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[发明专利]用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构-CN200610118772.0无效
发明人：陈军;吴汉明;高大为;朱蓓;伯凡帝·保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成应变硅集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的任何部分保持不被暴露，所述硅锗材料使得源区和漏区之间的沟道区从形成在源区和漏区中的至少硅锗材料以压缩模式发生应变；从栅极结构去除硬掩模，以暴露栅极结构的顶部。
用于应变 mos 晶体管使用硬掩模刻蚀方法结构

[发明专利]具有多孔区域嵌入式结构的半导体装置及其制造方法-CN201980026475.9在审
发明人：弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希;马克西姆·勒梅纳热;久伊·帕拉特 -专利权人：株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：多孔阳极区域由延性硬掩模限定。硬掩模的延性降低了在通过多孔阳极区域的阳极氧化的形成期间硬掩模破裂的可能性。延性硬掩模可以是金属。金属可以被选择成在暴露于阳极氧化电解质时形成稳定的氧化物，从而使得硬掩模能够在裂纹在阳极氧化过程期间出现时自修复。
具有多孔区域嵌入式结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法-CN202211466675.6在审
发明人：辛乘旭;朴裕信;金昇炫;朴相喆;金尙美;崔世一;崔熙瑄 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩模组合物、一种由硬掩模组合物制造的硬掩模层以及一种由硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元，其中，化学式1的定义如本说明书中所描述
模组硬掩模层以及形成图案方法

[发明专利]无需光刻胶的带电粒子束图案化-CN201510047961.2有效
发明人：蔡坤谕;陈敏璋;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋;蔡坤谕
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模上图案化结构。
无需光刻带电粒子束图案

[发明专利]硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法-CN201911326113.X有效
发明人：林栽范;金瑆焕;金昇炫;金兑镐;朴裕信;梁善暎 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩模组合物、硬掩模层及形成图案的方法。硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂：[化学式1]硬掩模组合物及硬掩模层具有改进的耐蚀刻性和耐化学性。
模组硬掩模层以及形成图案方法

[发明专利]定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法-CN201110268927.X在审
发明人：许胜杰;萧世和 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开一种定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法，该图案化方法包括首先提供基底，该基底上已形成有隔离结构。接着于该基底上形成硬掩模层，再于硬掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层中有深沟槽开口图案位于隔离结构上方。然后以图案化光致抗蚀剂层为掩模，使用不含氢元素的蚀刻气体蚀刻硬掩模层，以将上述深沟槽开口图案转移至硬掩模层。
定义深沟硬掩模层图案方法

[发明专利]导体图案的形成方法-CN200810128858.0无效
发明人：谢荣源;陈泳卿 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：接着，在第一导体层上形成图案化硬掩模层。然后，以图案化硬掩模层为掩模，移除部分第一导体层，以暴露出部分基底。接下来，在基底上形成介电层，且介电层覆盖图案化硬掩模层。之后，移除部分介电层，以暴露出图案化硬掩模层。再者，移除图案化硬掩模层，以在介电层中形成开口。继之，在开口中形成第二导体层。
导体图案形成方法

[发明专利]一种电容器孔和DRAM的制造方法-CN202011254333.9在审
发明人：姜东勋;李俊杰;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模
一种电容器 dram 制造方法

[发明专利]用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构-CN201110424029.9无效
发明人：陈军;吴汉明;高大为;朱蓓;伯凡帝·保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构，具体地一种形成应变硅集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的任何部分保持不被暴露，所述硅锗材料使得源区和漏区之间的沟道区由于形成在源区和漏区中的至少硅锗材料以压缩模式发生应变；从栅极结构去除硬掩模
用于应变 mos 晶体管使用硬掩模刻蚀方法结构

[发明专利]一种功率器件加工方法-CN201910883126.0在审
发明人：郭依腾;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率器件加工方法，包括：在衬底设置硬掩模，并在所述硬掩模光刻出刻蚀窗口；通过所述刻蚀窗口对所述衬底进行沟槽刻蚀，保留所述硬掩模；对所述硬掩模进行横向刻蚀，用于形成离子注入窗口；进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模被刻蚀区域形成N型导电层，刻蚀形成的离子注入窗口，降低了N+工艺光刻的技术难度，硬掩模对N+离子注入进行自对准阻挡，从而解决N+离子注入对偏问题，保证功率器件的电性及动态参数的稳定
硬掩模离子注入窗口功率器件刻蚀窗口衬底光刻离子半导体技术领域离子注入工艺动态参数沟槽刻蚀横向刻蚀技术难度刻蚀区域自对准电性刻蚀阻挡保留加工保证

[发明专利]存储器中的钨/二氧化硅交界面的衬垫-CN200880117519.0有效
发明人： Y·塔纳卡;S·J·拉迪干;U·拉古拉姆 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：在硅上方沉积金属硬掩模。在金属硬掩模上方沉积电介质硬掩模。在电介质硬掩模上方沉积光刻胶，由此多个牺牲柱由穿过光刻胶的金属硬掩模层形成，以便牺牲柱从硅层延伸出。界面层被设置在导电材料层和硬掩模层之间以增强多个牺牲柱中的每一个与导电材料层之间的粘合，从而通过防止由于牺牲柱脱落或跌落而使多个牺牲柱过早地从硅层上脱离来优化由硅形成结型二极管。
存储器中的二氧化硅界面衬垫

[发明专利]一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法-CN202010954547.0在审
发明人：杨天伦;李明霞 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供的一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法，硬掩模刻蚀图形的方法一次光刻工艺，两次或者三次刻蚀工艺完成了硬掩模刻蚀图形，同时形成了双台阶的刻蚀图形，减少了下切现象的产生，缓解了刻蚀侧壁的内应力并通过以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二开口处的硬掩模层，可以形成台阶状的硬掩模层，降低了硬掩模层断裂的现象。
一种硬掩模刻蚀图形方法制冷红外探测器制备

[发明专利]EUV光掩模的制作方法-CN202211481930.4在审
发明人：谢玮哲;朱家庆;陈亚伦;苏煜中;王子奕;郑雅如;连大成;李信昌;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。
euv 光掩模制作方法

[发明专利]用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法-CN201280065648.6有效
发明人：金润俊;田桓承;赵娟振;尹龙云;李忠宪;权孝英;崔有廷 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种由式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。
用于模组单体包含以及使用形成图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201910210667.7有效
发明人：朴成珉;张世明;金奉秀;朴济民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种方法包括：通过在衬底上沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层并蚀刻硬掩模层，来形成硬掩模图案；通过使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻多晶硅层来形成预多晶硅图案；氧化预多晶硅图案的侧表面，以形成多晶硅图案和氧化硅层；形成覆盖氧化硅层的侧面的隔墙图案；在支撑掩模层的顶表面上形成牺牲层，以覆盖氧化硅层和隔墙图案；蚀刻牺牲层和氧化硅层；通过使用多晶硅图案和隔墙图案作为蚀刻掩模蚀刻支撑掩模层来形成支撑掩模图案；以及通过使用支撑掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成触发引脚
制造半导体器件方法

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