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[发明专利]基准部过滤自动晶片居中工艺和相关系统-CN201980059362.9在审
发明人：本杰明·W·莫瑞;达蒙·蒂龙·格内蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：传感器阵列中的每一传感器检测晶片的边缘何时通过机械手的晶片搬运部件上的传感器并发出信号。确定若干(N)个被检测的晶片边缘位置。每一被检测的晶片边缘位置是晶片搬运部件的坐标系统中的一组坐标(x，y)。针对所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的每一唯一组(N‑1)个被检测的晶片边缘位置，确定基本上使性能指数值最小化的估计晶片偏移量。估计晶片偏移量是从晶片搬运部件的坐标系统的中心延伸至晶片的估计中心位置的向量。最终晶片偏移量被识别为具有最小的对应性能指数值的估计晶片偏移量。最终晶片偏移量用于使晶片在目标工作站居中。
基准过滤自动晶片居中工艺相关系统

[发明专利]一种采用超声驻波操纵Micro-LED巨量转移的方法-CN201811564866.X有效
发明人：陈云;施达创;陈新;刘强;高健;汪正平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用超声驻波操纵Micro‑LED巨量转移的方法，移动转移基板，使需要转移的Micro‑LED晶片对准激光发射器；接着激光发射器发出激光光束，使Micro‑LED晶片脱离转移基板的弹性层并落到超声操控范围内，声压节点使Micro‑LED晶片悬浮；辐射端面和反射端面在导轨上移动，使Micro‑LED晶片之间的间距也随之改变；超声换能器停止发出超声波，Micro‑LED在重力作用下落到目标衬底的对应位置上；完成贴装后本发明具有转移效率高，不受Micro‑LED在目标衬底上的贴装间距的限制和Micro‑LED晶片封装的良率高的优点。
贴装激光发射器超声驻波转移基板衬底超声换能器反射端面激光光束重力作用转移效率超声波弹性层上移动操控超声导轨良率声压封装对准悬浮辐射脱离移动

[发明专利]一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法-CN201811564858.5有效
发明人：陈云;施达创;陈新;刘强;高健;汪正平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：一种温控粘附式Micro‑LED巨量转移方法，包括如下步骤：A、设置自装结构，晶片一面加工有正极引脚和负极引脚，另一面加工有自组装微结构，转移基板加工有自承接微结构，自组装微结构和自承接微结构相互装配，自承接微结构表面涂覆有温控粘附层；B、开始自装工作，使用容器盛水，将晶片分散到水中，转移基板浸泡在水中，通过加热装置使水温度升高，同时使用搅拌器搅拌水；C、开始转移工作，停止对水的加热和搅拌，取出转移基板，将目标衬底浸泡在高温的水中，再将转移基板放入高温水与目标衬底对齐，降低水的温度，使Micro‑LED晶片脱离转移基板，落到目标衬底上；该方法采用物理原理进行转移，不会影响到晶片本身。
转移基板微结构衬底晶片水中温控承接粘附式自组装浸泡加工微结构表面负极引脚加热装置物理原理正极引脚对齐高温水搅拌器粘附层放入盛水涂覆加热装配取出脱离

[发明专利]一种晶体谐振器晶片的加工方法-CN202310396327.4在审
发明人：高青;刘其胜;高少峰 -专利权人：深圳市晶峰晶体科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体谐振器晶片的加工方法，所述加工方法地方步骤包括：获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。本申请通过在多阶段打磨晶体后进行抛光，使晶体的表面进一步平整，减小了成品晶片的电阻和寄生频率噪声；使用不同精度的研磨机分步打磨可以获得更加平整的晶体表面，避免晶片因内应力过大而碎裂，工艺简单，节省时间且成本较低
一种晶体谐振器晶片加工方法

