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[实用新型]一种生产碳化硅粉末用气流分级机-CN202020514851.9有效
发明人：林斌;张玉磊 -专利权人：内蒙古申弘新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于气流分级机技术领域，尤其是一种生产碳化硅粉末用气流分级机，针对现有的碳化硅粉末原料中掺杂颗粒较大的碳化硅或者杂质，会影响后续的加工，拉低碳化硅粉末中碳化硅纯度，且分离碳化硅粉末后排出的气体中难免会掺杂更细微的碳化硅粉末，如不进行收集会对环境造成污染同时造成资源浪费的问题，现提出如下方案，其包括分级壳体和细粉末壳体、风机，本实用新型中通过设置粗过滤板和细过滤板，使得碳化硅粉末原料中的颗粒较大的碳化硅或者杂质被进一步的筛除，提高碳化硅粉末中碳化硅纯度，且分离碳化硅粉末后排出的气体进一步对更细微的碳化硅粉末进行过滤，防止对环境造成污染和资源的浪费。
一种生产碳化硅粉末气流分级

[实用新型]一种用于废金属加工液过滤后重新回用的装置-CN202121293681.7有效
发明人：宁成举 -专利权人：济南汇百川流体科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于废金属加工液过滤后重新回用的装置，包括粗滤罐、磁性过滤器、纳米隔油罐和循环桶，所述粗滤罐的一端与污液池连通，粗滤罐的另一端与磁性过滤器连通，磁性过滤器的另一端与纳米隔油罐连通，纳米隔油罐的另一端与循环桶连通，循环桶的一端与碳化硅膜的一端连通，且循环桶通过循环泵与碳化硅膜的另一端连通，碳化硅膜的外侧套接有套管，经过碳化硅膜过滤的液体通过套管和连接管进入净液桶内，净液桶另一侧通过反洗泵与碳化硅膜的出液端连通。
一种用于金属加工过滤重新装置

[发明专利]一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法-CN202011276517.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，它涉及碳化硅膜的制备方法。它是要解决现有的碳化硅薄膜的制备方法碳化硅薄膜厚薄不均的技术问题。本方法：将粗、细两种碳化硅粉末混合后，加入到加入到无水非极性溶剂中，再加二三价金属醇盐，搅拌混合得到碳化硅分散液Ⅰ；将水与正丁醇的混合液滴入碳化硅分散液Ⅰ中，混合均匀得到碳化硅分散液Ⅱ，干燥得到处理过的碳化硅粉末；用处理过的碳化硅粉末、分散剂和烧结助剂加水制备浆液；多孔陶瓷支撑体浸入浆液、干燥后烧结，得到含碳化硅膜的多孔陶瓷。该碳化硅膜厚度均匀、致密、裂痕少，机械强度高。可用强酸强碱强氧化条件下的污水净化。
一种碳化硅多孔陶瓷制备方法

[发明专利]碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法-CN202180028870.8在审
发明人：境谷省吾 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅单晶具有第一主面、第二主面、第一碳化硅区域和第二碳化硅区域。第二主面位于第一主面的相对侧，并且向外侧凸出。第一碳化硅区域构成第一主面，并且位于第一主面与距离第一主面10mm的假想平面之间。第二碳化硅区域构成第二主面，并且与第一碳化硅区域连接。第一碳化硅区域和第二碳化硅区域各自包含多型为4H的碳化硅单晶。第一碳化硅区域的空洞缺陷的数量除以第一碳化硅区域的空洞缺陷的数量和第二碳化硅区域的空洞缺陷的数量的合计而得到的值为0.8以上。在与第一主面平行的截面中，空洞缺陷的长径为1μm以上且1000μm以下。
碳化硅制造方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长方法-CN202310150969.6在审
发明人：雍庆;娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;曹硕;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。
一种碳化硅生长方法

[发明专利]一种碳化硅磨削工艺-CN202310148463.1在审
发明人：韦大勇;杨东风;黄伟山 -专利权人：无锡弘元半导体材料科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅磨削工艺，属于碳化硅领域，一种碳化硅磨削工艺，包括有以下步骤：S1：参数设置，检测碳化硅基体的形状和尺寸，并根据其形状和尺寸对打磨动作的参数进行设置；S2：一次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行粗磨处理；S3：二次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行精磨处理，得到碳化硅片成品；S4：清洗，对二次打磨后的碳化硅片成品进行清洗和甩干，清洗、甩干后输出清洁后的碳化硅片成品；它可以实现，根据碳化硅基体的形状和尺寸设置对碳化硅基体进行粗磨和细磨的参数，同步提升碳化硅片成品的打磨效率和打磨精度。
一种碳化硅磨削工艺

