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[发明专利]一种使用天然矿物添加剂分解六氯苯的机械化学方法-CN202111595666.2有效
发明人：张其武;姚真真;何晓曼;胡慧敏;陈敏 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B09C1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用天然矿物添加剂分解六氯苯的机械化学方法，具体步骤为：将六氯苯与天然矿物添加剂置于球磨机中共同球磨。六氯苯与天然矿物添加剂在球磨过程中发生机械力化学反应，实现六氯苯的降解。本发明采用天然矿物作为添加剂与六氯苯或含六氯苯的土壤共同球磨，通过优化工艺条件，能够达到对六氯苯很好的降解去除效果，六氯苯的降解率高达90％以上，选用的天然矿物处理过程中不会引入外来污染物质，也不会产生二恶英等有毒副产物，处理工艺步骤简单，条件温和，无溶剂，无需高温高压等条件，属于无毒无害化处理技术。
一种使用天然矿物添加剂分解氯苯机械化学方法

[发明专利]异质结太阳能电池片的制备方法-CN202110762196.8有效
发明人：龚道仁;张良;周肃;徐晓华;王文静;姚真真;魏文文 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除半导体衬底的正面的掩膜层。本发明的异质结太阳能电池片的制备方法中，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底的单面腐蚀，形成单面绒面的半导体衬底，工艺简单、流程短。
异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种汞形态分析用灵敏度提升装置-CN202220167940.X有效
发明人：毛雪飞;刘霁欣;姚真真 -专利权人：中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N30/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汞形态分析用灵敏度提升装置，包括进样系统，在线富集装置，色谱分离系统和原子荧光光谱仪，所述进样系统、在线富集装置、色谱分离系统和原子荧光光谱仪按照待测液流动方向通过连接机构依次串联；所述连接机构包括液相泵、色谱柱、切换阀、蠕动泵、第一电磁阀、第二电磁阀、第三电磁阀、第四电磁阀、紫外消解系统、氩气瓶、气液分离器和检测分析系统。本实用新型实现了在线富集、测定超痕量二价汞、甲基汞、乙基汞和苯基汞；简化了富集洗脱的步骤，减少了有毒试剂的使用，在适用于超痕量二价汞、甲基汞、乙基汞和苯基汞检测的同时提高了方法的绿色安全性；在检出限方面，能达到更好检出限效果。
一种形态分析灵敏度提升装置

[实用新型]一种呼吸科临床用痰痂清除器-CN202122449010.1有效
发明人： 姚真真 -专利权人： 姚真真
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： A61M16/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种呼吸科临床用痰痂清除器，包括连接箱、润滑机构和清除机构；所述润滑机构包括固定块，所述固定块固定连接在连接箱上，所述固定块内固定设有润滑箱，所述润滑箱上固定设有进料口，所述润滑箱内套接有活塞，所述固定块内固定设有水箱，所述润滑箱上固定连接有润滑管，所述润滑管另一端贯穿水箱和固定块后延伸至固定套内。本申请通过进水口向水箱内加入热水，通过进料口向润滑箱内加入润滑剂，将清除器上的吸痰口向呼吸道内的痰痂处推送，向左推动活塞，活塞内的润滑剂通过润滑管从环形口上的通孔流出，对痰痂进行润滑，同时润滑剂经过水箱时，水箱内的热水对润滑剂进行加热，防止患者不适，便于痰痂吸附。
一种呼吸临床用痰痂清除

[实用新型]一种电解水装置-CN202121787710.5有效
发明人： 姚真真;程尚之;周肃;徐晓华;龚道仁;王文静 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C25B9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电解水装置，包括：电解槽，用于盛放并保持电解液；阴极和阳极，位于电解槽的侧壁上，且与电解槽内的电解液接触；第一集气容器和第二集气容器，均为一面具有开口的箱体结构，开口能浸没于电解液内；第一集气容器由第一支撑结构支撑在电解槽靠近阴极一侧的上方，用于收集阴极电解出的气体；第二集气容器由第二支撑结构支撑在电解槽靠近阳极一侧的上方，用于收集阳极电解出的气体。在电解槽上阴极和阳极保持一定距离的条件下，采用排水法收集电解产生的氢气和氧气，氢气和氧气没有混气和爆炸的风险，电解槽内无需设置隔膜，不仅降低了隔膜成本，还减少了隔膜对电解液离子传输速率的影响，有利于提高电化学反应速率和产气效率。
一种电解水装置

