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[实用新型]一种碳化硅颗粒整形机-CN201821047635.7有效
发明人：黄威;刘峰;贺毅强 -专利权人：连云港市沃鑫高新材料有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B24B31/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅颗粒整形机，属于碳化硅颗粒整形领域，一种碳化硅颗粒整形机，包括碳化硅颗粒整形机外壳，碳化硅颗粒整形机外壳的上端固定连接有碳化硅颗粒整形机盒盖，碳化硅颗粒整形机外壳的下侧设有支撑架，碳化硅颗粒整形机外壳与支撑架之间固定连接，碳化硅颗粒整形机外壳包括碳化硅颗粒整形腔和强力风扇槽，碳化硅颗粒整形机盒盖的上端固定连接有入料口，且碳化硅颗粒整形机外壳的内腔通过入料口与外界相通，碳化硅颗粒整形机盒盖的底端转动连接有电动转轴，电动转轴上固定连接有搅拌扇叶，它可以实现使碳化硅颗粒自磨，使碳化硅颗粒整形机易于生产颗粒大小较为均匀、颗粒表面较为圆润的碳化硅颗粒。
碳化硅颗粒整形机盒盖电动转轴上端固定入料口支撑架本实用新型搅拌扇叶颗粒表面强力风扇外界相通转动连接整形腔底端内腔整形自磨生产

[发明专利]一种碳化硅粒度砂和致密烧结用超细微粉的生产方法-CN201110170624.4无效
发明人：阮秀春 -专利权人：阮秀春
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粒度砂和致密烧结用超细微粉的生产方法，包括步骤：(1)选取、处理碳化硅原料：选取碳化硅原料，用对辊机进行破碎，然后筛分、整形得到椭圆行的碳化硅颗粒在80％以上，然后对碳化硅颗粒进行酸洗除杂、干燥；(2)粉碎、分级碳化硅颗粒：使用磨粉机将碳化硅颗粒粉碎可获得粒径小于10微米的碳化硅颗粒；(3)再次分级获得合格的碳化硅颗粒：使用超声波筛分机进行振动时，超碳化硅颗粒之间相互装机及超声波的冲击和空化作用，使得95％的碳化硅颗粒都能达到要求。本发明的优点是：碳化硅颗粒粒度均匀，堆积密度大，生产效率高。
一种碳化硅粒度致密烧结细微生产方法

[发明专利]含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器-CN200580049218.5有效
发明人：神山达也;高松昇司 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。
碳化硅颗粒制造烧结方法以及过滤器

[发明专利]碳化硅晶体生长坩埚及生长方法-CN202111361145.0在审
发明人：杨弥珺;赵新田 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体生长坩埚，通过设置石墨柱将碳化硅颗粒原料隔开或采用石墨腔体分装碳化硅颗粒原料的方式将碳化硅颗粒原料分堆隔开，可减缓碳化硅晶体生长过程中陶瓷体的重结晶，避免陶瓷体由于重结晶导致其气孔道堵塞，同时碳化硅颗粒原料与碳化硅颗粒原料之间以及碳化硅颗粒原料与石墨体(石墨柱外壁或石墨腔体内壁)之间形成用于碳化硅气相流动的输送通道，该输送通道能够实现碳化硅气相高效输送，进而延长碳化硅晶体的长晶时间，提高碳化硅晶体的长晶效率本发明还提出一种碳化硅晶体生长方法，可实现气流高效输送，提高长晶效率，避免高密度无孔道的陶瓷体的产生。
碳化硅晶体生长坩埚生长方法

[发明专利]一种颗粒级配粉体制备碳化硅陶瓷的方法-CN202211077777.9在审
发明人：孙孟勇;孙绪韫;栾承华;曲俊峰;王静慧;郭敏;李国斌;张武;杨双燕;高晓菊 -专利权人：中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体的说是一种颗粒级配粉体制备碳化硅陶瓷的方法，该碳化硅陶瓷制备方法包括以下步骤：步骤一、原料处理：按碳化硅陶瓷制备各成分原料获取碳化硅粉体颗粒、生物炭颗粒、金属粉体、硅粉和改性剂；采用碳化硅粉体颗粒、生物炭颗粒、金属粉体、硅粉和改性剂，增塑纤维、颗粒可增韧补强碳化硅陶瓷，明显提高碳化硅陶瓷的韧性和强度，提高碳化硅陶瓷的结构性能，采用生物炭颗粒作为原料，来源广、成本低、环境友好，工艺流程简单，具有可操作性强、重复性好的优点，用于不同颗粒级分级碳化硅陶瓷产品的制备，制备的碳化硅陶瓷颗粒粒度集中、均匀，从而提高了碳化硅陶瓷制备的产品质量。
一种颗粒级配粉体制碳化硅陶瓷方法

