程中碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内，可实现在平均孔径10μm以上碳化硅载体上直接涂覆平均孔径在200nm以下的分离层，在涂覆时有效阻止碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内
通量碳化硅陶瓷过滤分离层膜层浆液制备方法

[实用新型]基于碳化硅热交换管的速热加热装置-CN201620987666.5有效
发明人：俞其峰;徐瑜婷 -专利权人：杭州锦业科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： F24H1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于碳化硅热交换管的速热加热装置，属于速热加热装置技术领域。其包括壳体，在壳体内部设有多根平行排布的碳化硅热交换管，其中两根碳化硅热交换管的端口分别为进水口和出水口；各根碳化硅热交换管均包括碳化硅管和包裹于碳化硅管表面的热电膜，各相邻碳化硅热交换管的端部依次连通，使各碳化硅热交换管之间串行连通。本实用新型采用碳化硅热交换管作为热传导媒介，并在热交换管外壁覆盖一层电热膜，电热膜通电后提供热量；其采用多根碳化硅热交换管平行排布，且通过水路连接件将各碳化硅热交换管间串行连接，使流经的水流不断的经过各碳化硅热交换管分别累积加热
基于碳化硅热交换加热装置

[实用新型]一种低碳铝碳化硅砖-CN202121088611.8有效
发明人：刘富敏;郝道峰;刘冬洋 -专利权人：禹州市鑫源耐火材料有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低碳铝碳化硅砖，涉及碳化硅砖生产技术领域，为解决现有碳化硅砖在摆放时砖与砖之间会产生相对的滑动，从而影响砖与砖的连接结构，导致堆砌的建筑稳定性和持久性较差的问题。所述低碳铝碳化硅砖的一侧设置有第一连接口，所述低碳铝碳化硅砖的另一个设置有第二插口，所述低碳铝碳化硅砖的上表面设置有第一插口，所述低碳铝碳化硅砖的下表面设置有第二连接口，所述低碳铝碳化硅砖的前端面设置有通孔，且通孔贯穿低碳铝碳化硅砖，所述低碳铝碳化硅砖的内部设置有碳化硅砖层，所述低碳铝碳化硅砖的表面设置有保护层。
一种低碳铝碳化硅砖

[实用新型]屏蔽泵用方便润滑的轴承结构-CN202322485884.1有效
发明人：孙鹏;陈兴彪;李智;徐光俊;胡友涛 -专利权人：山东鲁辰泵业有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F04D29/046 文献下载
摘要：内碳化硅环同轴安装在轴瓦外，外碳化硅环安装在轴承座内，内碳化硅环设置在外碳化硅环内，内碳化硅环与外碳化硅环之间可相对转动；在所述的外碳化硅环内壁设置有用于容纳润滑油脂的容纳部，容纳部环绕外碳化硅环内壁设置，外碳化硅环内壁还设置有将各容纳部连通的连通部，外碳化硅环上设置有与容纳部或连通部连通的加注孔，轴承座上设置有与加注孔连通的止回组件。本屏蔽泵用方便润滑的轴承结构使外碳化硅环与内碳化硅环之间能够存储更多的润滑油脂，进而降低了轴承的润滑频率，连通部将各容纳部连通，方便向各容纳部内补充润滑油脂，从而降低了泵体拆卸的频率。
屏蔽方便润滑轴承结构

[其他]组合式陶瓷套管红外加热器-CN87201688无效
发明人：曹树良 -专利权人：山东省新材料研究所
申请日： 1987-07-21 - 公布日： 1988-06-22 - 主分类号： H05B3/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种组合式陶瓷套管红外加热器，发热部分由多根等长的黑色陶瓷管组装在一起构成，外壳采用普通碳化硅红外加热器的金属外壳，可以方便地替换老式的碳化硅加热器。节电20％—30％。
组合式陶瓷套管红外加热器