[发明专利]具有图像上取样的光学晶片特征化的系统及方法-CN202280017885.9在审
发明人： A·塞兹希内尔;赵伟;R·威灵福德;G·H·陈;刘旭钊;G·丛;L·余;K·维尔克;张博升;A·帕特尔;P·麦克布赖德 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种系统包含通信地耦合到光学晶片特征化系统的检测器阵列的处理单元。所述处理单元经配置以执行包含以下步骤的方法或过程的一或多个步骤：从所述检测器阵列获取晶片上的目标位置的一或多个目标图像；将去噪滤波器应用到至少所述一或多个目标图像；从一或多个参考图像及所述一或多个目标图像确定一或多个差异图像可在所述一或多个差异图像或所述经上取样图像中检测一或多个晶片缺陷。
具有图像取样光学晶片特征系统方法

[发明专利]用于在半导体制造期间探测不希望的粒子的存在的方法及系统-CN200780042929.9有效
发明人： H·J·莱文森;O·R·伍德 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明之一个范例实施例为一种用于在半导体制造期间探测平面的光刻目标(planar lithographic object)(譬如半导体晶片(102)或光刻掩模(202))与卡盘(chuck)(104)之间不希望的粒子于此实施例中，该范例方法包含放置该平面的光刻目标(譬如半导体晶片(102))于该卡盘之上(504)。该方法复包含测量由该卡盘和该平面的光刻目标所形成的及形成于该卡盘和该平面的光刻目标之间的至少一个电特性的改变，譬如测量该卡盘(104)和半导体晶片(102)之间由不希望之粒子所引起之电容改变(506)。
用于半导体制造期间探测希望粒子存在方法系统

[发明专利]离子注入装置-CN201610831654.8有效
发明人：二宫史郎;冈本泰治;越智昭浩;上野勇介 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
离子注入装置

[发明专利]化学机械抛光方法以及化学抛光系统-CN201910182532.4有效
发明人：吴恬辛 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光方法及化学机械抛光装置，充分考虑了化学机械抛光装置上的晶片载体随着长时间使用而导致的厚度变化对半导体晶片的抛光效果的影响，在设定用于半导体晶片抛光的工艺参数之前，先测量晶片载体的厚度，并计算出测得的晶片载体的厚度与待抛光的半导体晶片在完成抛光后的目标厚度之间的差值(即晶片载体相对抛光后的半导体晶片的突出量或者抛光后的半导体晶片相对晶片载体的突出量)，然后根据该差值设定用于半导体晶片抛光的工艺参数，当采用这组与该差值相关的半导体晶片抛光的工艺参数对该半导体晶片进行抛光后，该半导体晶片最终抛光后的抛光面的平整度会增加，因而提高了抛光效果。
化学机械抛光方法以及化学抛光系统

[发明专利]一种半导体晶片图像对准方法-CN202210941014.8有效
发明人：张琰;孙思源 -专利权人：山东光岳九州半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体晶片图像对准方法，该方法获取半导体晶片的灰度图像中的边缘像素点；均匀选取多个采样点，以每个采样点作为目标点，获取目标点的特征方向，初步设定一个数量阈值，当备选圆心对应的特征方向的数量高于数量阈值时获取每个真实圆心为实际圆心的第一概率和第二概率；以第一概率和第二概率的乘积作为对应的真实圆心的置信度；基于所有真实圆心的置信度对数量阈值进行更新，得到最佳阈值；在基于最佳阈值得到的真实圆心中筛选出实际圆心；基于实际圆心坐标和缺口特征点坐标获取晶片的校正角度和校正距离，对晶片进行校正完成晶片对准。本发明提高了晶片对准的精度和对准效率。
一种半导体晶片图像对准方法

[发明专利]一种矩形石英晶片缺陷自动检测分类识别方法-CN201110054813.5无效
发明人：邱杰;邱丽原;滕今朝;原渭兰 -专利权人：中国人民解放军海军航空工程学院
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明是公开了一种矩形石英晶片缺陷自动检测分类识别方法，其步骤：1.在原始图像中提取石英晶片的长边并计算其斜率；2.进行图像旋转，使晶片的长边在图像中呈水平走向；3.进行图像分割，从背景中分离出晶片目标；4.基于晶片目标及其相关参数，建立晶片模板；5.外围断条缺陷的检测和识别；6.外围边缘不齐缺陷的检测和识别；7.外围崩边缺陷的检测和识别；8.边缘处崩边缺陷的检测和识别；9.边缘处边缘不齐缺陷的检测和识别
一种矩形石英晶片缺陷自动检测分类识别方法