[实用新型]丝网印刷系统-CN202121786391.6有效
发明人：张良;辛华伟;程尚之;姚真真;李建清;吴建晓 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种丝网印刷系统，包括：载台，半导体器件的第一栅线适于与载台的第一区接触；丝网印版，丝网印版适于在载台处于初始位置时位于载台的第二区的上方；位于载台上方的图像传感装置，图像传感装置适于获取当载台处于初始位置时半导体器件至丝网印版的第一位置信息；分别设置于载台的第一区的上下两侧的检测光发射部件和检测光接收部件，用以获取第一栅线在半导体器件中的第二位置信息；载台和/或丝网印版适于根据第一位置信息和第二位置信息移动，使丝网印版的待印刷图案与第一栅线对准。该丝网印刷系统能够以对准之后的丝网印版为掩膜在半导体器件的表面印刷第二栅线，容易实现第二栅线与第一栅线的对准，且对准效率较高。
丝网印刷系统

[实用新型]切片太阳能电池光注入退火装置-CN202120795731.5有效
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片太阳能电池光注入退火装置。该切片太阳能电池光注入退火装置，包括退火腔以及设置于所述退火腔内的光源，还包括电池盒和规划路径，所述电池盒至少具有固定板、相对于所述固定板能活动拼搭的移动板，所述移动板与所述固定板共同构成不闭合空间；所述规划路径包括固定设置于所述退火腔的支撑平台的矩径以及能使得所述电池盒相对于所述矩径沿所述光源的排列方向移动的规径。该切片太阳能电池光注入退火装置能够实现较佳的电池侧表面光注入退火效果，且极大地提高退火片均速率，从而实现高效、高质量对切片太阳能电池进行加热和辐照。
切片太阳能电池注入退火装置

[发明专利]一种异质结电池的制备方法-CN202110969906.4在审
发明人：符欣;周肃;龚道仁;王文静;徐晓华;姚真真;程尚之 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的至少背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；对所述半导体衬底层的至少背面进行腐蚀处理之后，进行扩散退火处理,以在部分厚度的所述半导体衬底层中分别形成第一掺杂层和第二掺杂层,所述第一掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的正面,所述第二掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的背面；进行所述扩散退火处理之后，采用单面刻蚀工艺去除所述第一掺杂层；去除所述第一掺杂层之后，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，以使所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面。该方法避免异质结电池光电转换效率分布拖尾、且降低成本。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]异质结电池及异质结电池制备方法-CN202110765905.8在审
发明人：徐晓华;周肃;姚真真;张良;龚道仁;王文静;庄挺挺;杨龙;魏文文 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池，将N型衬底原片一面设计成绒面结构，另一面设计成光面结构，反射率增加，使光面的单位面积的缺陷态密度减小，使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层；而且，光面的反射效果更好，可以增加长波光的吸收率，这些对于提高发电效率都起到重要的作用。
异质结电池制备方法

[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO的总量，降低生产成本。
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417470.8在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件。该制备方法包括对整片异质结太阳能电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理工艺中的至少两种：对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理；在所述切片硅异质结电池主体的切割表面形成侧硅薄膜；对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行光注入退火处理。通过对切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化、形成侧硅薄膜、光注入退火处理三种处理方式的至少两种，有效钝化切割表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的发电效率，修复现有技术中因激光切片技术导致切割表面出现损伤而导致的电池效率降低。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417599.9在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。该制备方法有效钝化切割侧表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的放电效率，从而将现有技术中因激光切片技术导致切割侧面出现损伤造成的0.3％的电池效率降低，修复为使得电池效率的仅降低0.15％左右。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]一种提高液相色谱原子光谱法分析灵敏度的装置及方法-CN202010546982.X在审
发明人：毛雪飞;刘霁欣;姚真真;钱永忠 -专利权人：中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种采用原位介质阻挡放电(DBDT)微等离子体预富集来提高液相色谱原子光谱法分析砷形态的灵敏度的方法。砷形态被完全提取后，对DBDT和原子光谱仪器的操作参数进行了优化，可实现特定砷形态的捕获和释放，从而消除基体干扰，提高检测灵敏度。该方法具有简单、成本低、体积小、绿色和安全等优点。并且通过标准曲线的线性、检出限(LOD)、精密度和准确性的验证，证明了该分析方法的可行性。
一种提高色谱原子光谱分析灵敏度装置方法

[发明专利]一种多晶硅片表面制绒的方法-CN202010350933.9在审
发明人：赵雷;姚真真;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅片表面制绒的方法，属于多晶硅片制绒技术领域。本发明方法以多晶硅片为阳极，碱性溶液作为电解质溶液，对多晶硅片表面进行电化学腐蚀制绒。本发明通过对多晶硅片表面进行电化学腐蚀，能够在多晶硅片表面上制备出百纳米量级的均匀分布的多孔硅腐蚀绒面，大大降低多晶硅片表面的反射率。同时，本发明的方法操作简便、成本较低。实施例结果表明，本发明提供的多晶硅片表面制绒的方法所得多晶硅片在400nm至1100nm范围内相对于AM1.5G太阳光谱的加权平均表面反射率可以达到17.5～18.5％。
一种多晶硅片表面方法

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