[发明专利]一种铝基复合材料用碳化硅颗粒的预处理方法-CN201410308106.8有效
发明人：王顺成;郑开宏;王辉;王娟;王海艳 -专利权人：广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：一种铝基复合材料用碳化硅颗粒的预处理方法，该方法是先将碳化硅颗粒与SiO₂溶胶搅拌混合，使碳化硅颗粒表面覆盖一层均匀的SiO₂溶胶；然后对碳化硅颗粒进行烘烤，去除SiO₂溶胶的水分，使碳化硅颗粒表面覆盖一层均匀的SiO₂薄膜，即得到预处理好的碳化硅颗粒。采用本发明对碳化硅颗粒进行预处理，可显著改善碳化硅颗粒与铝液之间的润湿性，通过搅拌方法很容易将碳化硅颗粒加入到铝液中形成碳化硅颗粒增强铝基复合材料，同时还能抑制碳化硅颗粒与铝液之间发生反应生成Al₄C₃脆性物，获得高性能的碳化硅颗粒增强铝基复合材料，且本发明还具有工艺简单、成本低、适合于大规模工业化生产的优点。
一种复合材料碳化硅颗粒预处理方法

[发明专利]碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉的制备方法-CN201310569974.7有效
发明人：刘成文;于雪梅;冯立超;郭世杰 -专利权人：连云港龙塔研磨材料有限公司
申请日： 2013-11-16 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/569 文献下载
摘要：本发明是一种碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉及其制备方法，它将碳化硅原料经过破碎、振实、然后通过浮选、酸洗、碱洗对碳化硅粉末进行整形提纯，提纯后再通过分散剂进行分散和浆化得到碳化硅微粉浆液，最后再进行分级，分级后将得到的各种规格碳化硅微粉经沉淀分离、烘干、筛分、包装，即获得碳化硅精细陶瓷用碳化硅微粉。本发明制得的碳化硅微粉颗粒表面超干净，纯度高，振实密度高，具有良好的流动性、成型工艺性及烧结性能，能够很好地应用于碳化硅精细陶瓷生产领域。本发明分散和浆化过程中能够与悬浮液中的碳化硅颗粒形成良好的作用，有效避免了料液中微米级碳化硅颗粒之间的团聚，同时明显削弱了纳米级碳化硅颗粒在大颗粒上的粘附作用。
碳化硅精细陶瓷制备方法

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202210098073.3在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种复合碳化硅衬底，包括碳化硅单晶层、碳化硅多晶层以及位于碳化硅单晶层与碳化硅多晶层之间碳化硅陶瓷层；所述碳化硅单晶层晶体为六方相4H型，所述碳化硅多晶层晶体颗粒为立方相3C型；所述碳化硅陶瓷层晶体颗粒为六方相4H型和立方相3C型的混合；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅单晶层的一侧，其六方相4H型晶体颗粒的平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的4H型晶体颗粒；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅多晶层的一侧，其立方相3C型晶体颗粒平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的3C型晶体颗粒。解决了碳化硅单晶和多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法-CN201210516089.8无效
发明人：王晓军;沈明杰;王乃舟;胡小石;吴昆;郑明毅 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法，它涉及一种碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术存在碳化硅颗粒和镁合金的相容性不好，导致碳化硅颗粒极易团聚的问题。方法：一、混合得到双尺寸碳化硅颗粒；二、先将双尺寸碳化硅颗粒放入半固态状态的镁基体里，经过搅拌、超声分散和压铸即得到双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。优点：一有效的解决碳化硅颗粒在基体里均匀分散困难的问题，充分发挥颗粒增强效果；二、力学性能显著的增加。本发明主要用于制备双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。
一种尺寸碳化硅颗粒混杂增强复合材料制备方法

[发明专利]一种用于碳化硅颗粒的成品处理方法-CN202011414177.8在审
发明人：许卫东 -专利权人：许卫东
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B65B43/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅颗粒的成品处理方法，涉及碳化硅生产技术领域，包括准备若干个用来盛放成品碳化硅颗粒的包装桶；将包装桶等距离的排布在碳化硅颗粒包装一体机的输送线上；将成品碳化硅颗粒装入包装桶内，并对包装桶进行封盖处理；盛装有成品碳化硅颗粒的包装桶跟随输送线移动；利用小推车，将下线后的包装桶转移至仓库中即可。在上述处理步骤中，使用了碳化硅颗粒包装一体机，该碳化硅颗粒包装一体机不仅可以将碳化硅批量的装入包装桶内，而且还可以随即对包装桶进行封盖处理，这样一套流程下来，不仅可以大幅度的取代人力，降低生产成本，而且碳化硅颗粒的包装效率会大幅度提高，加快了碳化硅的生产速度。
一种用于碳化硅颗粒成品处理方法