[发明专利]碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体-CN202310703657.3在审
发明人：林育仪;廖建成;陈增强;余明轩 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置及方法在开启顶加热器和最高处的主加热器以使碳化硅晶体开始生长后，通过检测碳化硅晶体的生长图像计算碳化硅晶体的生长速率，并检测坩埚侧壁上与碳化硅晶体的生长面等高的预设部位的温度，根据碳化硅晶体的生长速率或者预设部位的温度调节顶加热器和多个主加热器的工况，以使预设部位的温度和碳化硅晶体的生长速率始终处于目标范围内，直至碳化硅晶体生长结束这样就可以使得碳化硅晶体的生长速率以及预设部位的温度始终处于较为理想的目标范围内，从而提高碳化硅晶体的生长质量。
碳化硅晶体生长装置方法晶体

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
一种高纯碳化硅衬底

[发明专利]一种碳化硅陶瓷制品及制备方法-CN201110331293.8有效
发明人：万龙刚;王建栋;刘臻;李刚;黄志林;吴吉光 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于耐火材料制备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅陶瓷制品及制备方法；以碳化硅为主要原料，引入部分碳化硅微粉，采用有机结合剂，并引入添加剂B4C或单质B，在艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结；上述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为：碳化硅颗粒占65~75%、碳化硅细粉占15~20%、碳化硅微粉占10~15%；添加剂B4C为碳化硅原料重量的2~3%或单质B为碳化硅原料重量的1~2%，加入碳化硅原料重量的本发明提出的碳化硅陶瓷制品及制备方法改善了制品的导热性、高温强度及其化学侵蚀性。
一种碳化硅陶瓷制品制备方法

[发明专利]一种对碳化硅晶片进行减薄的方法-CN201010145299.1有效
发明人：汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
一种碳化硅晶片进行方法

[发明专利]一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用-CN202010724063.7有效
发明人：王路平;许晓林;刘鹏飞;高超;张九阳;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用。所述方法包括：S1、将含有贯穿微管的碳化硅晶体完全浸入坩埚内的熔液中；所述熔液的温度低于所述碳化硅晶体的熔点；S2、使所述熔液在所述碳化硅晶体的所述贯穿微管中进行液相生长结晶；S3、将所述碳化硅晶体从所述熔液中取出，获得所述贯穿微管数量降低的碳化硅晶体。本发明能在碳化硅晶体生长完成后进行微管愈合，无需在碳化硅晶体生长过程中进行调节，操作简单方便，便于实施，可有效降低碳化硅晶体中的微管数量，提高晶体的质量，还可以提高碳化硅产品应力分布均匀性、提高碳化硅产品导电性能
一种碳化硅晶体微管愈合方法产品应用

[发明专利]碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法-CN202010575275.3有效
发明人：蔡凯;郭少聪;王军;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法，制备碳化硅籽晶的方法包括：在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求，且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异，使得界面处的结合更为牢固，同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题，进而可以有效提高采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的质量
碳化硅籽晶组件及其制备方法晶体

[发明专利]一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具-CN201210188797.3无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具。现有的绿碳化硅的硬度和韧性度较低，用作磨料其磨削和切割能力弱，易破碎，回收价值低。而现有的稀土铈碳化硅颜色较差，商品的品质和性能不稳定并难以衡量。本发明的稀土绿碳化硅，其含有微量的稀土元素氯化物。其品质性能易于衡量、外观颜色接近普通绿碳化硅，性能和使用价值优于普通绿碳化硅和稀土铈碳化硅。该稀土绿碳化硅用作磨料，其显微硬度、韧性度显著提高，磨削切割性能大幅度提高。本发明的稀土绿碳化硅用于制造陶瓷材料，具有优良的机械和耐蚀性能。以本发明的稀土绿碳化硅制成的稀土绿碳化硅磨具有更优良的磨削性能。
一种稀土碳化硅及其用途磨料磨具

[发明专利]一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法-CN201810865340.9在审
发明人：杨金山;闫静怡;董绍明;周海军;胡建宝 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法，所述碳化硅纳米线宏观有序体的制备方法包括：将碳化硅纳米线分散于溶剂中，再加入分散剂、粘结剂和增塑剂混合，得到碳化硅纳米线浆料；采用流延法将碳化硅纳米线浆料制成无序碳化硅纳米线薄膜；采取机械拉伸法处理无序碳化硅纳米线薄膜，得到所述碳化硅纳米线宏观有序体。
碳化硅纳米线制备宏观浆料薄膜机械拉伸法分散剂流延法增塑剂粘结剂溶剂

[发明专利]一种碳化硅板修复的方法-CN201310151758.0无效
发明人：熊玉堂;杨启付;黄景德 -专利权人：福建省佳圣轩工艺品有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：一种碳化硅板修复的方法，涉及一种碳化硅板。提供一种可降低成本，解决产品粘脚的碳化硅板修复的方法。碳化硅板粗加工处理；将粗加工处理后的碳化硅板喷砂表面处理；将表面处理后的碳化硅板喷砂加热；将加热后的碳化硅板放至水帘机喷氧化铝涂层后，再用窑炉空烧，即得碳化硅板。
一种碳化硅修复方法

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