[发明专利]运行至运行控制与故障检测的集成-CN02814257.8无效
发明人： T·P·赖斯;A·P·尚穆加松拉姆;A·T·施瓦姆 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-07-12 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：结合使用运行至运行控制器和故障检测系统制造执行系统加工半导体晶片。由运行至运行控制器从制造执行系统接收菜单用于控制工具。该菜单包括用于获得一个或多个目标晶片特性的设定点。通过使用故障检测系统和一个或多个传感器测量加工属性来监视晶片的加工，其中加工属性包括故障状况和晶片特性。可以根据加工属性在运行至运行控制器修改菜单的设定点以保持目标晶片特性，除了由故障检测系统检测到故障状况的情况下之外。这样，在存在工具或晶片故障状况时获得的数据不能用于反馈目的。
运行控制故障检测集成

[发明专利]提供去除速率曲线处理的化学机械抛光设备的反馈控制-CN02815451.7无效
发明人： A·P·桑穆加孙达拉姆;A·T·施瓦姆;G·B·普拉布 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在抛光操作中控制晶片表面非均匀性的方法，包括：(a)提供一种晶片抛光模式，该模式在晶片上定义多个分区，并且在抛光工艺的抛光步骤中，确定这些分区的每一个分区的晶片材料去除速率，其中所述抛光工艺包括多个抛光步骤；(b)根据进料晶片的厚度曲线，用第一抛光配方抛光晶片；(c)为经过步骤(b)抛光的晶片确定晶片厚度曲线；以及(d)基于步骤(c)的所述晶片厚度曲线以及步骤(a)的所述模式计算更新的抛光配方，以保持目标晶片厚度曲线
提供去除速率曲线处理化学机械抛光设备反馈控制

[发明专利]用于制造半导体的设备和方法-CN201210256773.7有效
发明人：行森美昭;曹廷镐;安根植 -专利权人：三星泰科威株式会社
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造半导体的设备和方法，该设备包括：晶片盒，附着到所述设备的主体或从所述设备的主体分离；晶片载体，容纳在晶片盒中，且当半导体晶片放置在晶片载体上时，保留了关于所述多个半导体芯片的信息的条形码附着到晶片载体；缓冲单元，包括缓冲台和条形码读取器，并执行用于调节晶片载体的方向的对齐操作，晶片载体放置在缓冲台上，缓冲台能够旋转，条形码读取器读取所述条形码；XYθ台，在XYθ台上，半导体晶片运动到半导体芯片的拾取位置；安装机构，用于将半导体芯片安装在目标上。
用于制造半导体设备方法

[发明专利]晶片温控系统、晶片温控方法及反应腔室-CN201710728398.4有效
发明人：郑友山 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片温控系统、晶片温控方法及反应腔室，该晶片温控系统包括用于承载晶片的卡盘、设置在卡盘中的用于加热晶片的加热装置以及用于向晶片与卡盘之间的间隙输送热交换气体的输送装置，该输送装置包括输送管路，该输送管路用于将热交换气体输送至晶片与卡盘之间的间隙；在输送管路上设置有温度控制器，用于加热或冷却输送管路中的热交换气体，以使进入晶片与卡盘之间的间隙中的热交换气体达到目标温度。本发明提供的晶片温控系统，其不仅可以提高晶片的温度控制速度，提高产能，而且还可以提高对晶片温度控制的精确性，从而提高工艺均匀性。
晶片温控系统方法反应

[发明专利]一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法-CN202211194548.5有效
发明人：高飞;边子夫;王英明;王健;霍晓青;李晖;李宝珠 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液在研磨机上对待加工晶片的B面进行研磨，将待加工晶片B面的厚度研磨至与所述支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗；采用上述方法，将待加工晶片的A面研磨至与边缘支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗，完成待加工晶片的研磨。采用本发明对晶片进行研磨时，同一盘内晶片的厚度偏差≤3μm，晶片的目标厚度控制精度可以达到±5μm，有效的保障了晶片厚度批次的一致性和稳定性。
一种尺寸晶体材料晶片研磨方法