[发明专利]一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺-CN202310385915.8在审
发明人：奚衍罡 -专利权人：南通罡丰科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺，包括以下步骤：分别对碳化硅原料进行筛分和清洗处理，得到碳化硅颗粒；利用改进的BP神经网络模型输出与碳化硅颗粒成分相对应的酸洗参数；将筛选出的碳化硅颗粒放入酸洗槽，并利用输出酸洗参数的酸液对碳化硅颗粒进行酸洗处理；将酸洗后的碳化硅颗粒放入离子交换柱中进行离子交换；依次对离子交换后的碳化硅颗粒进行烘干及筛分处理，得到高纯度的碳化硅。本发明可以实现对酸洗参数的优化，相比于传统的加工工艺，不仅可以有效地提高碳化硅原料的酸洗效率及产品质量，而且还可以减少废料的产生，降低生产成本，提高生产稳定性，从而可以更好地满足于碳化硅原料的酸洗提纯加工需求
一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺

[发明专利]一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法-CN202110551428.5有效
发明人：皮孝东;徐所成;罗昊;王亚哲;姚秋鹏;钟红生;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向
一种高纯碳化硅颗粒反应装置制备方法

[发明专利]一种碳化硅基陶瓷蓄热体及其制备方法-CN202310513313.6在审
发明人：刘浩;刘文元;王周福;马妍;王玺堂 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基陶瓷蓄热体及其制备方法。其技术方案是：将碳化硅颗粒A、碳化硅颗粒B和碳化硅颗粒C混合，混合后的碳化硅颗粒置于硅溶胶中，在真空条件下浸渍；浸渍后的碳化硅颗粒烘干，热处理，将热处理后得到的纳米二氧化硅包覆碳化硅颗粒在与氯化镁混合，先后加入去离子水和氨水溶液，搅拌，抽滤；抽滤后的产物置于旋转蒸发器内旋转，烘干，热处理，得到氧化镁‑二氧化硅包覆碳化硅颗粒；将氧化镁‑二氧化硅包覆碳化硅颗粒、碳化硅细粉和轻烧镁粉混合，外加聚乙烯醇溶液，混合；压制成型，经800～1000℃热处理2～4h和1400～1500℃热处理2～4h，得到碳化硅基陶瓷蓄热体。
一种碳化硅陶瓷蓄热及其制备方法

[发明专利]一种铝碳化硅材料及其制备方法-CN201910336899.7在审
发明人：宫清;周维;徐强;刘辉;宋山青 -专利权人：比亚迪股份有限公司;汕尾比亚迪实业有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝碳化硅材料，包括铝和碳化硅预制件，其特征在于，所述碳化硅预制件由以下原料制备得到：100重量份的碳化硅颗粒、1‑10重量份的金属硝酸盐、1‑10重量份的粘结剂。铝基碳化硅材料的原料中含有金属硝酸盐，金属硝酸盐能热分解产生相应的金属氧化物，加强碳化硅颗粒间的连接，提高碳化硅预制件的强度，有利于进行规模化量产；而且热解产生的金属氧化物附着在碳化硅颗粒表面，可以有效地抑制部分碳化硅颗粒的氧化，减少二氧化硅的生成，提高铝碳化硅材料的热导率。
一种碳化硅材料及其制备方法

[发明专利]碳化硅的连接方法-CN202310033072.5在审
发明人：张宝亮;涂蒙河 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种碳化硅的连接方法。连接方法包括：利用脉冲激光沉积法，在碳化硅基体的表面沉积致密的铝钛纳米颗粒层；将沉积有铝钛纳米颗粒层的碳化硅基体对接；对对接后的碳化硅基体进行钎焊，以将碳化硅基体连接为一体。本申请的实施例提供的碳化硅的连接方法，铝钛纳米颗粒层可以作为连接碳化硅基体的连接层；同时，通过脉冲激光沉积法沉积形成的连接层的颗粒为纳米级大小，可以降低碳化硅基体钎焊时所需的温度；此外，利用脉冲激光沉积法，可以在更多形状的碳化硅基体表面沉积连接层，降低了碳化硅基体形状对连接的限制。
碳化硅连接方法

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